超材料吸收器由于具有吸收率高、頻帶寬、厚度薄、質(zhì)量輕、設(shè)計(jì)簡易、易加工等優(yōu)勢,在微波、光波、尤其太赫茲波段備受關(guān)注。已有的研究表明,可通過合理地設(shè)計(jì)和優(yōu)化超材料吸收器單元結(jié)構(gòu)的形狀、尺寸、排列方式等,使其等效阻抗與自由空間阻抗相匹配,實(shí)現(xiàn)對電磁波的近似完美吸收。最近幾年,人們對超材料吸收器的研究逐漸深入,工作頻率從微波波段到光頻,從單頻到多頻甚至寬頻帶,性能上從追求更高的吸收率過渡到兼顧極化不敏感、寬入射角度等方面。為了滿足實(shí)際應(yīng)用需要,擴(kuò)展吸收器的工作頻段和范圍,最近有關(guān)于可調(diào)諧或可開關(guān)超材料吸收器的研究成為一個(gè)熱點(diǎn)�；诎雽�(dǎo)體材料的光敏特性,通過調(diào)節(jié)外部泵浦光的強(qiáng)度,可有效調(diào)節(jié)嵌入所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)中的光敏感半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,從而實(shí)現(xiàn)頻率和吸收率的可調(diào)諧。本論文以太赫茲吸收器為研究對象,提出了兩種基于半導(dǎo)體材料的光激發(fā)可開關(guān)太赫茲吸收器,并仿真研究了其吸收特性和吸收機(jī)理。主要研究內(nèi)容如下:1)基于半導(dǎo)體材料的光敏特性,通過在諧振器結(jié)構(gòu)中嵌入半導(dǎo)體硅塊,設(shè)計(jì)了一種光激發(fā)可開關(guān)單/雙頻太赫茲吸收器。通過改變硅塊的嵌入位置,可在0.4 THz¹.4 THz頻段獲得兩種不同形式...

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 超材料吸收器與太赫茲波簡介
    1.2 太赫茲超材料吸收器的研究進(jìn)展
        1.2.1 傳統(tǒng)的太赫茲超材料吸收器
        1.2.2 可調(diào)諧/可開關(guān)太赫茲超材料吸收器
    1.3 論文主要內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排
第二章 光激發(fā)可開關(guān)單/雙頻帶太赫茲超材料吸收器
    2.1 吸收器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及等效電路
        2.1.1 單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及仿真設(shè)置
        2.1.2 單元結(jié)構(gòu)的等效電路
    2.2 可開關(guān)特性的仿真結(jié)果及分析
    2.3 從電場和電流分析可開關(guān)吸收機(jī)制
    2.4 極化不敏感和寬入射角度的吸收特性
    2.5 本章小結(jié)
第三章 光激發(fā)可開關(guān)單/單/雙頻三態(tài)太赫茲超材料吸收器
    3.1 單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    3.2 單/單/雙頻可開關(guān)吸收特性
    3.3 三種狀態(tài)下的電場和表面電流分析
    3.4 電磁波極化角和入射角對吸收性能的影響
    3.5 本章小結(jié)
第四章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間取得的研究成果
致謝
個(gè)人簡況及聯(lián)系方式



本文編號：3826279