發(fā)布時間：2025-06-04 00:45

　　由于半導體工業(yè)的快速發(fā)展,透明導電氧化物（TCO）薄膜材料在太陽能電池、觸控面板、發(fā)光二極管以及窗口材料等領域的應用越來越廣泛,但是到目前為止,大多數工業(yè)領域的TCO材料還是以氧化銦錫（ITO）為主,由于銦屬于稀有金屬、儲量有限,因此隨著TCO材料需求的進一步擴大,研制新型TCO材料代替ITO薄膜的需求已經愈加急迫。氧化鋅（ZnO）作為一種新型的Ⅱ-Ⅵ族半導體材料具有優(yōu)良的光電、壓電和鐵電特性,并且通過摻雜可以進一步提高ZnO薄膜的光電性能,同時ZnO的原材料在自然界中儲量豐富、成本低廉,被認為是最具潛力代替ITO薄膜的TCO材料。到目前為止人們對ZnO基薄膜單元素摻雜進行了非常廣泛的研究,但是對于ZnO薄膜二元摻雜的研究還很有限。本文將以高密度鈦鎂共摻氧化鋅（TMZO）陶瓷靶為濺射源,通過射頻磁控濺射技術在石英玻璃襯底上制備高質量TMZO薄膜,所使用的TMZO陶瓷靶的質量分數比為96 wt%ZnO:2 wt%TiO₂:2wt%MgO。利用X射線衍射儀（XRD）、X射線能譜儀（XPS）、掃描電子顯微鏡（SEM）、紫外-可見光分光光度計和霍爾效應儀等測試儀器詳細研究了...

【文章頁數】：83 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.1KDJ-567型超高真空多功能復合鍍膜設備的實物圖

圖2.1KDJ-567型超高真空多功能復合鍍膜設備的實物圖及襯底處理三種ZnO基靶材，分別為純氧化鋅（ZnO）陶瓷靶和鈦鎂共摻氧化鋅（TMZO）陶瓷靶。靶材的純度m，其中ZnO陶瓷靶由純ZnO粉末燒結而成，YMgO粉末燒結而成，TMZO陶瓷靶由ZnO粉....

圖2.3X射線衍射原理圖

2.3X射線衍射原理圖O晶體為例，其（002）晶面衍射角θ=34.40，此時晶格常數（c）可由公式[38]（2.222222l43clahkhk+++=，,。由晶面間距可以計算薄膜內應變（ε）[39]100%00×=dddε，ε，可以由公式（....

圖2.4XPS的工作原理示意圖

圖2.4XPS的工作原理示意圖首先會從X射線源中發(fā)射出X射線照射被X射線激發(fā)，當射線的能量達到閾值時出電子進行收集、分析，對其特定的能量如X射線能量為E，在入射過程中E轉化動能（Ek），這三個能量滿足關系式：析器所收集，通過光譜分析可以得到樣品譜與譜峰....

圖2.6TU-1901型雙光束紫外-可見分光光度計的實物圖

圖2.6TU-1901型雙光束紫外-可見分光光度計的實物圖光度計測量得到的薄膜樣品吸收光譜或透射光譜可以用來研相互作用。對半導體薄膜而言，不同摻雜體系的TCO薄膜形貌，同時具有不同的光學禁帶寬度和紫外吸收邊，并且存，就是在單色光輻射照射到薄膜表面時，當其波長λ小于吸....

本文編號：4049063