在高溫薄膜式熱流傳感器結(jié)構(gòu)中,熱阻層臺(tái)階的高度是影響熱流傳感器輸出的重要因素。在熱阻層的制備工藝中,需要精準(zhǔn)控制臺(tái)階的高度和整體薄膜的厚度。目前常用的制備方法為濺射-濕法腐蝕和濺射-濕法腐蝕-濺射兩種方法。選用電絕緣性高、硬度高、熱導(dǎo)率低的SiO2作為熱阻層材料,分析了限制熱阻層臺(tái)階高度的因素,確定了高臺(tái)階的高度低于6μm,低臺(tái)階的高度高于500 nm。研究了兩種熱阻層臺(tái)階的制備方法的適用條件,分析了兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn),發(fā)現(xiàn)濺射-濕法腐蝕僅適用于基底粗糙度較低的薄膜,濺射-濕法腐蝕-濺射的方法不受粗糙度的限制,但需加寬掩膜板以防止側(cè)蝕損壞薄膜。 

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【文章目錄】：
0 引言
1 薄膜的制備及臺(tái)階厚度的確定
    1.1 薄膜的制備工藝
    1.2 薄膜厚度的確定
2 Si O2臺(tái)階的刻蝕
    2.1 單次濺射
    2.2 二次濺射
3 結(jié)束語(yǔ)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]薄膜高溫?zé)崃鳒y(cè)量技術(shù)研究[J]. 肖友文,謝貴久,何峰,張建國(guó),袁云華,宋祖殷.  微處理機(jī). 2012(05)
[2]射頻磁控濺射二氧化硅薄膜的工藝探討[J]. 葉光,林志賢,郭太良.  龍巖師專學(xué)報(bào). 2002(06)

碩士論文
[1]MEMS高溫?zé)崃鱾鞲衅鞯闹苽涔に囇芯縖D]. 王金鵬.大連理工大學(xué) 2019



本文編號(hào)：3694952