IGCT靜動態(tài)特性測試電路設(shè)計
發(fā)布時間:2021-06-23 22:14
集成門極換流晶閘管(IGCT)是由門極換流晶閘管與門極驅(qū)動單元組成的一種大功率電力半導(dǎo)體器件,具有電流處理能力高和損耗低的特點,目前已開始廣泛應(yīng)用,因此研發(fā)IGCT的測試設(shè)備對器件應(yīng)用和特性參數(shù)表征很有必要。本文以4.5kV/2kA IGCT為研究對象,對其靜動態(tài)特性測試電路進行了設(shè)計。主要工作內(nèi)容如下:首先,介紹了現(xiàn)有功率半導(dǎo)體器件的測試方法,根據(jù)IGCT的特性參數(shù),確定了測試電路的技術(shù)指標。并結(jié)合ABB公司以及國內(nèi)現(xiàn)有的IGCT相關(guān)測試設(shè)備,分析了測試電路主體結(jié)構(gòu),確定了 IGCT測試臺共包括高壓電源與測試電路兩大部分。其次,分析高壓電源模塊中的關(guān)鍵問題。以倍壓整流電路與單相橋式整流電路為對象,通過建立數(shù)學(xué)與電路仿真模型,分析了倍壓整流電路中存在的沖擊電流問題,并對幾種抑制策略進行了仿真驗證;針對單相橋式整流電路中的功率因數(shù)以及諧波問題進行了分析,提出了一種基于粒子群算法的特定諧波消除脈寬調(diào)制策略。最后根據(jù)兩者的優(yōu)缺點,確定了 IGCT測試用高壓電源主結(jié)構(gòu)。再次,根據(jù)IGCT測試原理設(shè)計了其靜、動態(tài)特性測試電路主結(jié)構(gòu),計算了電路中相應(yīng)的器件參數(shù),搭建了一臺輸出電壓為0~8kV連續(xù)可...
【文章來源】:西安理工大學(xué)陜西省
【文章頁數(shù)】:58 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
ABB公司環(huán)繞型
?傻男問皆諫鮮蘭途攀?甏?庇扇鶚緼BB公司提出,率先實現(xiàn)了集成化的設(shè)計[7]。根據(jù)驅(qū)動器及GCT封裝結(jié)構(gòu)的不同,可分為圖1-1所示的環(huán)繞型和通用型兩種。同時,ABB公司在非對稱型和逆導(dǎo)型GCT系列產(chǎn)品的研發(fā)上也取得了一定的突破,其中非對稱型GCT電流極限參數(shù)可達4kA,逆導(dǎo)型的電流等級可達2.2kA,相關(guān)產(chǎn)品已在實際中得到了應(yīng)用,并具有良好的可靠性[8,9]。而IGCT的測試設(shè)備也是由ABB公司率先研發(fā)出來,但由于最初的產(chǎn)品較少,因此其測試設(shè)備也是定向開發(fā)的,適用性并不強。(a)ABB公司環(huán)繞型IGCT(b)ABB公司通用型IGCT圖1-1ABB公司環(huán)繞型和通用型IGCT示意圖Fig.1-1ABB"ssurroundandgeneralpurposeIGCTschematic在二十世紀九十年代末期,日本三菱公司從ABB引入了IGCT的相關(guān)專利,并且依靠自身掌握GTO的相關(guān)技術(shù),研發(fā)出了非對稱型IGCT。在2004年,韓國KERI公司開發(fā)出了4.5kV/4kA和5.5kV/1.5kA的非對稱型IGCT[10]。目前,大部分與IGCT相關(guān)的技術(shù)資料基本都來自于ABB與日本三菱這兩家公司,尤其在IGCT的測試技術(shù)與測試設(shè)備開發(fā)方面,由于沒有嚴格的通用標準,ABB只是針對自己開發(fā)的IGCT產(chǎn)品進行了定向測試設(shè)備的研發(fā),當IGCT特性參數(shù)不斷超出一定范圍時,設(shè)備的通用性將會降低。圖1-2所示為ABB等其他公司目前主要采用的測試電路拓撲,其中,為電容器兩端提供的直流高壓測試信號,為開通緩沖吸收電感,用來限制開通過程中的電流上升率,、與二極管共同組成了關(guān)斷鉗位電路,為電路中存在的雜散電感[11]。其測試原理是基于大電容放電來為被測器件提供高壓環(huán)境的方法進行實現(xiàn)的,該測試電路結(jié)構(gòu)簡單且可靠性高,因此受到了廣泛的應(yīng)用。
1緒論3圖1-2ABB公司IGCT測試電路原理圖Fig.1-2IGCTtestcircuitbyABBcompany以測試電路為基礎(chǔ),目前主要有兩種主流的測試方法,分別是單脈沖測試法和連續(xù)脈沖測試法[12]。顧名思義,單脈沖與連續(xù)脈沖的區(qū)別僅僅在于所加門極驅(qū)動脈沖的個數(shù)不同而已,其中連續(xù)脈沖測試的典型應(yīng)用為雙脈沖測試,圖1-3中a、b分別為單脈沖與連續(xù)脈沖信號示意圖。(a)單脈沖測試觸發(fā)信號(b)連續(xù)脈沖觸發(fā)信號圖1-3單脈沖與連續(xù)脈沖測試觸發(fā)信號Fig.1-3Singleandcontinuoustestingtriggersignals圖1-4所示為ABB開發(fā)的適用于IGCT、GTO以及二極管參數(shù)測試的設(shè)備與測試現(xiàn)場,該測試系統(tǒng)最高輸出電壓可達14kV,最大輸出電流10kA。測試時,測試夾具能夠提供最大240kN的壓力,并實現(xiàn)200℃范圍內(nèi)的準確加熱,并能冷卻到-40℃,具有良好的溫度控制功能。除此之外,該系統(tǒng)還包含了電容充電單元、可編程門極驅(qū)動單元以及數(shù)據(jù)采集與處理單元等。(a)IGCT、GTO與二極管測試設(shè)備(b)芯片測試現(xiàn)場圖1-4ABB公司IGCT、GTO與二極管測試系統(tǒng)Fig.1-4ABB"stestequipmentsystemofIGCT,GTOanddiode
本文編號:3245753
【文章來源】:西安理工大學(xué)陜西省
【文章頁數(shù)】:58 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
ABB公司環(huán)繞型
?傻男問皆諫鮮蘭途攀?甏?庇扇鶚緼BB公司提出,率先實現(xiàn)了集成化的設(shè)計[7]。根據(jù)驅(qū)動器及GCT封裝結(jié)構(gòu)的不同,可分為圖1-1所示的環(huán)繞型和通用型兩種。同時,ABB公司在非對稱型和逆導(dǎo)型GCT系列產(chǎn)品的研發(fā)上也取得了一定的突破,其中非對稱型GCT電流極限參數(shù)可達4kA,逆導(dǎo)型的電流等級可達2.2kA,相關(guān)產(chǎn)品已在實際中得到了應(yīng)用,并具有良好的可靠性[8,9]。而IGCT的測試設(shè)備也是由ABB公司率先研發(fā)出來,但由于最初的產(chǎn)品較少,因此其測試設(shè)備也是定向開發(fā)的,適用性并不強。(a)ABB公司環(huán)繞型IGCT(b)ABB公司通用型IGCT圖1-1ABB公司環(huán)繞型和通用型IGCT示意圖Fig.1-1ABB"ssurroundandgeneralpurposeIGCTschematic在二十世紀九十年代末期,日本三菱公司從ABB引入了IGCT的相關(guān)專利,并且依靠自身掌握GTO的相關(guān)技術(shù),研發(fā)出了非對稱型IGCT。在2004年,韓國KERI公司開發(fā)出了4.5kV/4kA和5.5kV/1.5kA的非對稱型IGCT[10]。目前,大部分與IGCT相關(guān)的技術(shù)資料基本都來自于ABB與日本三菱這兩家公司,尤其在IGCT的測試技術(shù)與測試設(shè)備開發(fā)方面,由于沒有嚴格的通用標準,ABB只是針對自己開發(fā)的IGCT產(chǎn)品進行了定向測試設(shè)備的研發(fā),當IGCT特性參數(shù)不斷超出一定范圍時,設(shè)備的通用性將會降低。圖1-2所示為ABB等其他公司目前主要采用的測試電路拓撲,其中,為電容器兩端提供的直流高壓測試信號,為開通緩沖吸收電感,用來限制開通過程中的電流上升率,、與二極管共同組成了關(guān)斷鉗位電路,為電路中存在的雜散電感[11]。其測試原理是基于大電容放電來為被測器件提供高壓環(huán)境的方法進行實現(xiàn)的,該測試電路結(jié)構(gòu)簡單且可靠性高,因此受到了廣泛的應(yīng)用。
1緒論3圖1-2ABB公司IGCT測試電路原理圖Fig.1-2IGCTtestcircuitbyABBcompany以測試電路為基礎(chǔ),目前主要有兩種主流的測試方法,分別是單脈沖測試法和連續(xù)脈沖測試法[12]。顧名思義,單脈沖與連續(xù)脈沖的區(qū)別僅僅在于所加門極驅(qū)動脈沖的個數(shù)不同而已,其中連續(xù)脈沖測試的典型應(yīng)用為雙脈沖測試,圖1-3中a、b分別為單脈沖與連續(xù)脈沖信號示意圖。(a)單脈沖測試觸發(fā)信號(b)連續(xù)脈沖觸發(fā)信號圖1-3單脈沖與連續(xù)脈沖測試觸發(fā)信號Fig.1-3Singleandcontinuoustestingtriggersignals圖1-4所示為ABB開發(fā)的適用于IGCT、GTO以及二極管參數(shù)測試的設(shè)備與測試現(xiàn)場,該測試系統(tǒng)最高輸出電壓可達14kV,最大輸出電流10kA。測試時,測試夾具能夠提供最大240kN的壓力,并實現(xiàn)200℃范圍內(nèi)的準確加熱,并能冷卻到-40℃,具有良好的溫度控制功能。除此之外,該系統(tǒng)還包含了電容充電單元、可編程門極驅(qū)動單元以及數(shù)據(jù)采集與處理單元等。(a)IGCT、GTO與二極管測試設(shè)備(b)芯片測試現(xiàn)場圖1-4ABB公司IGCT、GTO與二極管測試系統(tǒng)Fig.1-4ABB"stestequipmentsystemofIGCT,GTOanddiode
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