等離子體射流薄膜沉積對(duì)微放電抑制的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-11-03 09:53
高壓直流GIL/GIS設(shè)備生產(chǎn)、組裝及運(yùn)行過程中產(chǎn)生的金屬微粒在較高的電場(chǎng)應(yīng)力作用下易荷電并發(fā)生啟舉運(yùn)動(dòng),并且金屬微粒在電極間運(yùn)動(dòng)的過程中極易誘發(fā)局部微放電甚至造成絕緣介質(zhì)擊穿,嚴(yán)重影響GIL/GIS設(shè)備的安全穩(wěn)定運(yùn)行。在金屬微粒的治理方法中,電極表面覆膜法由于具有簡(jiǎn)便、有效的優(yōu)勢(shì)而愈發(fā)受到關(guān)注,其中PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)法能夠在材料表面快速制備高質(zhì)量的功能性薄膜,因此本文嘗試使用等離子體射流在Cu電極表面沉積TiO2-SiO2復(fù)合薄膜并探究其對(duì)金屬微粒啟舉和微放電的抑制作用。本文首先通過等離子體射流在Cu和PMMA表面沉積SiO2薄膜對(duì)薄膜沉積過程進(jìn)行了探究,實(shí)驗(yàn)通過改變O2和N2的流量對(duì)放電強(qiáng)度和薄膜特性進(jìn)行調(diào)節(jié),并根據(jù)不同參數(shù)下的測(cè)量結(jié)果分析了影響薄膜沉積的主要因素,為功能性薄膜的制備提供了實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。隨后,在Cu表面快速沉積了與基底結(jié)合緊密的TiO2-SiO2復(fù)合薄膜,并分別通過金屬微粒啟舉測(cè)試系統(tǒng)和COMSOL...
【文章來源】:鄭州大學(xué)河南省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
等離子體射流在各領(lǐng)域的應(yīng)用
料的改性方法主要有:化學(xué)鍍、電鍍等[27],針對(duì)絕緣材料的改性方法主要離子體處理等[28]。等離子體對(duì)材料表體系中包含數(shù)量巨大的高能活性粒子基,能夠打開大部分材料表面的化學(xué)反應(yīng),并生成新的具有特殊性質(zhì)的基理引入 OH、-COOH 等親水性基團(tuán),時(shí),在對(duì)材料表面進(jìn)行改性處理的過表面的轟擊作用能夠顯著改變材料表的轉(zhuǎn)變[29]。與其他材料表面處理方法便、產(chǎn)生有害物較少以及處理效率高的過程中由于對(duì)材料處理厚度較小,可實(shí)現(xiàn)材料表面性質(zhì)的轉(zhuǎn)變。另外,免對(duì)部分不耐高溫材料的損傷,為材
DBD薄膜沉積原理
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]SF6/N2混合氣體中金屬微粒對(duì)GIL盆式絕緣子表面電荷積聚特性的影響[J]. 王涵,薛建議,陳俊鴻,鄧軍波,萬保權(quán),張冠軍. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(20)
[2]銅微粒對(duì)環(huán)氧樹脂直流沿面閃絡(luò)特性的影響[J]. 邵千秋,孫魄韜,司馬文霞,許航,楊鳴,劉春香. 高電壓技術(shù). 2018(05)
[3]等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)制備銅薄膜[J]. 樊啟鵬,胡玉蓮,桑利軍,王卉,劉忠偉. 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(04)
[4]大氣壓等離子體射流Cu表面改性抑制微放電[J]. 崔超超,章程,任成燕,高遠(yuǎn),陳根永,邵濤. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2018(05)
[5]大氣壓低溫等離子體的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)[J]. 戴棟,寧文軍,邵濤. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(20)
[6]直流GIL中線形金屬微粒運(yùn)動(dòng)與放電特性研究綜述[J]. 由志勛,劉靜. 高壓電器. 2017(10)
[7]直流GIL不均勻場(chǎng)中金屬微粒運(yùn)動(dòng)的數(shù)值模擬及放電特性分析[J]. 律方成,劉宏宇,陰凱,李志兵,董蒙,曹東亮,謝慶. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(10)
[8]GIS中線形顆粒起舉電壓的影響因素[J]. 季洪鑫,李成榕,龐志開,馬國(guó)明,曾梓鵬. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(01)
[9]大氣壓彌散放電輔助Cu表面類SiO2薄膜沉積[J]. 李文耀,王瑞雪,章程,任成燕,李杰,邵濤. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2016(24)
[10]大氣壓交流滑動(dòng)弧的放電特性[J]. 何立明,陳一,劉興建,吳勇,劉鵬飛,張一漢. 高電壓技術(shù). 2016(06)
博士論文
[1]直流GIL金屬微粒的荷電運(yùn)動(dòng)機(jī)制與治理方法研究[D]. 王健.華北電力大學(xué)(北京) 2017
[2]大氣壓介質(zhì)阻擋放電冷等離子體合成納米晶TiO2的研究[D]. 聶龍輝.大連理工大學(xué) 2007
本文編號(hào):3473485
【文章來源】:鄭州大學(xué)河南省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:84 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
等離子體射流在各領(lǐng)域的應(yīng)用
料的改性方法主要有:化學(xué)鍍、電鍍等[27],針對(duì)絕緣材料的改性方法主要離子體處理等[28]。等離子體對(duì)材料表體系中包含數(shù)量巨大的高能活性粒子基,能夠打開大部分材料表面的化學(xué)反應(yīng),并生成新的具有特殊性質(zhì)的基理引入 OH、-COOH 等親水性基團(tuán),時(shí),在對(duì)材料表面進(jìn)行改性處理的過表面的轟擊作用能夠顯著改變材料表的轉(zhuǎn)變[29]。與其他材料表面處理方法便、產(chǎn)生有害物較少以及處理效率高的過程中由于對(duì)材料處理厚度較小,可實(shí)現(xiàn)材料表面性質(zhì)的轉(zhuǎn)變。另外,免對(duì)部分不耐高溫材料的損傷,為材
DBD薄膜沉積原理
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]SF6/N2混合氣體中金屬微粒對(duì)GIL盆式絕緣子表面電荷積聚特性的影響[J]. 王涵,薛建議,陳俊鴻,鄧軍波,萬保權(quán),張冠軍. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(20)
[2]銅微粒對(duì)環(huán)氧樹脂直流沿面閃絡(luò)特性的影響[J]. 邵千秋,孫魄韜,司馬文霞,許航,楊鳴,劉春香. 高電壓技術(shù). 2018(05)
[3]等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)制備銅薄膜[J]. 樊啟鵬,胡玉蓮,桑利軍,王卉,劉忠偉. 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(04)
[4]大氣壓等離子體射流Cu表面改性抑制微放電[J]. 崔超超,章程,任成燕,高遠(yuǎn),陳根永,邵濤. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2018(05)
[5]大氣壓低溫等離子體的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)[J]. 戴棟,寧文軍,邵濤. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(20)
[6]直流GIL中線形金屬微粒運(yùn)動(dòng)與放電特性研究綜述[J]. 由志勛,劉靜. 高壓電器. 2017(10)
[7]直流GIL不均勻場(chǎng)中金屬微粒運(yùn)動(dòng)的數(shù)值模擬及放電特性分析[J]. 律方成,劉宏宇,陰凱,李志兵,董蒙,曹東亮,謝慶. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(10)
[8]GIS中線形顆粒起舉電壓的影響因素[J]. 季洪鑫,李成榕,龐志開,馬國(guó)明,曾梓鵬. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2017(01)
[9]大氣壓彌散放電輔助Cu表面類SiO2薄膜沉積[J]. 李文耀,王瑞雪,章程,任成燕,李杰,邵濤. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2016(24)
[10]大氣壓交流滑動(dòng)弧的放電特性[J]. 何立明,陳一,劉興建,吳勇,劉鵬飛,張一漢. 高電壓技術(shù). 2016(06)
博士論文
[1]直流GIL金屬微粒的荷電運(yùn)動(dòng)機(jī)制與治理方法研究[D]. 王健.華北電力大學(xué)(北京) 2017
[2]大氣壓介質(zhì)阻擋放電冷等離子體合成納米晶TiO2的研究[D]. 聶龍輝.大連理工大學(xué) 2007
本文編號(hào):3473485
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