近年來,由于具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度快、結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體功率器件SiC MOSFET在交流伺服調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用逐漸廣泛,已經(jīng)成為交流伺服驅(qū)動(dòng)器新的發(fā)展趨勢。本文在這種背景下,針對PMSM的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器開展了一些研究。在廣泛調(diào)研基于SiC的PMSM驅(qū)動(dòng)器研究進(jìn)展的基礎(chǔ)上,分析SiC MOSFET應(yīng)用于PMSM電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中所衍生出的問題,然后針對這些問題提出自己的解決方法。首先進(jìn)行主回路設(shè)計(jì),分析了高頻開關(guān)下主回路寄生電感的影響,結(jié)合滿足直流側(cè)能量吞吐的容值計(jì)算結(jié)果和鋁電解電容的頻率特性,確定本文所需電容板的具體容值。然后分別對SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓、驅(qū)動(dòng)電流、驅(qū)動(dòng)功率、驅(qū)動(dòng)電阻在實(shí)際的應(yīng)用條件進(jìn)行詳細(xì)的分析與計(jì)算,對SiC MOSFET在高開關(guān)頻率下的串?dāng)_,短路,過壓三種工作特性進(jìn)行分析并且設(shè)計(jì)了保護(hù)電路,然后進(jìn)行器件選型和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板的繪制。接著選擇TI公司的TMS320F28335作為主控芯片,進(jìn)行了主控電路的設(shè)計(jì)和PCB的制作。然后針對整個(gè)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行熱設(shè)計(jì),本章以驅(qū)動(dòng)56V/8KW永磁同步電機(jī)為例,進(jìn)行了熱仿真,得出了熱設(shè)計(jì)數(shù)... 

【文章來源】：冶金自動(dòng)化研究設(shè)計(jì)院北京市

【文章頁數(shù)】：96 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

寬禁帶半導(dǎo)體材料和Si材料的對比

SiCMOSFET和SiMOSFET的標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻比較

第1章緒論3圖1-1寬禁帶半導(dǎo)體材料和Si材料的對比圖1-2SiCMOSFET和SiMOSFET的標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻比較1.2SiC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀I(lǐng)nfineon公司首次生產(chǎn)出SiC功率器件SiCSBD，并且實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化，SiC功率器件就如雨后春筍般陸續(xù)被其他公司研發(fā)生產(chǎn)出來，圖1-3對于重要時(shí)間點(diǎn)SiC器件的問世做出了總結(jié)[20]。圖1-3SiC器件商業(yè)化過程SiCSBD相對于Si二極管的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在電壓等級(jí)高、反向恢復(fù)過程幾乎

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及特性分析[J]. 徐建清,高勇,楊媛,孟昭亮,文陽,張樂.  半導(dǎo)體技術(shù). 2020(05)
[2]低壓Mosfet平臺(tái)電壓時(shí)間對圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)溆绊憣Σ哐芯縖J]. 錢亮.  內(nèi)燃機(jī)與配件. 2020(06)
[3]用于全橋變換器的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[J]. 王建淵,林文博,孫偉.  電力電子技術(shù). 2020(02)
[4]SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J]. 柳舟洲.  微電機(jī). 2019(12)
[5]抑制SiC MOSFET串?dāng)_的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[J]. 劉暢,伍思凱,何鳳有.  電力電子技術(shù). 2019(09)
[6]碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 趙陽,劉平,黃守道,李波.  電力電子技術(shù). 2019(07)
[7]羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC[J].   半導(dǎo)體信息. 2019(03)
[8]羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC[J].   半導(dǎo)體信息. 2019 (03)
[9]碳化硅電力電子器件在電力系統(tǒng)的應(yīng)用展望[J]. 杜元陽.  湖北農(nóng)機(jī)化. 2019(10)
[10]現(xiàn)代永磁電動(dòng)機(jī)交流伺服系統(tǒng)的發(fā)展與應(yīng)用[J]. 方艷霞.  信息系統(tǒng)工程. 2017(12)

碩士論文
[1]基于DSP的永磁同步電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)[D]. 李勇.青島大學(xué) 2019
[2]大功率SiC MOSFET器件特性與驅(qū)動(dòng)保護(hù)研究[D]. 陳龍.北京交通大學(xué) 2019
[3]基于SiC逆變器的高速永磁同步電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研究[D]. 謝成龍.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2019
[4]基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研究[D]. 石宏康.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2018
[5]同步電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的硬件設(shè)計(jì)及失效分析[D]. 王赟莉.華中科技大學(xué) 2018
[6]基于SiC模塊的汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器研究[D]. 朱爾隆.上海交通大學(xué) 2018
[7]基于先進(jìn)遷移率模型的SiC MOSFET的SPICE建模及應(yīng)用[D]. 李勇杰.安徽工業(yè)大學(xué) 2017
[8]碳化硅功率器件在永磁同步電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的應(yīng)用研究[D]. 聶新.南京航空航天大學(xué) 2015
[9]基于永磁同步電機(jī)的EPS控制策略設(shè)計(jì)與試驗(yàn)研究[D]. 陳守宇.合肥工業(yè)大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3591172