采用雙磁過濾陰極真空弧和磁控濺射沉積法,在Cu基體表面上制備了以鈦（Ti）和鈦化碳（TiC）過渡層材料的Cu摻雜非晶類金剛石（DLC）薄膜。自行設(shè)計(jì)制作了薄膜材料場(chǎng)致發(fā)射特性測(cè)試裝置,探討了Cu摻雜影響DLC薄膜場(chǎng)致發(fā)射特性的機(jī)理。運(yùn)用掃描電子顯微鏡（SEM）和拉曼光譜分析了銅摻雜DLC薄膜的微觀結(jié)構(gòu)組成和表面形貌的變化。研究發(fā)現(xiàn),相對(duì)于未摻雜的DLC膜,摻Cu DLC膜具有更好的場(chǎng)致發(fā)射特性,開啟電壓從45降為40 V/μm。SEM分析顯示適當(dāng)?shù)腃u摻雜可使薄膜表面具有更加精細(xì)的亞微米級(jí)突起結(jié)構(gòu),突起之間連接更加緊密。Raman分析結(jié)果顯示:適當(dāng)?shù)腃u摻雜可以使薄膜中的sp²雜化鍵含量和薄膜的導(dǎo)電性提高,場(chǎng)致發(fā)射特性更好;過度摻雜Cu則會(huì)使薄膜表面含有過多Cu而致場(chǎng)致發(fā)射特性下降。

【文章來源】： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,40(12)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果和討論
    2.1 DLC場(chǎng)致發(fā)射特性測(cè)試
    2.2 薄膜厚度及表面形貌分析
    2.3 Raman光譜分析
3 結(jié)論與展望


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]磁過濾陰極弧等離子體非晶金剛石納米尖點(diǎn)陣列制備及性能研究[D]. 李曉春.蘭州大學(xué) 2007

碩士論文
[1]Cu離子注入微米金剛石膜的場(chǎng)發(fā)射性能研究[D]. 祁婷.太原理工大學(xué) 2017
[2]Ag離子注入自支撐金剛石膜微結(jié)構(gòu)及場(chǎng)發(fā)射性能研究[D]. 喬瑜.太原理工大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3479365