單片集成的高速直調分布反饋激光器陣列
【文章頁數】:154 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1-11(a)偏置量子阱,(b)量子阱混雜,(c)對接再生長,(d)選擇區(qū)域生長,(e)垂直雙波導結構
集成光芯片的實現,通常需要多種外延結構,實現對器件性能的最優(yōu)化。激光器有源區(qū)需要對量子阱的結構和厚度進行優(yōu)化,比如高速調制激光器需要高的增益系數,放大器需要低的光場限制因子,而光合波器件則需要好的光場限制、小的波導損耗。激光器部分采用了有源量子阱的芯層結構,由于有源波導會對激光器....
圖1-12量子阱混雜技術的制作示意圖
一種是偏置量子阱結構,在激光器有源區(qū)量子阱下面預先放置無源芯層,偏置量子阱的結構如圖1-11(a)所示。激光器有源區(qū)與無源波導之間間隔很小,有源無源對接的位置可以實現光場直接過渡。該方案只需要去掉無源部分的量子阱后,整個外延片上直接生長InP的上蓋層,不需要再生長無源波導層,工藝....
圖1-13對接再生長結構的制作工藝步驟
采用對接再生長技術實現有源無源的集成,制作步驟如圖1-13所示。完成量子阱生長后的外延片上,光刻制作掩膜去除無源部分的量子阱芯層,采用金屬氣相沉積(Metalorganicchemicalvapordeposition,MOCVD)在量子阱芯層的同一高度生長無源波導芯層,....
圖1-14(a)減少反射的切角型MMI示意圖,(b)采用MMI實現合波的激光器陣列[95]
多模干涉耦合器(Multi-modeinterferometer,MMI)是基于自成像原理[92],由于其對波長不敏感的特性,適合于激光器陣列的合波輸出,制作工藝比較簡單,制作時容差比較大。但是MMI合波激光器陣列會造成比較大的插入損耗,輸出功率較低,并且MMI的通道數越高,插....
本文編號:4005952
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