SiC MOSFET模塊驅(qū)動保護電路研究
【文章頁數(shù)】:143 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1-3被動式柵極驅(qū)動電路??.-.??
*安理工大學(xué)博士學(xué)位論i??1.被動式驅(qū)動電路??實際應(yīng)用中,通過在驅(qū)動電路中添加無源器件來調(diào)節(jié)SiC?MOSFET開關(guān)特性是最簡??單常見的方法之一plH34]。如圖1-3所示,可以通過增加?xùn)艠O電阻也,米勒電容及柵??-源極電容Cbs來調(diào)整SiC?MOSFET的開關(guān)特性。??通....
圖1-5叮變柵極電壓挺動電路??-
第一章結(jié)論??實現(xiàn)柵極電阻的開關(guān),其硬件電路實現(xiàn)較為復(fù)雜。??9?H?□?「??圇1-4吁變柵極電F且驅(qū)動電路??Fig_?1-4?Driver?circuit?by?adjustable?gate?resistors.??(2)可變柵極電壓驅(qū)動電路??可變柵極電壓驅(qū)動電路實質(zhì)是....
圖1-6?T變柵極電潑腿動電路??-
西安理工大學(xué)博士學(xué)位淪t??fa?/i?h?t??圖1-6?T變柵極電潑腿動電路??Fig.?1-6?Driver?circuit?by?adjustable?gate?currents.??(4)模擬閉環(huán)反饋驅(qū)動電路??為了實現(xiàn)SiC?MOSFET開關(guān)過程的精確控制,有許多研宄....
圖1-9基于電流間接測量_?SiCMOSFET保護方法(a)遝飽和檢測(b)?di7d/檢測(c)柵板電??
第一章球論??的二極管和比較電路,成本低,如圖1-9?(a)所示。文獻[70]對退飽和檢測在SiC功率器??件的短路保護中的性能進行了實驗分析。針對SiC?MOSFET開關(guān)過程中較大的開關(guān)振蕩??以及串?dāng)_,文獻[71]對退飽和檢測電路進行了改進,確保其不會因為振蕩和串?dāng)_而誤觸發(fā)。....
本文編號:4019341
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