含氮Mn(Ⅱ)配合物的合成及成膜性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-30 19:49
錳基薄膜材料因其具備穩(wěn)定性、巨磁性、電容可逆性等,而被廣泛應(yīng)用于鋰離子電池、超級(jí)電容器、磁阻器、微電子等領(lǐng)域。隨著科技不斷的發(fā)展,人們對(duì)薄膜材料提出了更加苛刻的要求。在目前報(bào)道的薄膜沉積方式中,以化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)和原子層沉積(ALD)技術(shù)得到的薄膜性能最佳。由ALD/CVD技術(shù)原理可知,化學(xué)前驅(qū)體是CVD、ALD技術(shù)的基礎(chǔ)。前驅(qū)體結(jié)構(gòu)不同,其化學(xué)反應(yīng)活性及熱性能就會(huì)不同,這樣會(huì)導(dǎo)致成膜工藝出現(xiàn)很大差異,影響沉積速率,最終也會(huì)影響薄膜的性能。此外目前ALD/CVD錳前驅(qū)體還存在一些不足,包括數(shù)量稀少、結(jié)構(gòu)單一、相應(yīng)ALD過程沉積速率較低等。針對(duì)以上問題,本文從化學(xué)工作者角度出發(fā),設(shè)計(jì)合成出多種新型的Mn(Ⅱ)配合物,并通過沉積實(shí)驗(yàn)評(píng)價(jià)了所合成出的Mn(Ⅱ)配合物作為ALD/CVD前驅(qū)體的可行性。相應(yīng)研究結(jié)果為人們針對(duì)錳前驅(qū)體提供了更多的選擇,而且解決了目前報(bào)道的ALD工藝沉積速率較低的問題。具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)設(shè)計(jì)合成了高反應(yīng)活性的六種含氮乙基脒基Mn(Ⅱ)配合物,并對(duì)其進(jìn)行了熱化學(xué)性質(zhì)的研究。由于引入官能團(tuán)的不同,使得Mn(Ⅱ)配合物的熱化學(xué)性質(zhì)存在差異,表現(xiàn)出“構(gòu)效”效...
【文章來源】:江南大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:103 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
CVD的反應(yīng)過程
圖 1-2 原子層沉積主要步驟Figure 1-2 Key steps of atomic layer deposition 所示:以 AlMe3與 H2O 沉積 Al2O3薄膜為例,詳細(xì)介紹 A
CVD(紅色)和 ALD(紅色+藍(lán)色)前驅(qū)體所具備5 Summary of the most important characteristics for an and ALD (red+blue) precursor,由于 ALD 和 CVD 在沉積原理上存在差異,,以下先對(duì) CVD 前驅(qū)體該具備的性質(zhì)進(jìn)行簡(jiǎn)發(fā)性,在沉積薄膜過程中,前驅(qū)體可以在相對(duì)至基底表面;的沉積溫度,這樣沉積條件相對(duì)溫和,大大降降低設(shè)備耗能節(jié)約成本;存在和分解無污染;,合成簡(jiǎn)單廉價(jià)方便;具備的性質(zhì):的揮發(fā)性;的熱穩(wěn)定性,在沉積過程中不能發(fā)生熱分解;
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]納米二氧化錳對(duì)水中Cu2+和Cd2+的吸附特性[J]. 黃一帆,于志紅,廉菲,沈躍,宋正國(guó). 環(huán)境工程技術(shù)學(xué)報(bào). 2016(04)
[2]化學(xué)鍍工藝在電子工業(yè)中的應(yīng)用現(xiàn)狀[J]. 李家明,徐淑慶,梁銘忠. 電鍍與精飾. 2016(01)
[3]FA/O堿性清洗液對(duì)GLSI多層Cu布線粗糙度的優(yōu)化[J]. 鄧海文,檀柏梅,張燕,顧張冰. 電子元件與材料. 2015(10)
[4]集成電路用高純金屬材料及高性能濺射靶材制備研究進(jìn)展[J]. 何金江,賀昕,熊曉東,王興權(quán),廖贊. 新材料產(chǎn)業(yè). 2015(09)
[5]X射線衍射進(jìn)展簡(jiǎn)介[J]. 解其云,吳小山. 物理. 2012(11)
[6]物理氣相沉積技術(shù)的研究進(jìn)展與應(yīng)用[J]. 吳笛. 機(jī)械工程與自動(dòng)化. 2011(04)
[7]直流磁控反應(yīng)濺射法制備大面積AZO薄膜的實(shí)驗(yàn)研究[J]. 焦飛,廖成,韓俊峰,周震. 光譜學(xué)與光譜分析. 2009(03)
[8]X射線光電子能譜在配合物研究中的應(yīng)用及其研究進(jìn)展[J]. 袁歡欣,歐陽(yáng)健明. 光譜學(xué)與光譜分析. 2007(02)
[9]真空蒸發(fā)法制備SnS薄膜及其光電性能研究[J]. 邱永華,史偉民,魏光普,徐環(huán),林飛燕. 光電子·激光. 2006(07)
[10]掃描電子顯微鏡與原子力顯微鏡技術(shù)之比較[J]. 陳耀文,林月娟,張海丹,沈智威,沈忠英. 中國(guó)體視學(xué)與圖像分析. 2006(01)
本文編號(hào):3110049
【文章來源】:江南大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:103 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
CVD的反應(yīng)過程
圖 1-2 原子層沉積主要步驟Figure 1-2 Key steps of atomic layer deposition 所示:以 AlMe3與 H2O 沉積 Al2O3薄膜為例,詳細(xì)介紹 A
CVD(紅色)和 ALD(紅色+藍(lán)色)前驅(qū)體所具備5 Summary of the most important characteristics for an and ALD (red+blue) precursor,由于 ALD 和 CVD 在沉積原理上存在差異,,以下先對(duì) CVD 前驅(qū)體該具備的性質(zhì)進(jìn)行簡(jiǎn)發(fā)性,在沉積薄膜過程中,前驅(qū)體可以在相對(duì)至基底表面;的沉積溫度,這樣沉積條件相對(duì)溫和,大大降降低設(shè)備耗能節(jié)約成本;存在和分解無污染;,合成簡(jiǎn)單廉價(jià)方便;具備的性質(zhì):的揮發(fā)性;的熱穩(wěn)定性,在沉積過程中不能發(fā)生熱分解;
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]納米二氧化錳對(duì)水中Cu2+和Cd2+的吸附特性[J]. 黃一帆,于志紅,廉菲,沈躍,宋正國(guó). 環(huán)境工程技術(shù)學(xué)報(bào). 2016(04)
[2]化學(xué)鍍工藝在電子工業(yè)中的應(yīng)用現(xiàn)狀[J]. 李家明,徐淑慶,梁銘忠. 電鍍與精飾. 2016(01)
[3]FA/O堿性清洗液對(duì)GLSI多層Cu布線粗糙度的優(yōu)化[J]. 鄧海文,檀柏梅,張燕,顧張冰. 電子元件與材料. 2015(10)
[4]集成電路用高純金屬材料及高性能濺射靶材制備研究進(jìn)展[J]. 何金江,賀昕,熊曉東,王興權(quán),廖贊. 新材料產(chǎn)業(yè). 2015(09)
[5]X射線衍射進(jìn)展簡(jiǎn)介[J]. 解其云,吳小山. 物理. 2012(11)
[6]物理氣相沉積技術(shù)的研究進(jìn)展與應(yīng)用[J]. 吳笛. 機(jī)械工程與自動(dòng)化. 2011(04)
[7]直流磁控反應(yīng)濺射法制備大面積AZO薄膜的實(shí)驗(yàn)研究[J]. 焦飛,廖成,韓俊峰,周震. 光譜學(xué)與光譜分析. 2009(03)
[8]X射線光電子能譜在配合物研究中的應(yīng)用及其研究進(jìn)展[J]. 袁歡欣,歐陽(yáng)健明. 光譜學(xué)與光譜分析. 2007(02)
[9]真空蒸發(fā)法制備SnS薄膜及其光電性能研究[J]. 邱永華,史偉民,魏光普,徐環(huán),林飛燕. 光電子·激光. 2006(07)
[10]掃描電子顯微鏡與原子力顯微鏡技術(shù)之比較[J]. 陳耀文,林月娟,張海丹,沈智威,沈忠英. 中國(guó)體視學(xué)與圖像分析. 2006(01)
本文編號(hào):3110049
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