突變p53通過(guò)Egr-1/p300介導(dǎo)電離輻射激活Cathepsin L的機(jī)制
發(fā)布時(shí)間:2021-08-13 23:12
第一部分突變p53通過(guò)Egr-1/p300介導(dǎo)電離輻射誘導(dǎo)Cathepsin L表達(dá)目的:闡明p53基因突變對(duì)電離輻射誘導(dǎo)Cathepsin L的意義,研究Egr-1/p300與突變p53之間的關(guān)系,證實(shí)在電離輻射作用下Egr-1/p300是突變p53上調(diào)Cathepsin L的重要靶點(diǎn),闡明Cathepsin L是突變p53功能獲得的重要參與者。方法:Western blot檢測(cè)10 Gy電離輻射對(duì)不同p53狀態(tài)的腫瘤細(xì)胞的Cathepsin L、Egr-1、p300表達(dá)水平的影響;熒光素酶報(bào)告基因檢測(cè)法觀察電離輻射對(duì)Cathepsin L啟動(dòng)子p53結(jié)合區(qū)域的活性的影響;染色質(zhì)免疫沉淀法檢測(cè)不同狀態(tài)p53的腫瘤細(xì)胞中的p53、p300與Cathepsin L啟動(dòng)子在電離輻射后的結(jié)合情況;使用Egr-1或p300干擾RNA處理腫瘤細(xì)胞后進(jìn)行輻照并通過(guò)western blot檢測(cè)細(xì)胞中的Cathepsin L表達(dá)情況,以及通過(guò)熒光素酶報(bào)告基因檢測(cè)法觀察干擾RNA對(duì)Cathepsin L啟動(dòng)子p53結(jié)合區(qū)域的活性的影響,通過(guò)染色質(zhì)免疫沉淀法檢測(cè)干擾p300對(duì)突變p53與Cathepsin...
【文章來(lái)源】:蘇州大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:78 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
前言
材料與方法
第一部分 突變p53通過(guò)Egr-1/p300介導(dǎo)電離輻射誘導(dǎo)Cathepsin L表達(dá)
結(jié)果
1. X射線對(duì)不同p53基因背景的細(xì)胞株中Cathepsin L表達(dá)的影響
2. 轉(zhuǎn)錄因子Egr-1和轉(zhuǎn)錄輔助因子p300參與了電離輻射誘導(dǎo)的Cathepsin L轉(zhuǎn)錄激活
3. p300參與電離輻射對(duì)Cathepsin L轉(zhuǎn)錄激活的機(jī)制
4. 皮下移植瘤模型檢測(cè)突變p53在電離輻射作用下對(duì)Cathepsin L的調(diào)控作用
5. 結(jié)腸癌和乳腺癌臨床樣本中Cathepsin L,Egr-1和p300表達(dá)水平的關(guān)系
第二部分 突變p53細(xì)朐的Cathepsin L啟動(dòng)子甲基化狀態(tài)對(duì)電離福射誘導(dǎo)Cathepsin L轉(zhuǎn)錄激活的影響
結(jié)果
1. 電離輻射對(duì)不同p53基因背景的細(xì)胞株甲基化轉(zhuǎn)移酶蛋白水平的影響
2. MSP檢測(cè)電離輻射對(duì)Cathepsin L啟動(dòng)子甲基化水平的影響
3. BSP檢測(cè)電離輻射對(duì)Cathepsin L啟動(dòng)子甲基化水平的影響
結(jié)論
討論
參考文獻(xiàn)
綜述
Reference
英文縮略詞表
攻讀學(xué)位期間公開(kāi)發(fā)表的論文
攻讀博士學(xué)位期間獲獎(jiǎng)情況
致謝
本文編號(hào):3341304
【文章來(lái)源】:蘇州大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:78 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
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前言
材料與方法
第一部分 突變p53通過(guò)Egr-1/p300介導(dǎo)電離輻射誘導(dǎo)Cathepsin L表達(dá)
結(jié)果
1. X射線對(duì)不同p53基因背景的細(xì)胞株中Cathepsin L表達(dá)的影響
2. 轉(zhuǎn)錄因子Egr-1和轉(zhuǎn)錄輔助因子p300參與了電離輻射誘導(dǎo)的Cathepsin L轉(zhuǎn)錄激活
3. p300參與電離輻射對(duì)Cathepsin L轉(zhuǎn)錄激活的機(jī)制
4. 皮下移植瘤模型檢測(cè)突變p53在電離輻射作用下對(duì)Cathepsin L的調(diào)控作用
5. 結(jié)腸癌和乳腺癌臨床樣本中Cathepsin L,Egr-1和p300表達(dá)水平的關(guān)系
第二部分 突變p53細(xì)朐的Cathepsin L啟動(dòng)子甲基化狀態(tài)對(duì)電離福射誘導(dǎo)Cathepsin L轉(zhuǎn)錄激活的影響
結(jié)果
1. 電離輻射對(duì)不同p53基因背景的細(xì)胞株甲基化轉(zhuǎn)移酶蛋白水平的影響
2. MSP檢測(cè)電離輻射對(duì)Cathepsin L啟動(dòng)子甲基化水平的影響
3. BSP檢測(cè)電離輻射對(duì)Cathepsin L啟動(dòng)子甲基化水平的影響
結(jié)論
討論
參考文獻(xiàn)
綜述
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本文編號(hào):3341304
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