采用雙磁過濾陰極真空弧和磁控濺射沉積法,在Cu基體表面上制備了以鈦（Ti）和鈦化碳（TiC）過渡層材料的Cu摻雜非晶類金剛石（DLC）薄膜。自行設計制作了薄膜材料場致發(fā)射特性測試裝置,探討了Cu摻雜影響DLC薄膜場致發(fā)射特性的機理。運用掃描電子顯微鏡（SEM）和拉曼光譜分析了銅摻雜DLC薄膜的微觀結構組成和表面形貌的變化。研究發(fā)現(xiàn),相對于未摻雜的DLC膜,摻Cu DLC膜具有更好的場致發(fā)射特性,開啟電壓從45降為40 V/μm。SEM分析顯示適當?shù)腃u摻雜可使薄膜表面具有更加精細的亞微米級突起結構,突起之間連接更加緊密。Raman分析結果顯示:適當?shù)腃u摻雜可以使薄膜中的sp²雜化鍵含量和薄膜的導電性提高,場致發(fā)射特性更好;過度摻雜Cu則會使薄膜表面含有過多Cu而致場致發(fā)射特性下降。

【文章來源】： 真空科學與技術學報. 2020,40(12)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗
2 結果和討論
    2.1 DLC場致發(fā)射特性測試
    2.2 薄膜厚度及表面形貌分析
    2.3 Raman光譜分析
3 結論與展望


【參考文獻】：
期刊論文
[1]摻Ag含量對金剛石薄膜場發(fā)射性能的影響 [J]. 麻根旺,于盛旺,黑鴻君,賈志軒,吳艷霞,申艷艷.  中國表面工程. 2019(02)
[2]場致發(fā)射電子源的應用及其研究進展 [J]. 李建,童洪輝,但敏,金凡亞,王坤,陳倫江.  真空. 2019(03)
[3]負氫離子源負氫離子表面轉化材料發(fā)展現(xiàn)狀分析 [J]. 李建,童洪輝,但敏,金凡亞,王坤.  真空科學與技術學報. 2018(11)
[4]場發(fā)射陰極及其應用的回顧與展望 [J]. 李興輝,白國棟,李含雁,丁明清,馮進軍,廖復疆.  真空電子技術. 2015(02)
[5]316不銹鋼表面沉積厚類金剛石膜層的性能研究 [J]. 楊發(fā)展,沈麗如,高翚,劉海峰,王世慶.  功能材料. 2012(15)
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博士論文
[1]磁過濾陰極弧等離子體非晶金剛石納米尖點陣列制備及性能研究[D]. 李曉春.蘭州大學 2007

碩士論文
[1]Cu離子注入微米金剛石膜的場發(fā)射性能研究[D]. 祁婷.太原理工大學 2017
[2]Ag離子注入自支撐金剛石膜微結構及場發(fā)射性能研究[D]. 喬瑜.太原理工大學 2016



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