近年來,由于具有高耐壓、低導通電阻、開關(guān)速度快、結(jié)溫高等優(yōu)點,寬禁帶半導體功率器件SiC MOSFET在交流伺服調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用逐漸廣泛,已經(jīng)成為交流伺服驅(qū)動器新的發(fā)展趨勢。本文在這種背景下,針對PMSM的SiC MOSFET驅(qū)動器開展了一些研究。在廣泛調(diào)研基于SiC的PMSM驅(qū)動器研究進展的基礎(chǔ)上,分析SiC MOSFET應(yīng)用于PMSM電機驅(qū)動系統(tǒng)中所衍生出的問題,然后針對這些問題提出自己的解決方法。首先進行主回路設(shè)計,分析了高頻開關(guān)下主回路寄生電感的影響,結(jié)合滿足直流側(cè)能量吞吐的容值計算結(jié)果和鋁電解電容的頻率特性,確定本文所需電容板的具體容值。然后分別對SiC MOSFET的驅(qū)動電壓、驅(qū)動電流、驅(qū)動功率、驅(qū)動電阻在實際的應(yīng)用條件進行詳細的分析與計算,對SiC MOSFET在高開關(guān)頻率下的串擾,短路,過壓三種工作特性進行分析并且設(shè)計了保護電路,然后進行器件選型和SiC MOSFET驅(qū)動板的繪制。接著選擇TI公司的TMS320F28335作為主控芯片,進行了主控電路的設(shè)計和PCB的制作。然后針對整個驅(qū)動器進行熱設(shè)計,本章以驅(qū)動56V/8KW永磁同步電機為例,進行了熱仿真,得出了熱設(shè)計數(shù)... 

【文章來源】：冶金自動化研究設(shè)計院北京市

【文章頁數(shù)】：96 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

寬禁帶半導體材料和Si材料的對比

SiCMOSFET和SiMOSFET的標準化導通電阻比較

第1章緒論3圖1-1寬禁帶半導體材料和Si材料的對比圖1-2SiCMOSFET和SiMOSFET的標準化導通電阻比較1.2SiC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)nfineon公司首次生產(chǎn)出SiC功率器件SiCSBD，并且實現(xiàn)了商業(yè)化，SiC功率器件就如雨后春筍般陸續(xù)被其他公司研發(fā)生產(chǎn)出來，圖1-3對于重要時間點SiC器件的問世做出了總結(jié)[20]。圖1-3SiC器件商業(yè)化過程SiCSBD相對于Si二極管的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在電壓等級高、反向恢復(fù)過程幾乎

【參考文獻】：
期刊論文
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[8]羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC[J].   半導體信息. 2019 (03)
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碩士論文
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[7]基于先進遷移率模型的SiC MOSFET的SPICE建模及應(yīng)用[D]. 李勇杰.安徽工業(yè)大學 2017
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本文編號：3591172