發(fā)布時(shí)間：2021-11-05 17:13

　　[背景]課題組前期動(dòng)物實(shí)驗(yàn)研究表明,二氧化硅（SiO₂）誘導(dǎo)的矽肺大鼠早期肺組織中出現(xiàn)大量淋巴管生成,其對(duì)于清除肺內(nèi)粉塵,緩解矽肺發(fā)病進(jìn)程具有重要意義,但淋巴管生成的具體分子機(jī)制尚未明確。[目的]探究SiO₂介導(dǎo)人單核巨噬細(xì)胞株U937產(chǎn)生血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子C（VEGF-C）對(duì)人淋巴內(nèi)皮細(xì)胞（HLECs）管狀結(jié)構(gòu)形成的影響及作用機(jī)制。[方法]采用不同質(zhì)量濃度（后稱:濃度）(0、25、50、100、200 mg·L^-1) SiO₂刺激U937細(xì)胞不同時(shí)間（12、24、48 h）。Western blotting檢測(cè)U937細(xì)胞中VEGF-C蛋白水平,ELISA法檢測(cè)細(xì)胞培養(yǎng)上清液中VEGF-C蛋白水平。選擇VEGF-C蛋白表達(dá)水平最高的SiO₂刺激濃度和時(shí)間,收集其細(xì)胞培養(yǎng)上清液作為條件培養(yǎng)基（CM）。HLECs分為陰性對(duì)照組、CM對(duì)照組、CM處理組、VEGF-C處理組。CM處理組采用SiO₂刺激后的CM處理,VEGF-C處理組采用含質(zhì)量濃度5 000 ng·... 

【文章來(lái)源】：環(huán)境與職業(yè)醫(yī)學(xué). 2020,37(11)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 材料與方法
    1.1 材料
    1.2 方法
        1.2.1 細(xì)胞培養(yǎng)
        1.2.2 SiO2刺激U937細(xì)胞
        1.2.3 Western blotting法檢測(cè)U937細(xì)胞中VEGF-C蛋白表達(dá)
        1.2.4 ELISA法檢測(cè)U937細(xì)胞培養(yǎng)上清液中VEGF-C蛋白表達(dá)
        1.2.5 條件培養(yǎng)基（conditioned medium,CM）制備
        1.2.6 HLECs分組
        1.2.7 HLECs增殖能力檢測(cè)
        1.2.8 HLECs遷移能力檢測(cè)
        1.2.9 HLECs管狀結(jié)構(gòu)形成能力檢測(cè)
    1.3 統(tǒng)計(jì)學(xué)分析
2 結(jié)果
    2.1 Si O2刺激U937細(xì)胞后VEGF-C蛋白表達(dá)
    2.2 HLECs增殖能力
    2.3 HLECs遷移能力
    2.4 HLECs管狀結(jié)構(gòu)形成能力
3 討論



本文編號(hào)：3478196