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硒化鉍光熱殺傷A549細(xì)胞及誘導(dǎo)自噬的研究

發(fā)布時(shí)間:2024-02-01 13:22
  目的:制備具有分散性好、穩(wěn)定性高、光熱轉(zhuǎn)換能力良好的硒化鉍(bismuth selenide,Bi2Se3)納米材料,將其應(yīng)用于光熱治療(photothermal therapy,PTT),考察其在近紅外(near infrared reflection,NIR)光照射下能否誘導(dǎo)肺癌A549細(xì)胞的自噬,并進(jìn)一步探究自噬在A549細(xì)胞光熱殺傷中的作用。方法:采用“綠色”溶劑熱法合成聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone,PVP)修飾的Bi2Se3納米片,通過透射電子顯微鏡(transmission electron microscope,TEM)、動(dòng)態(tài)光散射(dynamic light scattering,DLS)、Zeta電位和紫外分光光度計(jì)等方法對其進(jìn)行表征,利用光熱轉(zhuǎn)換試驗(yàn)考察其光熱轉(zhuǎn)換能力與光穩(wěn)定性。以A549細(xì)胞株為細(xì)胞模型,采用CCK-8法檢測Bi2Se3對A549細(xì)胞的毒性,考察其生物相容性,并以此法檢測光強(qiáng)為1.0 W/c...

【文章頁數(shù)】:73 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-1PVP-Bi2Se3納米材料合成示意圖

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山西醫(yī)科大學(xué)碩士學(xué)位論文5圖1-1PVP-Bi2Se3納米材料合成示意圖Fig.1-1SchematicdiagramofPVP-Bi2Se3nanomaterialssynthesis1.2.2Bi2Se3的結(jié)構(gòu)表征1.2.2.1透射電鏡分析采用透射電子顯微鏡(TEM)分析Bi....


圖1-2Bi2Se3的TEM(a)與HRTEM(b)表征圖

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山西醫(yī)科大學(xué)碩士學(xué)位論文6在光強(qiáng)為1.0W/cm2的NIR光下進(jìn)行照射。每隔30s記錄一次各樣品的溫度,并繪制溫度曲線;以50μg/mL的Bi2Se3作為研究對象,使用光強(qiáng)為1.0W/cm2的808nmNIR光照射10min,然后關(guān)閉激光器,待溶液溫度恢復(fù)至初始溫度,再次使用該激....


圖1-3Bi2Se3的紫外-可見吸收光譜(a)及其分散圖(b)

圖1-3Bi2Se3的紫外-可見吸收光譜(a)及其分散圖(b)

山西醫(yī)科大學(xué)碩士學(xué)位論文7圖1-3Bi2Se3的紫外-可見吸收光譜(a)及其分散圖(b)Fig.1-3UV-Visabsorptionspectra(a)anddispersiondiagram(b)ofBi2Se32.2.2水合粒徑和Zeta電位測定動(dòng)態(tài)光散射(DLS)用于研究....


圖1-4Bi2Se3的粒徑分布圖

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山西醫(yī)科大學(xué)碩士學(xué)位論文7圖1-3Bi2Se3的紫外-可見吸收光譜(a)及其分散圖(b)Fig.1-3UV-Visabsorptionspectra(a)anddispersiondiagram(b)ofBi2Se32.2.2水合粒徑和Zeta電位測定動(dòng)態(tài)光散射(DLS)用于研究....



本文編號:3892187

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