蝸外電刺激誘發(fā)聽性腦干反應的實現(xiàn)及電極位置對參數(shù)的影響
本文關鍵詞:蝸外電刺激誘發(fā)聽性腦干反應的實現(xiàn)及電極位置對參數(shù)的影響
更多相關文章: 電刺激誘發(fā)聽性腦干反應 聾
【摘要】:目的:探索微創(chuàng)圓窗龕電刺激誘發(fā)聽性腦干反應(EABR)的可行性,并研究相關刺激和記錄參數(shù)。方法:取10只(20耳)健康清潔級Hartley豚鼠,經(jīng)鼓膜將刺激電極正極置于圓窗龕,刺激電極負極分別置于外耳道口的不同位置,分3組記錄EABR:A組正負極間電場平行于蝸軸體表投影,B組電場垂直于蝸軸指向乳突方向,C組電場垂直于蝸軸指向顴骨方向。應用系列減少偽跡的方法、合適的刺激和記錄參數(shù)來記錄EABR。結果:20耳聽力正常健康豚鼠,經(jīng)圓窗龕電刺激均可記錄到分化及重復良好的EABR波形。其中,A組電極位置較B、C組更易引出分化良好且穩(wěn)定的EABR波形。A、B、C組EABR閾值分別為(0.54±0.11)、(0.62±0.12)、(0.70±0.14)mA。刺激強度為0.8 mA時A、B、C組潛伏期分別為(1.71±0.05)、(1.77±0.03)、(1.86±0.04)ms,3組之間比較差異有統(tǒng)計學意義(P0.05)。結論:經(jīng)圓窗龕電刺激可成功記錄到EABR波形,當刺激電場平行于蝸軸方向時EABR波形分化良好且穩(wěn)定,可為臨床人工耳蝸植入術前EABR的測試提供參考。
【作者單位】: 北京友誼醫(yī)院耳鼻咽喉科;
【關鍵詞】: 電刺激誘發(fā)聽性腦干反應 聾
【分類號】:R764
【正文快照】: 電刺激誘發(fā)聽性腦干反應(electrically evokedauditory brainstem responses,EABR)是通過電刺激聽神經(jīng)末梢螺旋神經(jīng)節(jié),誘發(fā)聽覺傳導通路包括聽神經(jīng)及腦干等產(chǎn)生一系列電活動并在頭皮記錄到的電位變化〔1〕。EABR可從客觀上證明腦干水平聽覺神經(jīng)傳導通路的完整性及可興奮性,因
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