目的構(gòu)建PhoP和PhoR基因過表達(dá)結(jié)核分枝桿菌國際標(biāo)準(zhǔn)強毒株H37Rv(以下簡稱H37Rv),檢測不同電壓條件下電轉(zhuǎn)化構(gòu)建的PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv菌株P(guān)hoP/PhoR基因的表達(dá)水平。方法提取并鑒定結(jié)核分枝桿菌重組穿梭質(zhì)粒pMV361-PhoP和pMV361-PhoR,利用電轉(zhuǎn)化技術(shù)將結(jié)核分枝桿菌重組穿梭質(zhì)粒pMV361-PhoP和pMV361-PhoR導(dǎo)入H37Rv的感受態(tài)細(xì)胞中,構(gòu)建PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv,應(yīng)用實時熒光定量PCR檢測不同電壓條件下電轉(zhuǎn)化構(gòu)建的PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv的PhoP/PhoR基因表達(dá)水平。結(jié)果成功構(gòu)建PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv。應(yīng)用實時熒光定量PCR檢測不同電壓條件下電轉(zhuǎn)化構(gòu)建的PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv的PhoP/PhoR基因表達(dá)水平,其中在電壓為2 300～2 500V的范圍內(nèi),電壓越高,電轉(zhuǎn)化菌的PhoP/PhoR基因表達(dá)量越高。結(jié)論成功構(gòu)建了PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv菌株,以電壓為2 500V電轉(zhuǎn)化構(gòu)建的PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv的PhoP/PhoR基因...

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
材料和方法
    1 材料
        1.1 菌株
        1.2 主要試劑和儀器
    2 方法
        2.1 pMV361-Phop和pMV361-PhoR質(zhì)粒的提取
        2.2 制備H37Rv感受態(tài)細(xì)胞
        2.3 重組質(zhì)粒電轉(zhuǎn)化導(dǎo)入H37Rv感受態(tài)細(xì)胞
        2.4 PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv的檢測及鑒定
        2.5 PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv總RNA的提取
        2.6 總RNA的反轉(zhuǎn)錄反應(yīng)
        2.7 實時熒光定量PCR檢測MTB
        2.8 統(tǒng)計學(xué)分析
    3 PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv質(zhì)粒的提取與鑒定
    4 PhoP/PhoR基因的PCR擴(kuò)增及雙酶切鑒定
    5 MTB總RNA的提取及鑒定
    6 PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv的Phop基因相對表達(dá)量
    7 PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv的PhoR基因相對表達(dá)量
    8 H37Rv、BCG、H37Ra的PhoP/PhoR基因相對表達(dá)量比較
結(jié)果
    1 pMV361-Phop和pMV361-PhoR質(zhì)粒的提取與鑒定
    2 PhoP/PhoR基因過表達(dá)H37Rv耐藥性檢測
討論



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