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反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物薄膜的制備與物性研究

發(fā)布時間:2022-09-29 19:44
  近年來,反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物吸引著越來越多的人關(guān)注。反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)是相對于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)而言的,在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物ABO3(A為稀土金屬或堿金屬,B為過渡金屬,O為氧原子)中,A原子占據(jù)在立方晶格結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)位置,B原子和O原子分別占據(jù)在立方晶格的體心位置和面心位置;而在反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物M3AN(M為Cu,Mn,Fe,Co,Ni,Ti過渡金屬、A為過渡金屬,N為氮原子)中,A原子占據(jù)在立方晶格頂點(diǎn)位置,N原子和M原子分別占據(jù)在立方晶格的體心位置和面心位置。在反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料體系中,錳基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料由于存在著晶格、電荷、自旋和軌道多自由度之間的關(guān)聯(lián)作用,從而表現(xiàn)出豐富的物理性質(zhì),如負(fù)熱膨脹效應(yīng),寬溫域近零電阻率溫度系數(shù),自旋玻璃行為等。本篇論文的研究對象是金屬摻雜氮化銅和ε-氮化錳基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物。在不斷探索最佳工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上,我們采用磁控濺射法成功制備了反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物薄膜,并對薄膜材料的結(jié)構(gòu)、電學(xué)、磁學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。第一部分我們研究了金屬摻雜氮化銅Cu3NMx反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物薄膜材料。利用... 

【文章頁數(shù)】:114 頁

【學(xué)位級別】:博士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 氮化銅化合物及其衍生材料
        1.1.1 氮化銅薄膜材料研究進(jìn)展
        1.1.2 金屬摻雜氮化銅薄膜材料研究進(jìn)展
    1.2 錳基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物及其衍生材料
        1.2.1 錳基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物塊材料研究進(jìn)展
        1.2.2 錳基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物薄膜材料研究進(jìn)展
第二章 實(shí)驗(yàn)原理與實(shí)驗(yàn)儀器
    2.1 反鈣鈦礦薄膜的制備
    2.2 反鈣鈦礦薄膜的表征與物性測量
第三章 銅基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物薄膜的制備與物性研究
    3.1 引言
    3.2 金屬摻雜Cu_3NMg_x反鈣鈦礦薄膜的制備與電輸運(yùn)特性研究
        3.2.1 樣品制備
        3.2.2 晶格結(jié)構(gòu)
        3.2.3 半導(dǎo)體電輸運(yùn)行為及機(jī)理
        3.2.4 組分調(diào)制的光學(xué)帶隙
        3.2.5 本節(jié)總結(jié)
    3.3 金屬摻雜Cu_3NTa_x薄膜的制備與電輸運(yùn)特性研究
        3.3.1 樣品制備
        3.3.2 晶格結(jié)構(gòu)、表面形貌及化學(xué)價態(tài)分析
        3.3.3 電輸運(yùn)行為及光學(xué)帶隙
        3.3.4 本節(jié)總結(jié)
第四章 錳基反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)化合物薄膜的制備與物性研究
    4.1 引言
    4.2 Mn_3Mn_(1-x)Pd_xN反鈣鈦礦薄膜的金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變和正磁阻效應(yīng)
        4.2.1 樣品制備
        4.2.2 晶格結(jié)構(gòu)
        4.2.3 組分調(diào)制的金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變以及正磁阻效應(yīng)
        4.2.4 本節(jié)總結(jié)
    4.3 Mn_3Mn_(1-x)Au_xN反鈣鈦礦薄膜的低溫區(qū)恒電阻特性
        4.3.1 樣品制備與晶格結(jié)構(gòu)
        4.3.2 低溫區(qū)寬溫域恒電阻行為
        4.3.3 本節(jié)總結(jié)
    4.4 Mn_3Mn_(1-x)Ni_xN反鈣鈦礦薄膜的金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變和磁電耦合效應(yīng)
        4.4.1 樣品制備
        4.4.2 晶格結(jié)構(gòu)
        4.4.3 金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變行為與磁電耦合效應(yīng)
        4.4.4 本節(jié)總結(jié)
    4.5 富銅Mn_3CuN_y反鈣鈦礦薄膜的高溫區(qū)恒電阻特性與磁電耦合效應(yīng)
        4.5.1 樣品制備
        4.5.2 晶格結(jié)構(gòu)與表面形貌
        4.5.3 高溫區(qū)寬溫域恒電阻行為及磁電耦合效應(yīng)
        4.5.4 本節(jié)總結(jié)
第五章 總結(jié)和展望
    5.1 全篇總結(jié)
    5.2 未來工作展望
參考文獻(xiàn)
攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文和獲獎情況
致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Mn-based antiperovskite functional materials: Review of research[J]. 童鵬,王鉑森,孫玉平.  Chinese Physics B. 2013(06)
[2]Structure, Optical Property and Thermal Stability of Copper Nitride Films Prepared by Reactive Radio Frequency Magnetron Sputtering[J]. Jianrong Xiao1), Yanwei Li2) and Aihua Jiang1) 1) College of Science, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China 2) College of Chemistry and Bioengineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China.  Journal of Materials Science & Technology. 2011(05)



本文編號:3683196

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