隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,各電子系統(tǒng)中的元器件均朝著“小、輕、薄、精”的方向不斷提高,信息頻率也隨著升高。適合材料工作的最高頻率為共振頻率,高于共振頻率時,材料的磁損耗會急速加大,將不適合實際的應(yīng)用。因此提高材料的共振頻率成為近年來研究的熱門的話題。本文研究的Fe Ga薄膜具有良好的軟磁性能,其飽和磁致伸縮系數(shù)較大,矯頑力小,飽和磁場低,是很好的制造高頻器件的磁功能材料。文中利用脈沖激光沉積的方法分別在Si（100）、PMN-PT襯底上沉積Fe Ga薄膜,利用XRD、AFM、VSM、SEM等手段對薄膜進(jìn)行表征。研究內(nèi)容主要分為以下幾個部分:1.傾斜PLD沉積的Fe Ga薄膜具有面內(nèi)單軸各向異性,隨著沉積角度（39°、45°、51°）的增加,薄膜面內(nèi)單軸磁各向異性場（IPUMA）不斷變大,Fe Ga薄膜的易軸矯頑力從126.15 Oe增加到154.71 Oe,而難軸矯頑力變化不明顯。2.利用傾斜PLD沉積在不同取向PMN-PT襯底上制備具有面內(nèi)單軸各向異性的Fe Ga薄膜,通過施加電壓,進(jìn)一步增強(qiáng)了Fe Ga薄膜的磁各向異性。在（110）取向PMN-PT襯底上,傾斜角度為51°和外加電壓從... 

【文章來源】：上海師范大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

薄膜樣品的典型磁譜曲線

下面將對脈沖激光沉積和儀器設(shè)備與原理做個簡單的介紹。3.1 脈沖激光沉積的原理圖3-1 脈沖激光沉積系統(tǒng)的示意圖脈沖激光沉積系統(tǒng)（pulsed laser deposition system），簡稱PLD。PLD是將脈沖激光器所產(chǎn)生的高功率脈沖激光束聚焦作用于靶體材料表面,使靶體材料表面產(chǎn)生高溫及熔蝕,進(jìn)一步產(chǎn)生高溫高壓等離子體(T≥104K),這種等離子體定向局域膨脹發(fā)射并在襯底上沉積而形成薄膜。一般認(rèn)為其可以分為三個過程[40]。(1)激光表面熔蝕以及等離子體產(chǎn)生高強(qiáng)度脈沖激光照射靶材時，靶材吸收激光束能量并使束斑處的靶材溫度迅速上升至蒸發(fā)溫度以上而產(chǎn)生高溫及熔蝕，使靶材汽化蒸發(fā)。瞬時蒸發(fā)汽化的氣

3.2.2 掃描電子顯微鏡掃描電子顯微技術(shù)(Scanning Electron Microscopy, SEM)是目前最常用，也是最直接的樣品表面分析方法之一。掃描電子顯微鏡原理如圖3-2所示。圖 3-2 掃描電子顯微鏡示意圖電子槍產(chǎn)生的電子束經(jīng)約束透鏡加速后，通過磁透鏡聚焦在樣品表面，高能電子轟擊樣品表面時與表面原子相互作用，產(chǎn)生二次電子、俄歇電子、背散射電子等信號。如圖3-2所示[41]，通過不同的探測器接收這些信號，就能得到樣品的

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]X射線光電子能譜[J]. 郭沁林.  物理. 2007(05)
[2]掃描電子顯微鏡與原子力顯微鏡技術(shù)之比較[J]. 陳耀文,林月娟,張海丹,沈智威,沈忠英.  中國體視學(xué)與圖像分析. 2006(01)



本文編號：3630411