伴隨電子工業(yè)的快速發(fā)展，集成電路的小型化是重要的發(fā)展趨勢，具有高介電常數(shù)的嵌入式電容器是其小型化的前提；高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料可以集合無機(jī)材料的高介電和有機(jī)高分子材料的易加工性，其研究制備具有重要的意義。本文采用溶膠-凝膠法制備了納米鈣銅鈦氧顆粒（a-CCTO），a-CCTO為非晶陶瓷，又相應(yīng)制備了晶體鈦酸銅鈣（CCTO），并制備了高介電的a-CCTO/PI和CCTO/PI復(fù)合薄膜，分析其介電機(jī)制。 本文以溶膠-凝膠法在300°C燒結(jié)制備了非晶體的納米顆粒a-CCTO，介電常數(shù)隨頻率急劇下降，在全頻率范圍內(nèi)介電常數(shù)遠(yuǎn)低于1050°C燒結(jié)的晶體CCTO的介電常數(shù)；通過原位聚合法制備了低濃度摻雜的a-CCTO/PI復(fù)合薄膜，復(fù)合薄膜顯示良好的分散性并且低濃度摻雜能保持PI薄膜的加工性能；在3vol%時，復(fù)合薄膜的介電常數(shù)為4.4，高于10vol%的CCTO/PI復(fù)合薄膜介電常數(shù)3.8，相比于純PI介電常數(shù)3.4，在此濃度摻雜下介電常數(shù)提高很明顯。 a-CCTO/PI復(fù)合薄膜的介電常數(shù)高于CCTO/PI復(fù)合薄膜表明了a-CCTO/PI復(fù)合薄膜的介電性能不來源于a-CCTO。通... 

【文章頁數(shù)】：48 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景
    1.2 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料概述
        1.2.1 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料的制造工藝
        1.2.2 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料的常用無機(jī)增強(qiáng)相
        1.2.3 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料的應(yīng)用前景
        1.2.4 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料存在的問題
    1.3 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料介電機(jī)理探究
        1.3.1 高介電材料的參數(shù)表征
        1.3.2 高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料的數(shù)學(xué)模型
        1.3.3 納米顆粒在高介電無機(jī)/聚合物復(fù)合材料中的作用
        1.3.4 納米顆粒/聚合物復(fù)合材料的界面結(jié)構(gòu)模型
    1.4 課題研究的目的和意義
    1.5 課題內(nèi)容
第2章 納米鈣銅鈦氧顆粒/聚酰亞胺復(fù)合薄膜制備
    2.1 納米鈣銅鈦氧顆粒及晶體鈦酸銅鈣制備
        2.1.1 常用制備方法
        2.1.2 主要原料及儀器設(shè)備
        2.1.3 陶瓷制備過程
    2.2 聚酰亞胺復(fù)合薄膜制備
        2.2.1 常用制備方法
        2.2.2 主要原料及儀器設(shè)備
        2.2.3 PI 復(fù)合薄膜制備過程
    2.3 本章小結(jié)
第3章 a-CCTO/PI 復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)表征
    3.1 X 射線衍射分析
        3.1.1 CCTO 陶瓷粉體物相分析
        3.1.2 a-CCTO 陶瓷粉體物相分析
        3.1.3 a-CCTO/PI 和 CCTO/PI 復(fù)合薄膜物相分析
    3.2 掃描電子顯微鏡觀測
    3.3 本章小結(jié)
第4章 a-CCTO/PI 復(fù)合薄膜介電性能研究
    4.1 a-CCTO 和 CCTO 陶瓷的介電性能
    4.2 a-CCTO/PI 和 CCTO/PI 復(fù)合薄膜介電性能
        4.2.1 a-CCTO/PI 和 CCTO/PI 復(fù)合薄膜介電性能頻率譜
        4.2.2 a-CCTO/PI 和 CCTO/PI 復(fù)合薄膜介電性能溫度譜
    4.3 a-CCTO/PI 復(fù)合薄膜高介電機(jī)理分析
        4.3.1 計算界面活化能
        4.3.2 計算界面面積
    4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及申請的專利
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]高介電常數(shù)、低介電損耗的聚合物基復(fù)合材料[J]. 盧鵬薦,王一龍,孫志剛,官建國.  化學(xué)進(jìn)展. 2010(08)
[3]聚合物基納米復(fù)合材料的制備及研究進(jìn)展[J]. 季光明.  玻璃鋼. 2006(03)
[4]聚合物基納米復(fù)合材料的制備及研究進(jìn)展[J]. 季光明.  玻璃鋼. 2006 (03)
[5]滲流理論在復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料研究中的應(yīng)用[J]. 楊建高,劉成岑,施凱.  化工中間體. 2006(02)
[6]高耐熱、低介電常數(shù)含氟聚酰亞胺材料的合成與性能研究[J]. 劉金剛,尚玉明,范琳,楊士勇.  高分子學(xué)報. 2003(04)
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碩士論文
[1]低損耗介質(zhì)摻雜的CaCu3Ti4O12介電性能研究[D]. 向雄.華中科技大學(xué) 2007
[2]聚酰亞胺/無機(jī)納米復(fù)合材料的制備及表征[D]. 段春燕.天津大學(xué) 2005



本文編號：3730092