TMS線圈與EEG電極線相對位置對TMS-EEG信號的影響
發(fā)布時間:2017-09-24 15:28
本文關(guān)鍵詞:TMS線圈與EEG電極線相對位置對TMS-EEG信號的影響
更多相關(guān)文章: 經(jīng)顱磁刺激 皮層腦電 偽跡 電場分布 電極線
【摘要】:通過分析經(jīng)顱磁刺激線圈放電時的電場分布,探索磁刺激輸出脈沖對腦電采集帽產(chǎn)生的偽跡信號來源。我們通過建立八字線圈感應(yīng)電場分布的半無界空間數(shù)學(xué)模型,獲得八字線圈感應(yīng)電場的分布特性,分析磁刺激影響腦電采集回路的兩種影響因素,我們用matlab軟件仿真刺激線圈與腦電極線成不同角度、不同距離時產(chǎn)生的偽跡信號的變化趨勢,通過模型試驗和人體實驗驗證這種趨勢的準確性;結(jié)果顯示,腦電導(dǎo)線重合于線圈長軸,產(chǎn)生腦電偽跡最小,當線圈轉(zhuǎn)動其他角度或當線圈下移時偽跡會逐漸增大,最大偽跡幅值是最小偽跡幅值的約10倍。在TMS-EEG試驗中,偽跡信號的幅值、持續(xù)時間與線圈擺放位置、角度有關(guān)。通過實驗前合理排布腦電極線可降低偽跡信號幅值、持續(xù)時間等參數(shù),提高磁刺激下腦電信號特征信號提取的準確性。
【作者單位】: 中國醫(yī)學(xué)科學(xué)院北京協(xié)和醫(yī)學(xué)院生物醫(yī)學(xué)工程研究所;
【關(guān)鍵詞】: 經(jīng)顱磁刺激 皮層腦電 偽跡 電場分布 電極線
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項目(81127003) 科技部重大科學(xué)醫(yī)學(xué)專項資助項目(2012YQ12004605)
【分類號】:R741.044;TN911.7
【正文快照】: 認知研究[2]、臨床神經(jīng)科學(xué)研究[3]和神經(jīng)精神疾病1引言的治療[4]之中。將TMS和頭皮腦電(electroenceph-經(jīng)顱磁刺激(transcranial magnetic stimulation,alography,EEG)結(jié)合起來可作為研究大腦皮層功能TMS)技術(shù)是現(xiàn)代腦科學(xué)研究的一種技術(shù)手段,具有和皮層連接的有效手段[5]。1,
本文編號:912177
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