采用電子束蒸發(fā)鍍膜方法在K9玻璃基底上分別鍍制了ITO/SiO2/ITO,ITO/Ti2O3/ITO和ITO/MgF2/ITO結(jié)構(gòu)的多層薄膜,用四探針方塊電阻儀測量薄膜表面的方塊電阻,用原子力顯微鏡觀測樣品的表面微觀形貌。結(jié)果顯示,當ITO薄膜的粗糙度較大且介質(zhì)薄膜的物理厚度小于100nm時,各層ITO薄膜之間通過山峰狀的凸起結(jié)構(gòu)相連通,導致樣片表面的方塊電阻測量值與各層ITO薄膜電阻的并聯(lián)值相當。這表明,當ITO薄膜的粗糙度較大且介質(zhì)薄膜厚度較小時,各層ITO薄膜表現(xiàn)出電阻并聯(lián)效應(yīng)。利用多層ITO薄膜的電阻并聯(lián)效應(yīng)設(shè)計并制備了450～1 200nm超寬光譜透明導電薄膜,用四探針方塊電阻儀測量了試驗樣片的表面方塊電阻,用紫外-可見-近紅外分光光度計測試了樣片的光譜透射率。結(jié)果顯示,在相同表面方塊電阻條件下,相比于單層ITO薄膜,利用ITO薄膜電阻并聯(lián)效應(yīng)所制備的多層透明導電薄膜具有更高的光譜透射率。 

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 實驗結(jié)果
    2.2 分析與驗證
3 應(yīng)用舉例
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]In2O3透明薄膜晶體管的制備及其電學性能的研究[J]. 徐天寧,吳惠楨,張瑩瑩,王雄,朱夏明,原子健.  物理學報. 2010(07)
[2]In2O3/SnO2薄膜的制備及光譜反射性能研究[J]. 田啟祥,劉勝超.  物理學報. 2010(01)
[3]離子輔助反應(yīng)蒸發(fā)技術(shù)室溫制備ITO薄膜[J]. 喻志農(nóng),相龍鋒,薛唯,王華清,盧維強.  北京理工大學學報. 2007(10)
[4]有ITO透明導電膜的平面分層介質(zhì)系統(tǒng)的電磁波性能理論研究[J]. 張維佳,王天民,崔敏,戎靄倫.  物理學報. 2006(03)



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