重復(fù)經(jīng)顱磁刺激對(duì)精神分裂癥患者事件相關(guān)電位的影響
發(fā)布時(shí)間:2024-02-14 22:23
目的:探討重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)對(duì)精神分裂癥患者事件相關(guān)腦電位(ERPs) N400、P300和失匹配負(fù)波(MMN)的影響。方法:給予85例精神分裂癥患者(患者組)在原抗精神病藥治療的基礎(chǔ)上聯(lián)合rTMS治療25次;于rTMS治療前后進(jìn)行N400、P300及MMN檢測(cè),結(jié)果進(jìn)行自身對(duì)照及與76名健康志愿者(正常對(duì)照組)比較。結(jié)果:與正常對(duì)照組比較,患者組額區(qū)N400、P300和MMN潛伏期明顯延遲、波幅明顯降低(P <0.05或P <0.01);治療后患者額區(qū)N400中同音異形異義潛伏期和異音異形異義波幅、額區(qū)MMN及P300波幅較治療前明顯提高(P均<0.05)。結(jié)論:精神分裂癥患者ERP指標(biāo)異常,經(jīng)rTMS治療可明顯改善N400、P300和MMN。
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本文編號(hào):3898715
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