200MeV能量范圍內(nèi)光子誘發(fā) 50,51 V與 209 Bi核反應(yīng)數(shù)據(jù)評價
發(fā)布時間:2023-12-24 11:55
光核反應(yīng)數(shù)據(jù)(Photonuclear Data,PD)是核裝置輸運計算中的重要數(shù)據(jù),同時在核廢料嬗變、放射性醫(yī)療、器件輻射損傷、爆炸物檢測以及基礎(chǔ)核天體研究等多領(lǐng)域都有重要價值。從二十世紀五十年代開始,從韌致輻射光譜到正電子湮滅準單能光源再到激光康普頓背散射光源,人們一直在建立并改善測量條件以得到更好的光核反應(yīng)實驗值。同時,美國和國際原子能機構(gòu)(IAEA)發(fā)起國際合作評價光核數(shù)據(jù),1999年形成了IAEA-PD庫供研究者使用。但受到當時實驗方法與評價水平的限制,該PD數(shù)據(jù)質(zhì)量與數(shù)量均無法滿足應(yīng)用需要。近年來,隨著日本、羅馬尼亞、中國等大型LCS裝置的建立和環(huán)比探測技術(shù)的發(fā)展,一批高水平光核反應(yīng)實驗測量已經(jīng)出現(xiàn)。IAEA從2016年發(fā)起新一期國際合作更新IAEA-PD數(shù)據(jù)庫,中國核數(shù)據(jù)中心參加了該項目,與南開大學(xué)合作建立了全新的中重核光核反應(yīng)計算程序MEND-G,能量可達200MeV;谝陨涎芯,本工作針對200MeV范圍內(nèi),光子誘發(fā)結(jié)構(gòu)材料核釩(50,51V)和鉍(209Bi)核反應(yīng)數(shù)據(jù)進行全新評價研究:首先,系統(tǒng)收集50,51...
【文章頁數(shù)】:68 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 引言
1.1 本工作的研究意義與背景
1.2 光核反應(yīng)評價方法及研究現(xiàn)狀
1.3 本工作采用的主要研究方式
第二章 200MeV范圍內(nèi)光核反應(yīng)理論
2.1 核反應(yīng)的三個階段
2.2 光子強度函數(shù)(PSF)計算方法
2.3 細致平衡過程中的光學(xué)模型
2.4 平衡態(tài)粒子發(fā)射
2.5 預(yù)平衡態(tài)粒子發(fā)射
第三章 光子誘發(fā)51V與209Bi的實驗數(shù)據(jù)分析與評價
3.1 光核反應(yīng)相關(guān)的實驗測量方法
3.1.1 軔致輻射
3.1.2 正電子湮滅準單能光源
3.1.3 激光康普頓背散射
3.2 51V光核反應(yīng)實驗測量數(shù)據(jù)分析評價
3.3 209Bi光核反應(yīng)實驗測量數(shù)據(jù)分析評價
第四章 光子誘發(fā)50,51V與209Bi的計算結(jié)果分析
4.1 51V的模型參數(shù)與結(jié)果討論
4.1.1 光子強度函數(shù)計算50,51V吸收截面比較
4.1.2 51V模型參數(shù)
4.1.3 50,51V理論計算結(jié)果與討論
4.2 209Bi的模型參數(shù)與結(jié)果討論
4.2.1 209Bi模型參數(shù)
4.2.2 209Bi理論計算與不確定度分析
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
個人簡歷及在學(xué)期間的研究成果和發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝
本文編號:3874462
【文章頁數(shù)】:68 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 引言
1.1 本工作的研究意義與背景
1.2 光核反應(yīng)評價方法及研究現(xiàn)狀
1.3 本工作采用的主要研究方式
第二章 200MeV范圍內(nèi)光核反應(yīng)理論
2.1 核反應(yīng)的三個階段
2.2 光子強度函數(shù)(PSF)計算方法
2.3 細致平衡過程中的光學(xué)模型
2.4 平衡態(tài)粒子發(fā)射
2.5 預(yù)平衡態(tài)粒子發(fā)射
第三章 光子誘發(fā)51V與209Bi的實驗數(shù)據(jù)分析與評價
3.1 光核反應(yīng)相關(guān)的實驗測量方法
3.1.1 軔致輻射
3.1.2 正電子湮滅準單能光源
3.1.3 激光康普頓背散射
3.2 51V光核反應(yīng)實驗測量數(shù)據(jù)分析評價
3.3 209Bi光核反應(yīng)實驗測量數(shù)據(jù)分析評價
第四章 光子誘發(fā)50,51V與209Bi的計算結(jié)果分析
4.1 51V的模型參數(shù)與結(jié)果討論
4.1.1 光子強度函數(shù)計算50,51V吸收截面比較
4.1.2 51V模型參數(shù)
4.1.3 50,51V理論計算結(jié)果與討論
4.2 209Bi的模型參數(shù)與結(jié)果討論
4.2.1 209Bi模型參數(shù)
4.2.2 209Bi理論計算與不確定度分析
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
個人簡歷及在學(xué)期間的研究成果和發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝
本文編號:3874462
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