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納米二氧化硅誘導(dǎo)H9c2心肌細(xì)胞自噬與凋亡的相互作用

發(fā)布時間:2024-03-24 15:30
  【研究目的】通過檢測納米二氧化硅對心肌細(xì)胞的毒性,探究納米二氧化硅作用于大鼠H9c2心肌細(xì)胞所能誘導(dǎo)的自噬與凋亡以及相關(guān)機(jī)制,明確自噬和凋亡在納米二氧化硅致心肌細(xì)胞毒性過程中對細(xì)胞命運的影響及其相互作用,以進(jìn)一步明確納米二氧化硅的心臟毒性以應(yīng)用安全性的評估。【研究方法】選用大鼠H9c2心肌細(xì)胞為研究對象,將不染納米二氧化硅的正常培養(yǎng)的細(xì)胞組設(shè)為對照組,以制備好的不同濃度的納米二氧化硅懸浮液(12.5mg/mL、25mg/mL、50mg/mL、100mg/mL、150mg/mL、200mg/mL)作用于H9c2細(xì)胞后,采用CCK-8法檢測細(xì)胞不同濃度染毒后不同時點(6,12,24,28h)的細(xì)胞存活率,以確定最穩(wěn)定的染毒時間和染毒濃度。流式細(xì)胞術(shù)檢測細(xì)胞內(nèi)活性氧水平及細(xì)胞凋亡率,免疫熒光法定位并半定量檢測細(xì)胞內(nèi)自噬相關(guān)蛋白LC3的數(shù)量,Hoechst 33342染色通過對細(xì)胞凋亡的細(xì)胞核進(jìn)行標(biāo)記熒光來觀察細(xì)胞凋亡,Western Blot法檢測自噬及凋亡相關(guān)蛋白表達(dá)。同時設(shè)立自噬抑制劑3-MA+100mg/mL納米二氧化硅組與凋亡抑制劑Z-VAD-FMK+100mg/mL納米二氧化硅組,...

【文章頁數(shù)】:66 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
abstract
主要符號表
緒論
第一部分 納米二氧化硅對大鼠H9c2心肌細(xì)胞的一般毒性
    1.1 材料
        1.1.1 細(xì)胞株
        1.1.2 主要試劑
        1.1.3 主要儀器和設(shè)備
        1.1.4 主要試劑配制
    1.2 實驗方法
        1.2.1 細(xì)胞常規(guī)培養(yǎng)
        1.2.2 實驗分組
        1.2.3 透射電鏡與粒度及Zeta電位分析儀對納米二氧化硅進(jìn)行表征
        1.2.4 CCK-8 檢測H9c2 細(xì)胞存活率
        1.2.5 倒置生物顯微鏡觀察細(xì)胞形態(tài)學(xué)變化
        1.2.6 流式細(xì)胞術(shù)檢測細(xì)胞內(nèi)活性氧(ROS)水平
        1.2.7 免疫熒光法半定量LC3 蛋白表達(dá)
        1.2.8 流式細(xì)胞術(shù)檢測細(xì)胞凋亡率
        1.2.9 Hoechst33342 細(xì)胞凋亡染色
        1.2.10 蛋白免疫印跡法測定蛋白表達(dá)
        1.2.11 統(tǒng)計學(xué)分析
    1.3 結(jié)果
        1.3.1 納米二氧化硅的表征結(jié)果
        1.3.2 納米二氧化硅對H9c2 心肌細(xì)胞的一般毒性作用
        1.3.3 納米二氧化硅誘導(dǎo)后細(xì)胞的形態(tài)學(xué)變化
        1.3.4 納米二氧化硅誘導(dǎo)大鼠H9c2 心肌細(xì)胞后活性氧水平升高
        1.3.5 納米二氧化硅誘導(dǎo)大鼠H9c2 心肌細(xì)胞自噬
        1.3.6 納米二氧化硅誘導(dǎo)大鼠H9c2 心肌細(xì)胞凋亡
第二部分 納米二氧化硅誘導(dǎo)大鼠H9c2 心肌細(xì)胞自噬與凋亡的相互關(guān)系
    2.1 材料
        2.1.1 細(xì)胞株
        2.1.2 主要試劑
        2.1.3 主要儀器和設(shè)備
        2.1.4 溶液試劑的制備
    2.2 實驗方法
        2.2.1 細(xì)胞培養(yǎng)
        2.2.2 實驗分組
        2.2.3 流式細(xì)胞術(shù)檢測細(xì)胞凋亡率
        2.2.4 流式細(xì)胞術(shù)檢測細(xì)胞內(nèi)活性氧水平
        2.2.5 免疫熒光法半定量LC3 蛋白表達(dá)
        2.2.6 蛋白免疫印跡法測定蛋白表達(dá)
        2.2.7 統(tǒng)計學(xué)分析
    2.3 結(jié)果
        2.3.1 抑制劑對納米二氧化硅誘導(dǎo)的H9c2 細(xì)胞內(nèi)活性氧水平的影響
        2.3.2 抑制劑對納米二氧化硅誘導(dǎo)的H9c2 細(xì)胞中凋亡的影響
        2.3.3 抑制劑對納米二氧化硅誘導(dǎo)的H9c2 細(xì)胞中自噬的影響
討論
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間取得的研究成果
致謝



本文編號:3937662

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