發(fā)光二極管（LED）中,有源區(qū)電子的泄露常導致其壽命縮短和發(fā)光效率的降低,插入勢壘作為電子阻擋層（EBL）是解決此問題的方案之一.然而,單勢壘型EBL在限制電子溢出的同時也抑制了空穴的注入,因而在層狀LED中常采用多勢壘型EBL,在阻擋電子的同時,利用隧穿效應保證空穴的有效注入.目前,核殼納米線（CSNW）因其大的表面積體積比有望成為下一代LED的基本單元.考慮到CSNW LED中亦存在有源區(qū)電子溢出問題,本文討論徑向雙勢壘結構作為其EBL的可行性.本工作設計的結構為纖鋅礦徑向Al_yGa_1-yN/Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN雙勢壘體系,計算電子沿徑向向外和空穴沿徑向向內的隧穿電流電壓特性.若存在電壓使空穴的隧穿電流峰值位于電子的隧穿電流谷值,則可利用此性質,在阻擋電子的同時通過隧穿輔助空穴的注入,進而提高復合率.本文首先采用轉移矩陣和龍格庫塔法,計算載流子的徑向透射系數(shù),以及共振能級和波函數(shù).然后,通過載流子的費米分布計入各能量載流子的貢獻,獲得... 

【文章來源】：內蒙古大學內蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：49 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN核殼結構納米線體系示意圖，x
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Ⅲ-Ⅴ族半導體與其異質結納米線的生長（英文）[J]. 李昂,鄒進,韓曉東.  Science China Materials. 2016(01)



本文編號：3443629

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