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提高能量利用率的基片集成波導(dǎo)縫隙天線設(shè)計(jì)

發(fā)布時間:2021-03-29 05:31
  波導(dǎo)縫隙天線具有體積小、增益高、機(jī)械強(qiáng)度高及激勵電流分布易于控制等優(yōu)點(diǎn);刹▽(dǎo)(Substrate Integrated Waveguide,SIW)是一種新型平面?zhèn)鬏斁,具有波導(dǎo)的特征,同時又可以在印刷電路板上實(shí)現(xiàn)。將波導(dǎo)縫隙天線與基片集成波導(dǎo)相結(jié)合而成的SIW縫隙天線集成了兩者的優(yōu)點(diǎn),已成為天線領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一。然而,作為行波結(jié)構(gòu)的SIW縫隙天線,在其終端通常需接匹配負(fù)載以減小反射波,因此只有一部分輸入功率被縫隙輻射出去,很多能量被負(fù)載吸收,使得SIW縫隙天線的能量利用率較低。為了解決現(xiàn)有SIW縫隙天線能量利用率低的問題,本文主要圍繞如何構(gòu)造SIW縫隙天線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)而提高能量利用率展開研究,具體完成的工作包括以下幾個方面:(1)設(shè)計(jì)了一款串/并聯(lián)混合饋電的三路SIW縫隙天線。該天線為寬邊橫縫結(jié)構(gòu),縫隙間距遠(yuǎn)小于工作波長。在縱向尺寸不明顯增加的情況下,通過在中間一路SIW縫隙天線的末端加載T型結(jié)和彎曲結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了三路SIW縫隙天線的有效集成,以提高天線的能量利用率。此外,在天線后端的適當(dāng)位置加垂直反射板,使其后向輻射與前向輻射合成為單一主波束,以提高天線的增益。測試結(jié)果表明... 

【文章來源】:大連海事大學(xué)遼寧省 211工程院校

【文章頁數(shù)】:85 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

提高能量利用率的基片集成波導(dǎo)縫隙天線設(shè)計(jì)


圖1.2加載復(fù)合左右手結(jié)構(gòu)的半模SIW縫隙天線[1()]??Fig.?1.2?Half-mode?SIW?slot?antenna?with?CRLH?structure1101??

周期性,縫隙,天線


?大連海事大學(xué)專業(yè)學(xué)位碩士學(xué)位論文???0?〇??@?30?-^30??-60??°??義??-ISO^^-?i?^-^150??180?180??圖1.3復(fù)合左右手半模SIW縫隙天線的E面方向性圖l|u】??Fig.?1.3?Radiation?patterns?of?the?CRLH?half-mode?SIW?slot?antenna?in?the?E-plane間??在SIW上加載復(fù)合左右手結(jié)構(gòu)得到了許多研究者的關(guān)注與研究["-14]。文獻(xiàn)[11]在??SIW寬邊刻蝕Minkowski分形結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)全空域頻掃;文獻(xiàn)[12]使用T型交指縫隙實(shí)現(xiàn)??了前向到后向的圓極化輻射;文獻(xiàn)[13]在SIW寬邊開不等長度的交指型橫槽以降低副瓣:??文獻(xiàn)[14]通過加載雙周期CRLH結(jié)構(gòu),擴(kuò)展了左手區(qū)域范圍,使得頻掃范圍在左手和右??手區(qū)域幾乎相等,實(shí)現(xiàn)了連續(xù)后向前向波束掃描。??Microstrip?line?Vias?Slots?Microstrip?line??淨(jìng):麵??*—?30?—T?H??Units:?mm??圖1.4開周期性橫槽的SIW縫隙天線%??Fig.?1.4?SIW?slot?antenna?with?periodic?transverse?slotsi151??2012年,Juhua?Liu和David?R.?Jackson等人提出在SIW寬邊開周期性橫槽制成縫??隙天線[15],如圖1.4所示。該天線工作g?SIW的TE1()模式下,通過引入一組周期性的??橫槽切斷了頂部寬邊的電流來產(chǎn)生能量泄漏。泄漏模式、適當(dāng)?shù)牟▽?dǎo)模式和表面波模式??都可以在這種結(jié)構(gòu)上傳播。當(dāng)主瓣方

縫隙,天線


隙天線設(shè)計(jì)公式擴(kuò)展適用于縫隙非均:勾分布情況,以提高天線效率,最后構(gòu)造??了一個由縫隙的長度、偏移、間距和激勵大小四個參量組成的誤差函數(shù),并采用遺傳算??法和共軛梯度法相結(jié)合的優(yōu)化方法使誤差函數(shù)最小化,從而完成SIW縱縫天線的優(yōu)化??設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的SIW縱縫天線在10.0?10.4GHz頻率范圍內(nèi),副瓣電平小于-17dB,回??波損耗大于20dB。?'??2〇14年,Neelesh?.Gupta和V.?Dinesh?Kumar提出了一種縫隙寬度非均勻分布的的??SIW縫隙天線['如圖1.5所示。這些寬度不均勻的縫隙可用于減少副瓣電平和提高輻??射效率,同時也降低了反射損耗。所設(shè)計(jì)的SIW縫隙天線在10.4 ̄ll.7GHz頻率范圍內(nèi)??副瓣電平從均勻?qū)挾鹊模保常洌聹p少到非均勻分布的-15dB。??Microstrip?line?nt/iSlot?Vias??r……4:.f"…‘,……主…九…一…'??丨?…?“。??丨??<—30—+?220??+—30?—??Units:?mm??圖1.5非均勻縫隙SIW天線[17]??Fig.?1.5?Non-uniform?slotted?SIW?antenna[17]??周期橫槽形式的siw縫隙天線由于結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)方法和加工過程都相對簡單,被許??多學(xué)者關(guān)注[18%。文獻(xiàn)[18]提出采用具有蝴蝶構(gòu)型的橫槽以實(shí)現(xiàn)較低的主瓣方向和副瓣??電平。文獻(xiàn)[19]設(shè)計(jì)了橫槽長度服從泰勒分布的SIW縫隙天線以降低副瓣電平。文獻(xiàn)[20]??提出了能夠利用-1次諧波進(jìn)行后向輻射的周期橫槽SIW縫隙天線。文獻(xiàn)[21]提出了橫槽??長度變化服從二項(xiàng)式分布的設(shè)計(jì)。文獻(xiàn)[22]提出在SIW內(nèi)

【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]漏泄矩形波導(dǎo)與漏波天線輻射特性研究[D]. 霍興瀛.北京交通大學(xué) 2018
[2]基片集成波導(dǎo)技術(shù)的研究[D]. 郝張成.東南大學(xué) 2006
[3]基片集成波導(dǎo)不連續(xù)性問題的研究[D]. 李皓.東南大學(xué) 2005

碩士論文
[1]基片集成波導(dǎo)漏波天線的研究[D]. 盧永超.南京郵電大學(xué) 2017



本文編號:3106997

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