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低能氨離子/基團(tuán)擴(kuò)散對(duì)銦錫氧化物薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響規(guī)律

發(fā)布時(shí)間:2021-10-25 05:22
  有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化甲氨鉛碘類鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在制備及使用過(guò)程中,甲氨鉛碘層中的甲基銨離子易分解為甲基離子/基團(tuán)和氨離子/基團(tuán),其中氨離子/基團(tuán)可以擴(kuò)散進(jìn)入銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)透明電極層,并影響ITO的電學(xué)性質(zhì).本文通過(guò)低能氨離子束與ITO薄膜表面相互作用,研究低能氨離子/基團(tuán)在ITO薄膜表面擴(kuò)散過(guò)程,及其對(duì)ITO薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響規(guī)律.研究結(jié)果表明,低能氨離子/基團(tuán)在ITO薄膜表面擴(kuò)散過(guò)程中,主要與ITO晶格中的O元素結(jié)合形成In/Sn—O—N鍵. ITO不同晶面的O元素含量不同,低能氨離子/基團(tuán)能夠在無(wú)擇優(yōu)ITO薄膜表面的各個(gè)晶面進(jìn)行擴(kuò)散,因此將嚴(yán)重影響其電學(xué)性質(zhì),導(dǎo)致無(wú)擇優(yōu)ITO薄膜電阻率增加約6個(gè)數(shù)量級(jí).但(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜的主晶面為(100)晶面,最外層由In/Sn元素構(gòu)成,不含O元素.因此(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜能夠有效地抑制低能氨離子/基團(tuán)擴(kuò)散,并保持原始電學(xué)性質(zhì).最終,(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜有望成為理想的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化甲氨鉛碘類鈣鈦礦太陽(yáng)能電池用透明電極層材料. 

【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(23)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)


本文編號(hào):3456733

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