作為一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的納米材料,納米二氧化硅具有易于合成和進(jìn)行表面修飾的特點(diǎn),不僅被廣泛地用于工業(yè)領(lǐng)域,還被用于診斷、造影和載藥等生物醫(yī)藥領(lǐng)域。研究顯示,納米二氧化硅可以誘導(dǎo)一些正常細(xì)胞凋亡,從而表現(xiàn)出一定程度的細(xì)胞毒性。但是,到目前為止,有關(guān)納米二氧化硅抗腫瘤活性研究還較少。 為了研究納米二氧化硅(SNP)的抗腫瘤活性,本文選用了粒徑為7 nm、20 nm和50nm的三種SNP顆粒,以人正常肝細(xì)胞L-02作為對(duì)照,考察SNP對(duì)人肝癌細(xì)胞HepG2的細(xì)胞毒性。研究結(jié)果表明,SNP的抗腫瘤活性與其粒徑有直接聯(lián)系,具有濃度效應(yīng)和時(shí)間效應(yīng),20nm的粒子對(duì)肝癌細(xì)胞活性的抑制作用最強(qiáng),7nm的次之,50nm的最弱。當(dāng)20nm的SNP濃度為160μg/ml時(shí),可使HepG2的細(xì)胞活性在72h后降為18.5%。但是,SNP對(duì)L-02細(xì)胞活性的影響較小,只有當(dāng)20nm和7nm的兩種粒子濃度分別達(dá)到320和640μg/ml時(shí),細(xì)胞活性才分別下降到81%和73%。與L-02細(xì)胞相比,20nm的SNP更容易進(jìn)入HepG2細(xì)胞并分布于細(xì)胞核內(nèi),引起細(xì)胞凋亡。隨著納米二氧化硅作用濃度的上升,caspase-3的活...

【文章頁(yè)數(shù)】：68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 文獻(xiàn)綜述
    1.1 概述
    1.2 納米材料及其應(yīng)用簡(jiǎn)介
        1.2.1 納米材料簡(jiǎn)介
        1.2.2 納米材料的應(yīng)用簡(jiǎn)介
    1.3 納米顆粒的生物安全性及細(xì)胞毒性研究
        1.3.1 納米顆粒的生物安全性研究
        1.3.2 納米顆粒的細(xì)胞毒性研究
    1.4 納米顆�？鼓[瘤活性的研究
    1.5 納米二氧化硅及其在生物醫(yī)藥領(lǐng)域的應(yīng)用
        1.5.1 納米二氧化硅簡(jiǎn)介
        1.5.2 納米二氧化硅在生物醫(yī)藥領(lǐng)域的應(yīng)用研究
    1.6 本論文的研究目的、內(nèi)容和意義
第2章 材料與方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        2.1.1 細(xì)胞株
        2.1.2 納米二氧化硅
        2.1.3 生化試劑
    2.2 儀器與設(shè)備
    2.3 常用試劑及配制
    2.4 常用方法
        2.4.1 實(shí)驗(yàn)相關(guān)器材滅菌
        2.4.2 細(xì)胞培養(yǎng)方法
        2.4.3 細(xì)胞計(jì)數(shù)方法
        2.4.4 細(xì)胞總蛋白提取
        2.4.5 Bradford比色法測(cè)定蛋白含量
        2.4.6 蛋白電泳及Western Blotting
第3章 納米二氧化硅特異性抗肝癌細(xì)胞HepG2活性研究
    3.1 概述
    3.2 實(shí)驗(yàn)材料與方法
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        3.2.2 材料外貌表征TEM
        3.2.3 材料的FITC熒光標(biāo)記及在細(xì)胞內(nèi)分布
        3.2.4 細(xì)胞活性MTT實(shí)驗(yàn)
        3.2.5 細(xì)胞核染色(DAPI)
        3.2.6 Annexin Ⅴ-FITC/PI雙染色流式細(xì)胞儀測(cè)試
        3.2.7 細(xì)胞內(nèi)Caspase-3表達(dá)量測(cè)定
        3.2.8 檢測(cè)Bax、Bcl-2、p53、procaspase-9蛋白表達(dá)量變化的Western blotting實(shí)驗(yàn)
        3.2.9 細(xì)胞內(nèi)ROS含量測(cè)定——DCFH-DA熒光探針
        3.2.10 細(xì)胞內(nèi)GSH含量測(cè)定
        3.2.11 統(tǒng)計(jì)學(xué)方法
    3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
        3.3.1 納米二氧化硅的外貌表征
        3.3.2 納米二氧化硅的細(xì)胞毒性
        3.3.3 納米二氧化硅對(duì)細(xì)胞核形態(tài)的影響以及在細(xì)胞內(nèi)分布情況
        3.3.4 納米二氧化硅誘導(dǎo)HepG2細(xì)胞調(diào)亡
        3.3.5 納米二氧化硅對(duì)凋亡相關(guān)蛋白的影響
        3.3.6 納米二氧化硅對(duì)細(xì)胞內(nèi)ROS以及GSH含量的影響
    3.4 討論
第4章 納米二氧化硅的表面電位對(duì)其抗HepG2細(xì)胞活性的影響
    4.1 概述
        4.1.1 表面改性簡(jiǎn)介
        4.1.2 表面改性方法
        4.1.3 納米材料表面改性的研究現(xiàn)狀
        4.1.4 研究?jī)?nèi)容、目的及意義
    4.2 材料與方法
        4.2.1 材料
        4.2.2 納米二氧化硅的表面改性
        4.2.3 材料外貌表征TEM
        4.2.4 Zeta電位檢測(cè)實(shí)驗(yàn)
        4.2.5 細(xì)胞毒性MTT實(shí)驗(yàn)
        4.2.6 Annexin Ⅴ-FITC/PI雙染色流式細(xì)胞儀測(cè)試
        4.2.7 統(tǒng)計(jì)學(xué)方法
    4.3 結(jié)果
        4.3.1 改性前后的納米二氧化硅的Zeta電位表征
        4.3.2 改性前后納米二氧化硅的TEM表征
        4.3.3 細(xì)胞毒性MTT實(shí)驗(yàn)結(jié)果
        4.3.4 Annexin Ⅴ-FITC/PI雙染色流式細(xì)胞儀測(cè)試
    4.4 討論
第5章 結(jié)論與展望
    5.1 結(jié)論
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士研究生期間發(fā)表論文



本文編號(hào)：3868388