鈣鈦礦材料因其載流子擴(kuò)散距離長(zhǎng)、發(fā)光效率高、發(fā)光光譜可調(diào)、缺陷容忍度高和可溶液加工等特點(diǎn),在太陽(yáng)能電池、顯示、發(fā)光二極管和探測(cè)器等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。特別是在顯示和發(fā)光二極管應(yīng)用上,鈣鈦礦材料的高熒光量子產(chǎn)率和發(fā)光峰窄的特性,打開(kāi)了廣色域顯示的大門(mén),然而相比于綠光和紅光發(fā)射的鈣鈦礦材料,藍(lán)光發(fā)射的鈣鈦礦發(fā)展緩慢,熒光量子產(chǎn)率不高。因此提高藍(lán)光鈣鈦礦的發(fā)光效率和穩(wěn)定性,解決鉛毒性的問(wèn)題,對(duì)進(jìn)一步提升色域以及開(kāi)發(fā)電致發(fā)光白光顯示起到關(guān)鍵性的作用。本文瞄準(zhǔn)這一前沿研究方向,利用等離子體共振增強(qiáng)了高度穩(wěn)定的藍(lán)光鉛鹵鈣鈦礦的發(fā)光,以及制備了穩(wěn)定的,非鉛的藍(lán)光鈣鈦礦新材料和電致發(fā)光二極管器件,具體內(nèi)容如下:1.采用與工業(yè)生產(chǎn)契合的靜電紡絲法,原位制備了聚合物包裹的鉛鹵鈣鈦礦量子點(diǎn)紡絲膜。根據(jù)前驅(qū)體中鹵素比例的調(diào)節(jié),可以在藍(lán)光-綠光范圍內(nèi)調(diào)節(jié)發(fā)光。所得的小尺寸（3.4nm）的鈣鈦礦量子點(diǎn)均勻分布在聚合物中,沒(méi)有外露。因此在聚合物的保護(hù)下,鈣鈦礦量子點(diǎn)的穩(wěn)定性有了巨大提升。另一方面,通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)間,制備了均勻尺寸的銀納米粒子,其共振吸收峰與鈣鈦礦的發(fā)射峰匹配良好。進(jìn)而采用靜電紡絲法,將制備的聚合... 

【文章來(lái)源】：中央民族大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－３乳液法（ａ）和熱注入法（ｂ）合成ＰＱＤｓ的原理圖丨１０’１５】，（ｃ）通過(guò)熱注入法合成的ＣｓＰｂＢｒ３??ＰＱＤｓ的透射電鏡照片丨１２】??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃａｌ?ｉｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＰＱＤ?ｅｍｕｌｓｉｏｎ?ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ?（ａ）?ａｎｄ?ｈｏｔ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ?（ｂ）．１１０＇１５］??（ｃ）?Ｔｙｐｉｃａｌ?ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ＣｓＰ?

斯托克斯位移�。核雇锌怂刮灰频闹蹬c再吸收效應(yīng)有關(guān)，再吸收效應(yīng)是發(fā)光的自我??淬滅，這會(huì)嚴(yán)重降低量子點(diǎn)的ＰＬＱＹ。傳統(tǒng)的鎘量子點(diǎn)中，斯托克斯位移平均測(cè)量值為??４０?ｍｅＶ。最近，Ｂｒｅｎｎａｎ等人報(bào)道了在ＣｓＰｂＢｒ３量子點(diǎn)中斯托克斯位移與尺寸的依賴(lài)性，??研究顯示，ＣｓＰｂＢｒ３ＱＤｓ的斯托克斯位移范圍為１００－３０ｍｅＶ，邊緣長(zhǎng)度在４－１２ｎｍ之間，??圖１－４?（ｃ）說(shuō)明了斯托克斯位移與邊緣長(zhǎng)度的關(guān)系，并且尺寸較大的ＰＱＤｓ表現(xiàn)出較低??的?ＰＬＱＹ［２３］。??（ａ）?（ｃ）????／?ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ????？．ｃｓ?＿??＾?＾—、、?一＾＝；＞??｜ｉ?ｊ?：：：：：：：：：：：：：?ｉ?＝－?Ｉ?Ｓ?？?＼?■■?Ｅ??ｇ?ｄｅｅｐａｎｄ＇ｏｒ?’?：?Ｓｔｏｋｅｓ?ｃ??＜Ｄ?ｉ?ｓｈａｌｌｏｗ?ｓｔａｔｅｓ／?ｏ?Ｓｈｉｆｔ?／?７?＼?ｊ?￡?ｏ?％?２??＝／?｜?／?Ａ?ｖｙ｜?｝?＼??ｂａｎｄ?１?二?ｑ?／?＼?＾??ｄｅｆｅｃｔ－?ｄｅｆｅｃｔ－?＾?｜４．?．．．??ｉｎｔｏｌｅｒａｎｔ?ｔｏｌｅｒａｎｔ?Ｅｎｅｒｇｙ?（ｅＶ）?Ｅｄｇｅ?Ｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）??（ｂ）???＃＾１；?＾?｜：?ｆｅ?０＃??＃?＝?Ｃｌ?ＮＣｓ?Ｃ＜Ｐｂ＜ｌ：Ｂｎ，?ＣｔＰｂ＜Ｂｒ＜Ｄ，????■?Ｍｌ?Ｉ??１．６?１?９?２．２?２．５?２．８?３．１?３．４??Ｅｎｅｒｇｙ?（ｅＶ）??圖１－４?（ａ）兩種半導(dǎo)體帶結(jié)構(gòu)的示意圖［Ｂ］，?（ｂ）陰離子交換制備得到的ＣｓＰｂ（Ｂｒ：Ｘ）３（Ｘ

ｅｌｔｓ?Ｎａｎｏｐｌａｔｅｌｅｔｓ??（ｂ）?（ｃ）?????ｘ?＼?／?ＰＬＥ?ｉ?ＰＬ?蟲(chóng)??Ｔｗｖ?ｉ?Ｉ?Ｉｋ??＿衛(wèi)１一?１?ｉ?＊?ｍ??２００?３００?４００?５００?６００??Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）??（ｄ）?＾????ｚ?ｉ?／?－?！ｉ?＾?Ｆｔ?／．?．ｊＪＬＬｌｊｌｉｉ：??、－，?’?ｍｋ＾?、、，?ｆ?ｉ?１?ｊｌ！?＊?Ｉ－＇？＇??１０?２０?３０?４０?ＳＯ?６０??２－Ｔｈｅｔａ?（Ｄｅｇｒｅｅ）??圖１－５?（ａ）不同形貌的Ｃｓ２Ｓｎ丨６納米晶的合成示意圖［４５］，?（ｂ）?Ｃｌ＿離子飩化ＭＡ３Ｂｉ２Ｂｒ９?ＰＱＤｓ模型??（左）以及在３２５?ｍｎ紫外燈照射下不同Ｃｌ－濃度的ＰＱＤｓ的照片（右）［４７］，?（ｃ）Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５薄膜的激??發(fā)光譜和發(fā)射光譜，插圖為２５４?ｎｍ激發(fā)下Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５薄膜的照片［５０】，（ｄ）?Ｃｓ２ＡｇＢｉＢｒ６ＮＣｓ的熱注入??法合成路線（左）以及在不同環(huán)境中測(cè)量的Ｃｓ２ＡｇＢｉＢｒ６的Ｘ射線衍射圖［５２］??Ｆｉｇ．?１－５?（ａ）?Ｓｃｈｅｍｅ?ｏｆ?ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ?ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ?ｏｆ?Ｃｓ２Ｓｎｌ６?ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ?ＮＣｓＪ４５Ｊ?（ｂ）?Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ?ｍｏｄｅｌ?（ｌｅｆｔ）?ａｎｄ??ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｓ?（ｒｉｇｈｔ）?ｏｆ?Ｃｌ．ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ?ＭＡ３ＢｂＢｒ９?ＰＱＤｓ?ｕｎｄｅｒ?ａ?３２５?ｎｍ?ＵＶ?ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ．�。矗罚�?（ｃ）?ＰＬ?ａｎｄ?ＰＬＥ??ｓｐｅｃｔｒａ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＣＳ３Ｃ１１２Ｉ５?ｆｉｌｍ．?Ｉｎｓｅｔ：?Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈ


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