本文關(guān)鍵詞：3ω法測(cè)量鈦酸鋇薄膜的熱導(dǎo)率

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【摘要】：電子設(shè)備小型化帶來的熱效應(yīng)問題,使得提高薄膜材料熱導(dǎo)率和降低薄膜與基底的界面熱阻成為提高薄膜器件可靠性的關(guān)鍵因素,因此測(cè)量薄膜器件熱性能成為了電子工業(yè)中愈發(fā)重要的課題。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇作為一種高介電常數(shù)材料,在電子工業(yè)中被廣泛使用。通過建立一套3ω法測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試了使用高分子輔助沉積法在SiO_2薄膜上沉積的鈦酸鋇薄膜樣品的熱導(dǎo)率,并通過不同厚度薄膜熱阻與熱導(dǎo)率的關(guān)系,計(jì)算出鈦酸鋇薄膜的熱導(dǎo)率為5.63 W/mK,鈦酸鋇與SiO_2的界面熱阻為2.13×10~(-8)m~2W/K。
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院;
【關(guān)鍵詞】： ω法 鈦酸鋇 熱導(dǎo)率 界面熱阻
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51372034) 廣東省創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)(201001D0104713329)
【分類號(hào)】：O484.4
【正文快照】： 1前言 鈦酸鋇(Barium Titanate)是一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的無機(jī)化合物,熔點(diǎn)為1618℃,擁有高介電常數(shù)和低介電損耗的優(yōu)良特性,是一種在電子陶瓷工業(yè)中被廣泛使用的材料。 其晶體結(jié)構(gòu)在不同溫度下表現(xiàn)出不同的形式。鈦酸鋇晶體的相變是由于鈦離子相對(duì)氧陰離子在晶格中位置的變化造成

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本文編號(hào)：529293