石英晶體傳感器在軟材料霍普金森壓桿實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用研究
本文關(guān)鍵詞:石英晶體傳感器在軟材料霍普金森壓桿實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:在軟材料的霍普金森壓桿(SHPB)實(shí)驗(yàn)中,采用石英晶體傳感器放大透射信號(hào)并監(jiān)測(cè)試樣兩端應(yīng)力平衡的方法已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。但是,目前的研究幾乎都忽略了透射桿端部存在的端部效應(yīng)對(duì)石英晶體傳感器信號(hào)的影響。本文通過有限元仿真和實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法,定量討論了端部效應(yīng)對(duì)石英晶體傳感器信號(hào)的影響,總結(jié)了相關(guān)規(guī)律并給出了減小端部效應(yīng)影響的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方案。在此基礎(chǔ)上,用透射桿端部石英晶體傳感器測(cè)透射信號(hào)的方法完成了3種型號(hào)道砟墊動(dòng)態(tài)力學(xué)性能的測(cè)試。首先運(yùn)用壓電學(xué)理論及有限元仿真的知識(shí),計(jì)算了單片X-切石英晶體傳感器在受靜力均布載荷作用下的電場(chǎng)強(qiáng)度和電壓值,說明了石英晶體傳感器仿真模型的正確性。然后,結(jié)合霍普金森壓桿實(shí)驗(yàn)知識(shí),用AAQUS有限元軟件建立了含石英晶體傳感器的霍普金森壓桿模型。調(diào)整石英晶體傳感器在透射桿中的位置,計(jì)算不同位置測(cè)得的電壓時(shí)程曲線,發(fā)現(xiàn)端部效應(yīng)的影響范圍為3倍桿徑以內(nèi)。在此基礎(chǔ)上,采用控制變量法,分別改變子彈的撞擊速度、試樣的楊氏模量、試樣的直徑、試樣的內(nèi)外徑比值等參數(shù),計(jì)算了相應(yīng)的電壓時(shí)程曲線,確定了各參數(shù)對(duì)端部效應(yīng)的影響情況。接著以EPDM為試樣,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了端部效應(yīng)影響隨子彈撞擊速度、試樣直徑、試樣內(nèi)外徑比值的變化情況。結(jié)合仿真和實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn)將試樣設(shè)計(jì)成直徑較大,內(nèi)外徑比值較大的環(huán)形可有效減小端部效應(yīng)影響�;谝陨涎芯拷Y(jié)果,設(shè)計(jì)了合理的試樣尺寸,對(duì)3種型號(hào)道砟墊進(jìn)行了霍普金森壓桿實(shí)驗(yàn),得到了材料在10OOs-1,220-1和3500s-1應(yīng)變率下的應(yīng)力應(yīng)變曲線及吸能率曲線,為道砟墊的數(shù)值模擬、選型及設(shè)計(jì)優(yōu)化提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
【關(guān)鍵詞】:霍普金森壓桿 端部效應(yīng) 石英晶體 有限元仿真 軟材料 道砟墊
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TP212
【目錄】:
- 致謝4-5
- 摘要5-6
- Abstract6-11
- 1 緒論11-21
- 1.1 霍普金森壓桿(SHPB)研究現(xiàn)狀11
- 1.2 SHPB在軟材料測(cè)試中的應(yīng)用11-14
- 1.3 石英晶體傳感器在SHPB中應(yīng)用的研究現(xiàn)狀14-18
- 1.4 本文研究的主要內(nèi)容18-19
- 1.5 本文研究的創(chuàng)新點(diǎn)19
- 1.6 論文結(jié)構(gòu)19-21
- 2 霍普金森壓桿實(shí)驗(yàn)及石英晶體傳感器的基本理論21-34
- 2.1 SHPB實(shí)驗(yàn)的基本理論21-25
- 2.2 石英晶體傳感器的基本理論25-31
- 2.2.1 石英晶體的壓電性能25-27
- 2.2.2 石英晶體的壓電方程27-29
- 2.2.3 石英晶體系數(shù)的坐標(biāo)變換29-31
- 2.3 X切石英晶體在SHPB中應(yīng)用的基本理論31-34
- 3 石英晶體靜力加載有限元分析34-43
- 3.1 引言34
- 3.2 石英晶體靜力加載理論計(jì)算34-36
- 3.3 石英晶體靜力加載有限元仿真36-42
- 3.4 本章小結(jié)42-43
- 4 考慮石英晶體傳感器的霍普金森壓桿有限元仿真分析43-62
- 4.1 引言43-44
- 4.2 考慮石英晶體傳感器的霍普金森壓桿有限元建模44-48
- 4.2.1 模型的建立與材料的定義44-45
- 4.2.2 網(wǎng)格劃分45
- 4.2.3 邊界條件及載荷的設(shè)定45-46
- 4.2.4 分析步的定義及任務(wù)的提交46-47
- 4.2.5 霍普金森壓桿有限元模型的校核47-48
- 4.3 端部效應(yīng)對(duì)石英晶體傳感器信號(hào)影響的有限元分析48-60
- 4.3.1 端部效應(yīng)的影響范圍48-50
- 4.3.2 試樣直徑對(duì)端部效應(yīng)的影響50-53
- 4.3.3 試樣楊氏模量對(duì)端部效應(yīng)的影響53-55
- 4.3.4 試樣內(nèi)外徑比值對(duì)端部效應(yīng)的影響55-59
- 4.3.5 子彈速度對(duì)端部效應(yīng)的影響59-60
- 4.4 本章小結(jié)60-62
- 5 端部效應(yīng)對(duì)石英晶體傳感器信號(hào)影響的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證62-75
- 5.1 實(shí)驗(yàn)裝置介紹62-63
- 5.2 石英晶體動(dòng)態(tài)標(biāo)定63-67
- 5.3 端部效應(yīng)對(duì)石英晶體傳感器信號(hào)影響的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證67-74
- 5.3.1 子彈速度對(duì)端部效應(yīng)影響的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證67-69
- 5.3.2 試樣直徑對(duì)端部效應(yīng)影響的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證69-72
- 5.3.3 試樣內(nèi)外徑比值對(duì)端部效應(yīng)影響的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證72-74
- 5.4 本章小結(jié)74-75
- 6 道砟墊動(dòng)態(tài)力學(xué)性能測(cè)試75-88
- 6.1 引言75-76
- 6.2 實(shí)驗(yàn)測(cè)試76-81
- 6.2.1 試樣尺寸設(shè)計(jì)76-78
- 6.2.2 實(shí)驗(yàn)介紹78-79
- 6.2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果79-81
- 6.3 應(yīng)變率效應(yīng)分析81-84
- 6.4 吸能率分析84-87
- 6.5 本章小結(jié)87-88
- 7 總結(jié)與展望88-90
- 7.1 總結(jié)88-89
- 7.2 展望89-90
- 參考文獻(xiàn)90-95
- 作者簡(jiǎn)歷95
- 攻讀碩士學(xué)位期間主要的研究成果95
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本文關(guān)鍵詞:石英晶體傳感器在軟材料霍普金森壓桿實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào):307365
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