Bi-S二元體系的高溫高壓研究
發(fā)布時間:2023-05-13 01:05
在高壓下,很多物質(zhì)都會出現(xiàn)豐富的相變行為,深入理解高壓下電子拓撲相變和結(jié)構(gòu)相變機制就顯得尤為重要。過渡金屬硫化合物其中的金屬元素具有未填滿的d軌道,尤其是5d過渡金屬硫化物,具有強自旋軌道耦合(SOC)相互作用,蘊含豐富的物理性質(zhì)。這些奇異性質(zhì)對壓力、溫度、摻雜等可調(diào)參數(shù)非常敏感,同時,高壓下發(fā)現(xiàn)其他結(jié)構(gòu)形態(tài)、其他化學計量配比的化合物也備受關(guān)注。基于上述認識,我們進行了高溫高壓極端條件下Bi-S二元化合物的穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)相演化的研究。首先,常溫高壓同步輻射X射線衍射表明,Bi2S3晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,在48GPa發(fā)生壓力誘導的結(jié)構(gòu)無序非晶化,由晶格參數(shù)比率c/a隨壓力變化的非線性行為判斷在4GPa左右有可能發(fā)生了電子拓撲相變。隨后的高壓下電輸運性質(zhì)測試證實了同步輻射X射線的結(jié)果,在壓力作用下費米能級附近的電子態(tài)密度重新排布,這種費米面的重構(gòu)常常伴有強烈的各向異性的晶格縮減,所以導致晶格參數(shù)比率c/a與壓力依賴性變化是非線性關(guān)系。其次,我們利用激光加溫高溫高壓實驗方法制備了一種Bi-S體系新型化學計量比的立方BiS晶體。激光加溫高溫高壓同步輻射X射線衍...
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
abstract
第一章 超高壓技術(shù)概論
1.1 高壓物理學簡介
1.2 高壓實驗技術(shù)的分類
1.2.1 靜態(tài)高壓技術(shù)
1.2.2 動態(tài)高壓技術(shù)
1.3 金剛石對頂砧
1.4 壓力標定
1.5 傳壓介質(zhì)
1.6 絕緣墊片制作和樣品組裝
1.7 論文選題的目的及意義
第二章 Bi2S3的高壓同步輻射研究
2.1 同步輻射概述
2.2 同步輻射光的特點
2.3 Bi2S3高壓同步輻射X射線衍射(XRD)測量
2.4 本章小結(jié)
第三章 高壓下Bi2S3的電輸運性質(zhì)研究
3.1 高壓下Bi2S3的交流阻抗譜測量
3.1.1 高壓交流阻抗譜測量技術(shù)
3.1.2 Bi2S3的交流阻抗譜測量分析
3.2 高壓下Bi2S3的電阻率測量
3.2.1 高壓直流電阻率測量技術(shù)
3.2.2 Bi2S3的電阻率測量分析
3.3 本章小結(jié)
第四章 金屬態(tài)BiS的高溫高壓制備
4.1 激光加溫技術(shù)介紹
4.2 Bi2S3的高溫高壓實驗
4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
作者簡介及科研成果
致謝
本文編號:3814989
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
abstract
第一章 超高壓技術(shù)概論
1.1 高壓物理學簡介
1.2 高壓實驗技術(shù)的分類
1.2.1 靜態(tài)高壓技術(shù)
1.2.2 動態(tài)高壓技術(shù)
1.3 金剛石對頂砧
1.4 壓力標定
1.5 傳壓介質(zhì)
1.6 絕緣墊片制作和樣品組裝
1.7 論文選題的目的及意義
第二章 Bi2S3的高壓同步輻射研究
2.1 同步輻射概述
2.2 同步輻射光的特點
2.3 Bi2S3高壓同步輻射X射線衍射(XRD)測量
2.4 本章小結(jié)
第三章 高壓下Bi2S3的電輸運性質(zhì)研究
3.1 高壓下Bi2S3的交流阻抗譜測量
3.1.1 高壓交流阻抗譜測量技術(shù)
3.1.2 Bi2S3的交流阻抗譜測量分析
3.2 高壓下Bi2S3的電阻率測量
3.2.1 高壓直流電阻率測量技術(shù)
3.2.2 Bi2S3的電阻率測量分析
3.3 本章小結(jié)
第四章 金屬態(tài)BiS的高溫高壓制備
4.1 激光加溫技術(shù)介紹
4.2 Bi2S3的高溫高壓實驗
4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻
作者簡介及科研成果
致謝
本文編號:3814989
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