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中國半導(dǎo)體存儲行業(yè)的未來發(fā)展路線

發(fā)布時(shí)間:2018-05-01 16:33

  本文選題:集成電路 + 存儲器; 參考:《集成電路應(yīng)用》2017年02期


【摘要】:存儲器產(chǎn)業(yè)芯片國產(chǎn)化之路邁出的重要一步。芯片國產(chǎn)化是中國政府在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一。作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國家政策的扶持。近期從國家層面到地方層面,中國的政策發(fā)布及資本的投入也是持續(xù)不斷。
[Abstract]:The memory industry chip localization road takes an important step. The localization of chips is one of the practice fields of Chinese government in the field of information security autonomous and controllable policy. As the basic industry of information technology, semiconductor integrated circuits are continuously supported by national policies. From the national level to the local level recently, China's policy and capital investment is also continuing.
【作者單位】: 太原理工大學(xué);
【分類號】:F426.6;TP333

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

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2 封松林,宋志棠,劉波,劉衛(wèi)麗;硫系化合物隨機(jī)存儲器研究進(jìn)展[J];微納電子技術(shù);2004年04期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

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【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 蔣朝暉;李鋒;;中國半導(dǎo)體存儲行業(yè)的未來發(fā)展路線[J];集成電路應(yīng)用;2017年02期

2 李戈;徐鐵峰;戴世勛;張騰宇;張勤遠(yuǎn);焦清;;紅外Ga_2S_3 Sb_2S_3硫系玻璃的熱穩(wěn)定性及光學(xué)性能[J];硅酸鹽學(xué)報(bào);2016年06期

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4 王玉嬋;陳小剛;宋志棠;陳一峰;王月青;陳后鵬;饒峰;;基于相變存儲器器件單元的電流脈沖測試系統(tǒng)[J];半導(dǎo)體光電;2014年01期

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6 儲茂友;林陽;王星明;陳洋;白雪;韓滄;;摻雜Sn,Bi的Ge_2Sb_2Te_5相變存儲靶材制備和薄膜性能研究[J];稀有金屬;2013年01期

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8 李明;言智;宓一鳴;季鑫;;硅系相變材料的研究進(jìn)展[J];上海工程技術(shù)大學(xué)學(xué)報(bào);2012年03期

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10 林陽;王博;儲茂友;王星明;;相變存儲靶材的制備和鍍膜性能研究[J];熱加工工藝;2011年18期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

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【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 封松林,宋志棠,劉波,劉衛(wèi)麗;硫系化合物隨機(jī)存儲器研究進(jìn)展[J];微納電子技術(shù);2004年04期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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4 ;閃存存儲器[J];新電腦;2002年09期

5 紹瑩 ,趙敏;新型存儲器發(fā)展面面觀[J];電子產(chǎn)品世界;2003年17期

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9 劉珊珊;康錫娥;馬菲;;淺談存儲器測試[J];微處理機(jī);2008年01期

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2 談恩民;王彥婷;;通用SoC芯片中存儲器的一種整體測試方法[A];2007'儀表,,自動(dòng)化及先進(jìn)集成技術(shù)大會論文集(二)[C];2007年

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相關(guān)重要報(bào)紙文章 前10條

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7 湖北省枝江市第三高級中學(xué) 楊華;讓抽象概念生活化[N];中國電腦教育報(bào);2007年

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9 何小明;系統(tǒng)集成芯片三維封裝風(fēng)起云涌[N];中國電子報(bào);2000年

10 賽迪顧問半導(dǎo)體咨詢事業(yè)部;中國半導(dǎo)體存儲器市場增速趨緩[N];中國電子報(bào);2005年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 陳愷萌;基于相變存儲器的混合主存緩沖區(qū)管理問題研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2016年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 倪世明;銅、鋅氧化物基阻變存儲器制備及性能研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

2 郭巍巍;一種嵌入式Flash存儲器的內(nèi)建自測試電路的設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

3 伊同超;適用于納米級可編程邏輯器件的BRAM設(shè)計(jì)與研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

4 周慶;高速OTP存儲器設(shè)計(jì)技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2014年

5 張劍;OTP存儲器應(yīng)用開發(fā)技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2015年

6 王承成;32位PowerPC處理器存儲器管理單元的研究與驗(yàn)證[D];西安電子科技大學(xué);2015年

7 何亞t

本文編號:1830219


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