中波紫外線輻射損傷人角質(zhì)形成細(xì)胞的分子機(jī)制研究
發(fā)布時(shí)間:2020-08-20 15:00
【摘要】:研究背景 表皮主要由角質(zhì)形成細(xì)胞(Keratinocyte,KC)組成,極易受環(huán)境因素的損傷。日曬傷細(xì)胞(Sunburn cell)是日光中的中波紫外線(ultraviolet B,UVB)輻射損傷的KC。UVB輻射損傷KC主要通過DNA損傷引起的基因毒應(yīng)激(genotoxic stress)反應(yīng),和由于活性氧(reactive oxygen species,ROS)或自由基造成的氧化應(yīng)激(oxidative stress)反應(yīng)所致。UVB輻射損傷KC是皮膚癌的主要原因。 細(xì)胞周期阻滯(cell cycle arrest)是UVB引發(fā)KC應(yīng)激反應(yīng)過程中的首發(fā)事件。在此期間,受損的KC首先通過啟動(dòng)細(xì)胞內(nèi)復(fù)雜而精細(xì)的DNA損傷修復(fù)系統(tǒng),以修復(fù)因DNA損傷產(chǎn)生的功能基因的突變,這些基因包括維持基因組完整性的管理基因(caretaker genes)和控制細(xì)胞增殖和分化的看門基因(gatekeeper genes)。而當(dāng)DNA損傷嚴(yán)重而修復(fù)無望時(shí),則會(huì)啟動(dòng)自殺性信號(hào)通路誘導(dǎo)凋亡。凋亡(apoptosis)是KC受UVB輻射損傷后,最后也是最重要的保護(hù)性應(yīng)激反應(yīng)。如果受UVB輻射損傷的KC不能被凋亡清除,帶有功能基因異常的KC發(fā)生克隆性增生,則會(huì)誘發(fā)皮膚癌。 UVB輻射損傷KC的應(yīng)激反應(yīng)涉及到多種分子事件和信號(hào)傳導(dǎo)通路。如在KC凋亡過程中的凋亡信號(hào)的級(jí)聯(lián)傳導(dǎo);抑癌基因p53及其下游分子對(duì)KC細(xì)胞周期阻滯和凋亡的調(diào)控;核轉(zhuǎn)錄因子κB(nuclear factor κB,NF-κB)對(duì)KC的應(yīng)激反應(yīng)的轉(zhuǎn)錄調(diào)控;細(xì)胞
【學(xué)位授予單位】:南京醫(yī)科大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2005
【分類號(hào)】:R758.1
【圖文】:
AnneXin一V(c)200m/Jem,圖1一8FCM分析不同劑量UVB輻射24小時(shí)后HaCTa細(xì)胞的AnnxeniV陽性率(右下象限)細(xì)胞核介導(dǎo)的凋亡檢測(cè)顯示:DNA梯度凝膠電泳在2、12小時(shí)不著,24、48和72,J、時(shí)顯著。圖1一9顯示不同劑量UVB輻射48小時(shí)后HaCaT細(xì)胞的DNA梯度電泳圖,可見明顯的劑量依賴性。12飛4炙6,bp5硯攏J3《洲)圖1一9不同劑量UVB輻射48小時(shí)后HaCTa細(xì)胞的DNA梯度電泳圖l為DNA標(biāo)準(zhǔn)分子量:2一7依次為20、40、60、50、100和1ZomJ/cmZ
中劑量UVB輻射NHEK和HaCTa后的p53變化與低劑量UVB輻射結(jié)果相似,但p21表達(dá)顯著,GADD45變化不著,伴隨著凋亡的增加,Bxa升高明顯。圖2一1顯示了60nJ/cm,輻射NHEK后P53相關(guān)基因水平。
南京醫(yī)科大學(xué)博士學(xué)位論文可以反映擴(kuò)增產(chǎn)物的特異性強(qiáng),我們也將此擴(kuò)增產(chǎn)物進(jìn)行了1.5%瓊脂糖凝膠電泳分析,通過圖2一4證實(shí)了擴(kuò)增產(chǎn)物的特異性。一】口IXM翻臼訊的YJ一!之。止leeles,l傀jl、.IJ,日26一24一之2一2一氣9一沈三’犯卜互一告‘兌﨑乙的。:衛(wèi)﨑一
本文編號(hào):2798112
【學(xué)位授予單位】:南京醫(yī)科大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2005
【分類號(hào)】:R758.1
【圖文】:
AnneXin一V(c)200m/Jem,圖1一8FCM分析不同劑量UVB輻射24小時(shí)后HaCTa細(xì)胞的AnnxeniV陽性率(右下象限)細(xì)胞核介導(dǎo)的凋亡檢測(cè)顯示:DNA梯度凝膠電泳在2、12小時(shí)不著,24、48和72,J、時(shí)顯著。圖1一9顯示不同劑量UVB輻射48小時(shí)后HaCaT細(xì)胞的DNA梯度電泳圖,可見明顯的劑量依賴性。12飛4炙6,bp5硯攏J3《洲)圖1一9不同劑量UVB輻射48小時(shí)后HaCTa細(xì)胞的DNA梯度電泳圖l為DNA標(biāo)準(zhǔn)分子量:2一7依次為20、40、60、50、100和1ZomJ/cmZ
中劑量UVB輻射NHEK和HaCTa后的p53變化與低劑量UVB輻射結(jié)果相似,但p21表達(dá)顯著,GADD45變化不著,伴隨著凋亡的增加,Bxa升高明顯。圖2一1顯示了60nJ/cm,輻射NHEK后P53相關(guān)基因水平。
南京醫(yī)科大學(xué)博士學(xué)位論文可以反映擴(kuò)增產(chǎn)物的特異性強(qiáng),我們也將此擴(kuò)增產(chǎn)物進(jìn)行了1.5%瓊脂糖凝膠電泳分析,通過圖2一4證實(shí)了擴(kuò)增產(chǎn)物的特異性。一】口IXM翻臼訊的YJ一!之。止leeles,l傀jl、.IJ,日26一24一之2一2一氣9一沈三’犯卜互一告‘兌﨑乙的。:衛(wèi)﨑一
本文編號(hào):2798112
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