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杭州士蘭微電子決定斥資在成阿工業(yè)園建設(shè)士蘭西部LED半導(dǎo)體芯片制造基地——成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司 來源：發(fā)布日期：2010-12-15

杭州士蘭微電子決定斥資在成阿工業(yè)園建設(shè)士蘭西部LED半導(dǎo)體芯片制造基地——成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司杭州士蘭微電子股份有限公司13日晚間發(fā)布公告，根據(jù)公司2010年1月28日召開的2010年第一次臨時股東大會上審議通過的《關(guān)于公司向特定對象非公開發(fā)行股票方案的議案》、《關(guān)于非公開發(fā)行股票募集資金使用的可行性報告的議案》、《關(guān)于公司非公開發(fā)行股票預(yù)案的議案》、《關(guān)于提請股東大會授權(quán)董事會全權(quán)辦理本次非公開發(fā)行股票相關(guān)事項的議案》等與2010年度非公開發(fā)行相關(guān)的議案，公司擬用募集資金向承擔募投項目之“高亮度LED芯片生產(chǎn)線擴產(chǎn)項目”的杭州士蘭明芯科技有限公司(以下簡稱“士蘭明芯”)增資10,000萬元。

　　截至本次增資前，公司已使用募集資金向士蘭明芯增資20,000萬元。目前士蘭明芯注冊資本為40,000萬元，本次增資后士蘭明芯注冊資本將增至50,000萬元，本公司持有其100%的股份。


　　就在上個月18日，杭州士蘭微電子股份有限公司基于發(fā)展的要求，，在對投資環(huán)境、政務(wù)服務(wù)等進行綜合分析后，決定斥資在成阿工業(yè)園建設(shè)士蘭西部LED半導(dǎo)體芯片制造基地——成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司。據(jù)了解，項目預(yù)計2012年建成投產(chǎn)，重點發(fā)展LED芯片制造、封裝、高壓集成電路和功率半導(dǎo)體芯片制造、功率模塊封裝四項業(yè)務(wù)。

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