大尺寸硅片拋光前道工序?qū)伖庑Ч挠绊懷芯?/H1>
發(fā)布時(shí)間：2017-12-20 04:10
本文關(guān)鍵詞：大尺寸硅片拋光前道工序?qū)伖庑Ч挠绊懷芯?/strong> 出處：《北京有色金屬研究總院》2017年碩士論文 論文類型：學(xué)位論文
更多相關(guān)文章： 200mm硅片 局部平整度 化學(xué)機(jī)械拋光 表面輪廓 雙面研磨 化學(xué)腐蝕 超精密磨削
【摘要】：隨著汽車電子,消費(fèi)電子和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)等多樣化芯片需求的快速增長(zhǎng),200mm硅片在半導(dǎo)體市場(chǎng)中有相當(dāng)高的占有率。隨著集成電路特征線寬的不斷減小,集成電路制造過(guò)程對(duì)硅片局部平整度(SFQR)的要求越來(lái)越高,目前200mm硅片的技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)做到0.13μm以下,這就對(duì)200mm硅片的平整度參數(shù)提出了更加嚴(yán)格的要求。然而,目前200mm硅片普遍采用單面拋光技術(shù),要想滿足此等平整度要求,還有很大的研究空間與研究?jī)r(jià)值。本文重點(diǎn)研究了拋光前道處理方式對(duì)拋光效果的影響,采用電容式幾何參數(shù)測(cè)試儀、顯微鏡以及輪廓儀等不同研究手段,分析了硅片表面起伏狀態(tài)對(duì)拋光局部平整度的影響。主要實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:基于拋光前腐蝕工藝對(duì)拋光后SFQR影響的實(shí)驗(yàn)。研究表明:不同的腐蝕處理方式會(huì)產(chǎn)生不同的表面狀態(tài),這會(huì)影響隨后的拋光過(guò)程,進(jìn)而影響拋光后的局部平整度,拋光后SFQR與拋光前的TTV以及TIR表現(xiàn)出了一定的相關(guān)性。隨著酸腐蝕去除量的增加,硅片拋光后的SFQR逐漸變大,而在保持其他腐蝕條件相同的情況下,酸腐蝕過(guò)程中硅片的旋轉(zhuǎn)則對(duì)拋光后SFQR影響甚微;堿腐蝕片拋光后SFQR數(shù)據(jù)明顯優(yōu)于酸腐蝕片,酸腐蝕片中心區(qū)域SFQR數(shù)值較其他區(qū)域更大;KOH堿腐蝕與NaOH堿腐蝕硅片表面粗糙度存在較大差異,但是拋光后SFQR分布狀況差異不明顯;拋光后SFQR數(shù)據(jù)受來(lái)片表面起伏狀態(tài)影響較強(qiáng),但產(chǎn)生顯著影響的表面起伏不是反應(yīng)表面粗糙度信息的高頻短波長(zhǎng)起伏,而是能夠反應(yīng)硅片表面輪廓信息的低頻長(zhǎng)波長(zhǎng)起伏。同時(shí),本文研究了拋光前不同的背面狀態(tài)對(duì)拋光后SFQR的影響。研究發(fā)現(xiàn):硅片背面的起伏狀態(tài)會(huì)影響拋光過(guò)程進(jìn)而會(huì)影響拋光后的輸出結(jié)果,超精密磨削以及背面化學(xué)機(jī)械拋光處理,都能在一定程度上將背面修平,從而能夠得到較為優(yōu)異的拋光后SFQR;貼片工藝會(huì)對(duì)拋光后SFQR產(chǎn)生一定影響,但是遠(yuǎn)沒(méi)有腐蝕工藝那么明顯。涂蠟后低速度的硅片旋轉(zhuǎn)有利于獲得一個(gè)較厚的蠟?zāi)?這能在一定程度上彌補(bǔ)硅片背面的起伏,從而有利于獲得較為優(yōu)異的拋光后SFQR;貼蠟拋光能在一定限度內(nèi)對(duì)硅片的平整度進(jìn)行修正,貼片過(guò)程引入較大的顆粒、氣泡等雜質(zhì)時(shí),會(huì)將硅片正面頂起,從而造成硅片正面的過(guò)度拋光現(xiàn)象,最終導(dǎo)致拋光面出現(xiàn)dimple等缺陷,拋光后SFQR較差。這也說(shuō)明硅片背面起伏會(huì)對(duì)拋光后SFQR產(chǎn)生較為顯著的影響。
【學(xué)位授予單位】：北京有色金屬研究總院
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TN305.2
【參考文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
1 田巧偉;檀柏梅;高寶紅;黃妍妍;劉楠;蘇偉東;;微腐蝕去除硅襯底表面損傷及污染物研究[J];微納電子技術(shù);2012年12期
2 張發(fā)云;葉建雄;;多晶硅表面酸腐蝕制備絨面研究[J];光子學(xué)報(bào);2011年02期
3 V.POUVAFAR;S.A.SADOUGH;F.HOSSEINJ;M.R.RAHMANI;;Design of experiments for determination of influence of different parameters on mechanical properties of semi-solid extruded parts[J];Transactions of Nonferrous Metals Society of China;2010年S3期
4 夏偉鋒;馮飛;王權(quán);熊斌;戈肖鴻;;KOH各向異性腐蝕中預(yù)處理對(duì)硅表面粗糙度的影響[J];半導(dǎo)體光電;2010年04期
5 馮地直;;電阻率對(duì)電容法測(cè)Si片厚度的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2010年05期
6 曾毅波;王凌云;谷丹丹;孫道恒;;超聲技術(shù)在硅濕法腐蝕中的應(yīng)用[J];光學(xué)精密工程;2009年01期
7 劉玉嶺;張國(guó)華;;硅片雙面研磨加工技術(shù)研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2008年12期
8 陳海濱;周旗鋼;萬(wàn)關(guān)良;肖清華;;300mm雙面磨削硅片表面紋路模擬[J];稀有金屬;2007年06期
9 樊麗梅;文九巴;趙勝利;祝要民;;化學(xué)蝕刻單晶硅及其表面形貌研究[J];表面技術(shù);2007年01期
10 郭東明,康仁科,蘇建修,金洙吉;超大規(guī)模集成電路制造中硅片平坦化技術(shù)的未來(lái)發(fā)展[J];機(jī)械工程學(xué)報(bào);2003年10期
中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條
1 潘書生;氮摻雜SnO_2薄膜生長(zhǎng)與物性研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（合肥物質(zhì)科學(xué)研究院）;2007年
2 田業(yè)冰;大尺寸硅片磨削平整化理論與工藝技術(shù)的研究[D];大連理工大學(xué);2007年
3 蘇建修;IC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究[D];大連理工大學(xué);2006年
4 張銀霞;單晶硅片超精密磨削加工表面層損傷的研究[D];大連理工大學(xué);2006年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 王永濤;雙面拋光去除非均勻性研究[D];北京有色金屬研究總院;2012年
，
本文編號(hào)：1310689
本文鏈接：http://sikaile.net/shoufeilunwen/xixikjs/1310689.html
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更多相關(guān)文章： 200mm硅片 局部平整度 化學(xué)機(jī)械拋光 表面輪廓 雙面研磨 化學(xué)腐蝕 超精密磨削
【摘要】：隨著汽車電子,消費(fèi)電子和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)等多樣化芯片需求的快速增長(zhǎng),200mm硅片在半導(dǎo)體市場(chǎng)中有相當(dāng)高的占有率。隨著集成電路特征線寬的不斷減小,集成電路制造過(guò)程對(duì)硅片局部平整度(SFQR)的要求越來(lái)越高,目前200mm硅片的技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)做到0.13μm以下,這就對(duì)200mm硅片的平整度參數(shù)提出了更加嚴(yán)格的要求。然而,目前200mm硅片普遍采用單面拋光技術(shù),要想滿足此等平整度要求,還有很大的研究空間與研究?jī)r(jià)值。本文重點(diǎn)研究了拋光前道處理方式對(duì)拋光效果的影響,采用電容式幾何參數(shù)測(cè)試儀、顯微鏡以及輪廓儀等不同研究手段,分析了硅片表面起伏狀態(tài)對(duì)拋光局部平整度的影響。主要實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:基于拋光前腐蝕工藝對(duì)拋光后SFQR影響的實(shí)驗(yàn)。研究表明:不同的腐蝕處理方式會(huì)產(chǎn)生不同的表面狀態(tài),這會(huì)影響隨后的拋光過(guò)程,進(jìn)而影響拋光后的局部平整度,拋光后SFQR與拋光前的TTV以及TIR表現(xiàn)出了一定的相關(guān)性。隨著酸腐蝕去除量的增加,硅片拋光后的SFQR逐漸變大,而在保持其他腐蝕條件相同的情況下,酸腐蝕過(guò)程中硅片的旋轉(zhuǎn)則對(duì)拋光后SFQR影響甚微;堿腐蝕片拋光后SFQR數(shù)據(jù)明顯優(yōu)于酸腐蝕片,酸腐蝕片中心區(qū)域SFQR數(shù)值較其他區(qū)域更大;KOH堿腐蝕與NaOH堿腐蝕硅片表面粗糙度存在較大差異,但是拋光后SFQR分布狀況差異不明顯;拋光后SFQR數(shù)據(jù)受來(lái)片表面起伏狀態(tài)影響較強(qiáng),但產(chǎn)生顯著影響的表面起伏不是反應(yīng)表面粗糙度信息的高頻短波長(zhǎng)起伏,而是能夠反應(yīng)硅片表面輪廓信息的低頻長(zhǎng)波長(zhǎng)起伏。同時(shí),本文研究了拋光前不同的背面狀態(tài)對(duì)拋光后SFQR的影響。研究發(fā)現(xiàn):硅片背面的起伏狀態(tài)會(huì)影響拋光過(guò)程進(jìn)而會(huì)影響拋光后的輸出結(jié)果,超精密磨削以及背面化學(xué)機(jī)械拋光處理,都能在一定程度上將背面修平,從而能夠得到較為優(yōu)異的拋光后SFQR;貼片工藝會(huì)對(duì)拋光后SFQR產(chǎn)生一定影響,但是遠(yuǎn)沒(méi)有腐蝕工藝那么明顯。涂蠟后低速度的硅片旋轉(zhuǎn)有利于獲得一個(gè)較厚的蠟?zāi)?這能在一定程度上彌補(bǔ)硅片背面的起伏,從而有利于獲得較為優(yōu)異的拋光后SFQR;貼蠟拋光能在一定限度內(nèi)對(duì)硅片的平整度進(jìn)行修正,貼片過(guò)程引入較大的顆粒、氣泡等雜質(zhì)時(shí),會(huì)將硅片正面頂起,從而造成硅片正面的過(guò)度拋光現(xiàn)象,最終導(dǎo)致拋光面出現(xiàn)dimple等缺陷,拋光后SFQR較差。這也說(shuō)明硅片背面起伏會(huì)對(duì)拋光后SFQR產(chǎn)生較為顯著的影響。
【學(xué)位授予單位】：北京有色金屬研究總院
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TN305.2
【參考文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
1 田巧偉;檀柏梅;高寶紅;黃妍妍;劉楠;蘇偉東;;微腐蝕去除硅襯底表面損傷及污染物研究[J];微納電子技術(shù);2012年12期
2 張發(fā)云;葉建雄;;多晶硅表面酸腐蝕制備絨面研究[J];光子學(xué)報(bào);2011年02期
3 V.POUVAFAR;S.A.SADOUGH;F.HOSSEINJ;M.R.RAHMANI;;Design of experiments for determination of influence of different parameters on mechanical properties of semi-solid extruded parts[J];Transactions of Nonferrous Metals Society of China;2010年S3期
4 夏偉鋒;馮飛;王權(quán);熊斌;戈肖鴻;;KOH各向異性腐蝕中預(yù)處理對(duì)硅表面粗糙度的影響[J];半導(dǎo)體光電;2010年04期
5 馮地直;;電阻率對(duì)電容法測(cè)Si片厚度的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2010年05期
6 曾毅波;王凌云;谷丹丹;孫道恒;;超聲技術(shù)在硅濕法腐蝕中的應(yīng)用[J];光學(xué)精密工程;2009年01期
7 劉玉嶺;張國(guó)華;;硅片雙面研磨加工技術(shù)研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2008年12期
8 陳海濱;周旗鋼;萬(wàn)關(guān)良;肖清華;;300mm雙面磨削硅片表面紋路模擬[J];稀有金屬;2007年06期
9 樊麗梅;文九巴;趙勝利;祝要民;;化學(xué)蝕刻單晶硅及其表面形貌研究[J];表面技術(shù);2007年01期
10 郭東明,康仁科,蘇建修,金洙吉;超大規(guī)模集成電路制造中硅片平坦化技術(shù)的未來(lái)發(fā)展[J];機(jī)械工程學(xué)報(bào);2003年10期
中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條
1 潘書生;氮摻雜SnO_2薄膜生長(zhǎng)與物性研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（合肥物質(zhì)科學(xué)研究院）;2007年
2 田業(yè)冰;大尺寸硅片磨削平整化理論與工藝技術(shù)的研究[D];大連理工大學(xué);2007年
3 蘇建修;IC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究[D];大連理工大學(xué);2006年
4 張銀霞;單晶硅片超精密磨削加工表面層損傷的研究[D];大連理工大學(xué);2006年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 王永濤;雙面拋光去除非均勻性研究[D];北京有色金屬研究總院;2012年
，本文編號(hào)：1310689
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