發(fā)布時間：2017-09-08 17:00

  本文關(guān)鍵詞：福建物構(gòu)所金屬-有機(jī)框架薄膜的組裝及性能研究取得新進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： 薄膜材料 隧穿效應(yīng) 硅基材料 高介電常數(shù) 功能器件 擊穿電壓 器件材料 電子傳輸 介電損耗 無機(jī)氧化物

【摘要】：正開發(fā)和研究具有高介電常數(shù)、低漏流和高擊穿電壓的功能器件對柵極介電薄膜材料和高電子傳輸二極管等電子器件材料具有重要的意義。當(dāng)前,大部分柵極介電薄膜材料都是基于傳統(tǒng)的硅基電子元件材料。然而,傳統(tǒng)的硅基材料在實(shí)際應(yīng)用中常常會面臨高介電損耗以及由于厚度引起的隧穿效應(yīng)等問題。為此,開發(fā)高介電常數(shù)薄膜材料有利于增加?xùn)艠O
【關(guān)鍵詞】： 薄膜材料;隧穿效應(yīng);硅基材料;高介電常數(shù);功能器件;擊穿電壓;器件材料;電子傳輸;介電損耗;無機(jī)氧化物;
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 開發(fā)和研究具有高介電常數(shù)、低漏流和高擊穿電壓的功能器件對柵極介電薄膜材料和高電子傳輸二極管等電子器件材料具有重要的意義。當(dāng)前,大部分柵極介電薄膜材料都是基于傳統(tǒng)的硅基電子元件材料。然而,傳統(tǒng)的硅基材料在實(shí)際應(yīng)用中常常會面臨高介電損耗以及由于厚度引起的隧穿效

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;美國成功發(fā)明出可變色薄膜材料[J];河南化工;2013年07期

2 ;薄膜材料科學(xué)與技術(shù)──青年科學(xué)家論壇第44次活動[J];學(xué)會;2001年04期

3 王懷文,亢一瀾,富東慧;應(yīng)用數(shù)字散斑相關(guān)技術(shù)進(jìn)行薄膜材料斷裂問題研究[J];煙臺大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)與工程版);2001年02期

4 夏德宏,吳永紅,李樹柯;薄膜材料的熱輻射穿透深度研究[J];熱科學(xué)與技術(shù);2003年03期

5 胡江川,王萬錄,馬平,陳松林;幾種紫外薄膜材料的閾值場強(qiáng)分析[J];重慶大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2005年08期

6 史芳;賴欣;崔春華;何見超;畢劍;高道江;;功能薄膜材料的環(huán)境協(xié)調(diào)性制備技術(shù)研究進(jìn)展[J];科學(xué)技術(shù)與工程;2006年09期

7 龍斌;;韓國開發(fā)出使薄膜材料領(lǐng)域研究成果最大化的高速研究技法[J];功能材料信息;2007年01期

8 葉志鎮(zhèn);張銀珠;黃靖云;汪雷;;以科研促進(jìn)《薄膜材料技術(shù)與物理》專業(yè)課程的教學(xué)改革[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報;2010年03期

9 郭乃妮;;硫化鉛薄膜材料的合成及應(yīng)用研究進(jìn)展[J];應(yīng)用化工;2011年04期

10 ;薄膜材料[J];金屬功能材料;2013年01期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 張斌;施立群;承煥生;王建中;李嘉慶;張杰雄;;核分析技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用[A];第十四屆全國核物理大會暨第十屆會員代表大會論文集[C];2010年

2 劉維民;翁立軍;薛群基;;空間潤滑薄膜材料與技術(shù)[A];第六屆全國表面工程學(xué)術(shù)會議論文集[C];2006年

3 劉書田;許衛(wèi)凱;董炎章;;左手薄膜材料的設(shè)計優(yōu)化[A];第十五屆全國復(fù)合材料學(xué)術(shù)會議論文集（上冊）[C];2008年

4 蔡s，

本文編號：815204