天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 管理論文 > 工程管理論文 >

低能氨離子/基團(tuán)擴(kuò)散對(duì)銦錫氧化物薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響規(guī)律

發(fā)布時(shí)間:2021-10-25 05:22
  有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化甲氨鉛碘類鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在制備及使用過(guò)程中,甲氨鉛碘層中的甲基銨離子易分解為甲基離子/基團(tuán)和氨離子/基團(tuán),其中氨離子/基團(tuán)可以擴(kuò)散進(jìn)入銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)透明電極層,并影響ITO的電學(xué)性質(zhì).本文通過(guò)低能氨離子束與ITO薄膜表面相互作用,研究低能氨離子/基團(tuán)在ITO薄膜表面擴(kuò)散過(guò)程,及其對(duì)ITO薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響規(guī)律.研究結(jié)果表明,低能氨離子/基團(tuán)在ITO薄膜表面擴(kuò)散過(guò)程中,主要與ITO晶格中的O元素結(jié)合形成In/Sn—O—N鍵. ITO不同晶面的O元素含量不同,低能氨離子/基團(tuán)能夠在無(wú)擇優(yōu)ITO薄膜表面的各個(gè)晶面進(jìn)行擴(kuò)散,因此將嚴(yán)重影響其電學(xué)性質(zhì),導(dǎo)致無(wú)擇優(yōu)ITO薄膜電阻率增加約6個(gè)數(shù)量級(jí).但(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜的主晶面為(100)晶面,最外層由In/Sn元素構(gòu)成,不含O元素.因此(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜能夠有效地抑制低能氨離子/基團(tuán)擴(kuò)散,并保持原始電學(xué)性質(zhì).最終,(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜有望成為理想的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化甲氨鉛碘類鈣鈦礦太陽(yáng)能電池用透明電極層材料. 

【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(23)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)


本文編號(hào):3456733

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/guanlilunwen/gongchengguanli/3456733.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶66a62***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com