發(fā)布時(shí)間：2022-01-22 05:40

　　采用羧基化高純單壁碳納米管（c SWCNTs）固載于金電極表面來構(gòu)筑乙酰甲喹電化學(xué)傳感器。運(yùn)用循環(huán)伏安法（CV）、差分脈沖伏安法（DPV）和電化學(xué)交流阻抗法（EIS）測定傳感器的性能。結(jié)果顯示,該傳感器對(duì)乙酰甲喹的電化學(xué)還原具有顯著的催化性能,修飾電極的峰電流達(dá)到-128.40μA,是裸電極峰電流的1167倍。通過對(duì)傳感器性能影響因素的考察,得到最優(yōu)制備條件為cSWCNTs涂覆量為4μL（質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.10%分散液）,攪拌速度1000 r/min,pH=7.0的PBS濃度為0.2 mol/L,-0.5V電壓下富集30 min。在該條件下制備的傳感器峰電流與乙酰甲喹在1～500nmol/L范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系,相關(guān)系數(shù)為0.998,方法的檢出限為0.76nmol/L。該傳感器被成功地應(yīng)用于實(shí)際樣品檢測,加標(biāo)回收率在81.7%～124.0%。 

【文章來源】：精細(xì)化工. 2020,37(08)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

1.0?mol/L乙酰甲喹在不同電極的DPV曲線（插圖是裸電極的DPV放大圖）

為探究cSWCNTs/GE反應(yīng)性質(zhì)，采用循環(huán)伏安法（CV）考察了不同掃描速率對(duì)1.0?mol/L乙酰甲喹還原峰電流的影響，結(jié)果如圖2所示。隨著掃描速率的增大，乙酰甲喹的還原峰電流增大，峰電位向負(fù)電位移動(dòng)。用乙酰甲喹的峰電流I(μA)對(duì)掃描速率v(V/s)的算術(shù)平方根進(jìn)行線性擬合，得到線性方程為：I=-371v1/2+52(R2=0.9994)。由于峰電流與掃描速率的算術(shù)平方根呈正比，說明乙酰甲喹在cSWCNTs/GE的電化學(xué)過程是擴(kuò)散控制[6]。2.3 電化學(xué)阻抗譜（EIS)

將修飾電極于-0.5 V富集不同時(shí)間，然后用DPV檢測。如圖4e所示，隨著富集時(shí)間的延長峰電流逐漸增大，在30 min時(shí)達(dá)到較大值，而后隨富集時(shí)間延長，峰電流變化不大。故富集時(shí)間選擇30 min。2.4.6 攪拌速度的優(yōu)化

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]HPLC-PDA法測定恩諾沙星注射液中非法添加乙酰甲喹和水楊酸[J]. 薄永恒,李淑煥,李有志,馮濤,徐紅瑋,張琦.  中國獸藥雜志. 2019(06)
[2]硫酸安普霉素可溶性粉中非法添加乙酰甲喹的HPLC-PDA檢測方法的建立[J]. 戴青,于麗娜,張璐,韓寧寧,徐嫄,趙暉.  中國獸藥雜志. 2017(02)
[3]乙酰甲喹和喹烯酮藥動(dòng)學(xué)研究進(jìn)展[J]. 李璐璐,駱延波,劉玉慶.  中國抗生素雜志. 2016(02)



本文編號(hào)：3601643