發(fā)布時間：2024-01-04 12:17

　　電子器件小型化作為提高電路集成度,進而提升電子設備性能的有效手段,在信息化時代不斷發(fā)展的今天受到人們的廣泛關注。然而,隨著器件尺寸逼近納米乃至亞納米量級,囿于物理規(guī)律、制備工藝和能耗問題,傳統(tǒng)硅基半導體電子器件的小型化即將到達極限。作為解決該問題的方案之一,以分子作為功能核心并旨在利用電子的自旋屬性實現(xiàn)特定功能的分子自旋電子器件成為了目前的研究熱點。相比于傳統(tǒng)的硅基器件,分子自旋電子器件體積更小、數(shù)據容量更大、響應速度更快、功耗更低,因此具有極大的應用前景。目前,眾多科研人員已經開展了大量的工作來設計制備分子自旋電子器件,也以此為平臺揭示了電子在分子尺度下許多新奇的自旋輸運現(xiàn)象。為了推動分子自旋電子器件的發(fā)展,性能更卓越、功能更豐富的分子自旋電子器件有待進一步開發(fā);器件中各種因素對自旋輸運性質的影響也有待進一步探究。本論文利用基于密度泛函理論的非平衡格林函數(shù)方法研究了分子內質子轉移反應、過渡金屬配合物中金屬原子種類、分子-電極橋接方式以及氣體吸附等因素對分子結自旋輸運性質的影響,并在此基礎上設計了一些具有更高性能的功能性分子自旋電子器件。本論文具體的研究內容和結果概括如下:在沿輸運方向...

【文章頁數(shù)】：134 頁

【學位級別】：博士

本文編號：3876747