本文關(guān)鍵詞： 第三代半導(dǎo)體 商業(yè)模式創(chuàng)新 分立器件 半導(dǎo)體材料 功率模塊 標(biāo)準(zhǔn)制定 技術(shù)開(kāi)發(fā) 產(chǎn)業(yè)平臺(tái) 全產(chǎn)業(yè)鏈 產(chǎn)品生產(chǎn)線 　出處：《中國(guó)有色冶金》2017年01期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：正廈門(mén)芯光潤(rùn)澤科技有限公司第三代半導(dǎo)體SIC(碳化硅)功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工。芯光潤(rùn)澤公司成立于2016年3月,規(guī)劃總投資20億元,主要進(jìn)行第三代半導(dǎo)體碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)及制造,創(chuàng)新發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)平臺(tái)和示范基地,統(tǒng)籌技術(shù)開(kāi)發(fā)、工程化、標(biāo)準(zhǔn)制定、應(yīng)用示范等環(huán)節(jié),支持商業(yè)模式創(chuàng)新和市場(chǎng)拓展,形成硅基和碳化硅半導(dǎo)體材料的IGBT、MOSFET、FRD、SBD、JBS等大功率分立器件、大功率模塊系列
[Abstract]:The third generation semiconductor sic (silicon carbide) power module industrialization project was started in Xiamen Core Light Runze Technology Co., Ltd. The company was founded in March 2016 with a total investment of 2 billion yuan. Mainly for the third generation semiconductor silicon carbide power module design, R & D and manufacturing, innovation and development of silicon carbide industry platform and demonstration base, overall planning technology development, engineering, standards formulation, application demonstration and other links. Support business model innovation and market expansion to form silicon based and silicon carbide semiconductor materials IGBT MOSFETT FRDETT FRDDU JBS and other high-power discrete devices, high-power module series
【分類(lèi)號(hào)】：F426.63
【正文快照】： 廈門(mén)芯光潤(rùn)澤科技有限公司第三代半導(dǎo)體SIC(碳化硅)功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工。芯光潤(rùn)澤公司成立于2016年3月,規(guī)劃總投資20億元,主要進(jìn)行第三代半導(dǎo)體碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)及制造,創(chuàng)新發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)平臺(tái)和示范基地,統(tǒng)籌技術(shù)開(kāi)發(fā)、工程化、標(biāo)準(zhǔn)制定、應(yīng)用示范等環(huán)節(jié),支持

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本文編號(hào)：1444557