GaN材料為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,具有強(qiáng)大的抗輻照能力、高電子飽和速度、耐高溫、高電子輸運(yùn)密度和高功率密度等優(yōu)點(diǎn)。由GaN以及其合金材料所構(gòu)成的異質(zhì)結(jié),存在強(qiáng)大的內(nèi)部極化電場(chǎng),由此形成高電子遷移率的二維電子氣具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使得GaN器件廣泛應(yīng)用于大功率和高頻率微波領(lǐng)域。準(zhǔn)確的器件模型參數(shù)對(duì)器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用至關(guān)重要,本文分別對(duì)GaN基電子器件的模型和模型參數(shù)的提取方法進(jìn)行了研究,為GaN電子器件提供準(zhǔn)確的模型和有效的模型參數(shù)提取方法。本文提出的模型參數(shù)提取方法具有普適性,從而為提取其他電子器件的模型參數(shù)提供了新的方法。1.對(duì)Angelov直流FET模型進(jìn)行改進(jìn),改進(jìn)后的模型使得同一組模型參數(shù)能準(zhǔn)確的描述AlGaN/GaN HEMTs輸出電流隨柵電壓和漏電壓全局變化的輸出特性,并應(yīng)用同一遺傳算法對(duì)改進(jìn)前后的模型進(jìn)行參數(shù)提取,得到的平均相對(duì)誤差分別為4.58%和1.80%。表明改進(jìn)后的模型更能準(zhǔn)確的描述AlGaN/GaN HEMTs的輸出特性,從而為AlGaN/GaN HEMTs提供一種準(zhǔn)確的全局直流模型,該模型和方法具有普適性。2.該文提出了一種新的絕對(duì)誤差函數(shù),應(yīng)用該函數(shù)對(duì)HE... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：127 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【圖文】：

原始Ange1lov模型算法法計(jì)算值與實(shí)實(shí)驗(yàn)測(cè)量值的的輸出特性對(duì)對(duì)比

改進(jìn)Anggelov模型算算法計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比

原始Anngelov模型算算法計(jì)算值與與實(shí)驗(yàn)測(cè)量值

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]The passivation mechanism of nitrogen ions on the gate leakage current of HfO2/AlGaN/GaN MOS-HEMTs[J]. BI ZhiWei 1 , HAO Yue 1 , FENG Qian 1 , JIANG TingTing 2 , CAO YanRong 3 , ZHANG JinCheng 1 , MAO Wei 1 , Lü Ling 1 & ZHANG Yue 1 1 Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China; 2 State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China; 3 School of Electronical & Mechanical Engineering, Xidian University, Xi’an 710071, China.  Science China（Physics,Mechanics & Astronomy）. 2011(12)
[2]場(chǎng)板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究[J]. 毛維,楊翠,郝躍,張進(jìn)成,劉紅俠,馬曉華,王沖,張金風(fēng),楊林安,許晟瑞,畢志偉,周洲,楊凌,王昊.  物理學(xué)報(bào). 2011(01)
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本文編號(hào)：3125312