發(fā)布時(shí)間：2017-03-22 05:14

  本文關(guān)鍵詞：內(nèi)含金屬納米顆粒的量子點(diǎn)交流電致發(fā)光器件，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：摻Mn半導(dǎo)體量子點(diǎn)的對(duì)外界環(huán)境不敏感且發(fā)射波長(zhǎng)可調(diào)等獨(dú)特性質(zhì),使其在顯示和照明等領(lǐng)域具有很高的應(yīng)用價(jià)值。而金屬納米粒子的局域表面等離子體增強(qiáng)熒光效應(yīng),可以用來(lái)提高電致發(fā)光器件的效率。本文以摻Mn半導(dǎo)體量子點(diǎn)和金屬納米顆粒為研究對(duì)象,針對(duì)二者在電致發(fā)光器件方面的應(yīng)用展開(kāi)以下研究工作：首先,合成了CdS:Mn/ZnS核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體量子點(diǎn),研究了強(qiáng)電場(chǎng)下Mn的發(fā)光性質(zhì)。改變測(cè)試條件：環(huán)境溫度、電場(chǎng)強(qiáng)度、驅(qū)動(dòng)頻率等因素,測(cè)量摻Mn量子點(diǎn)的電致發(fā)光特性,并加以合理分析。該器件的電致發(fā)光強(qiáng)度隨著環(huán)境溫度的升高呈現(xiàn)先增強(qiáng)后減小的變化規(guī)律,并且Mn雜質(zhì)的位置會(huì)影響其電致發(fā)光譜。隨后,利用高真空熱蒸發(fā)沉積Au、Ag納米薄膜,并退火制備Au、Ag納米顆粒。結(jié)果表明：退火使得Au、Ag納米顆粒薄膜發(fā)生改變,粒子性變得更明顯,等離子體共振吸收由表面共振吸收轉(zhuǎn)變?yōu)榫钟蚬舱裎�。最�?制作兩種對(duì)比結(jié)構(gòu)的器件：內(nèi)含金屬納米顆粒的量子點(diǎn)交流電致發(fā)光器件和純量子點(diǎn)交流電致發(fā)光器件。結(jié)果表明：金屬納米粒子可以顯著增強(qiáng)量子點(diǎn)電致發(fā)光,19V、21V和23V時(shí)的增強(qiáng)因子分別為8.03、4.23和2.87,解釋為由于金屬納米粒子共振場(chǎng)的存在,提高了量子點(diǎn)的受激概率。而金屬納米粒子的等離子體共振可能有兩個(gè)來(lái)源：一、高能電子激發(fā)等離子體共振；二、量子點(diǎn)發(fā)射的光子激發(fā)等離子體共振。
【關(guān)鍵詞】：摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn) 金屬納米顆粒 等離子體共振增強(qiáng) 場(chǎng)致發(fā)光
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：O471.1;TB383.1
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-20
• 1.1 半導(dǎo)體納米材料8-12
• 1.1.1 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的基本概念8
• 1.1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的特性及分類8-12
• 1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)及應(yīng)用12-15
• 1.2.1半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光性質(zhì)12-14
• 1.2.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的應(yīng)用14-15
• 1.3 貴金屬納米材料15-18
• 1.3.1 納米結(jié)構(gòu)的制備方法15-16
• 1.3.2 金屬納米材料的光學(xué)性質(zhì)及應(yīng)用16-18
• 1.4 局域表面等離子體共振增強(qiáng)熒光的研究概況18-19
• 1.5 本論文的主要研究?jī)?nèi)容19-20
• 第二章 量子點(diǎn)電致發(fā)光器件20-25
• 2.1 電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)20-21
• 2.2 電致發(fā)光的基本原理21-24
• 2.2.1 直流電子注入發(fā)光22
• 2.2.2 交流場(chǎng)致發(fā)光22-24
• 2.3 提高場(chǎng)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)QD-LEDs性能的方法24
• 2.4 本章小結(jié)24-25
• 第三章 摻Mn量子點(diǎn)的場(chǎng)致發(fā)光性質(zhì)研究25-36
• 3.1 發(fā)光材料的選定25
• 3.2 場(chǎng)致發(fā)光器件的制備25-29
• 3.2.1 場(chǎng)致發(fā)光器件的制備28-29
• 3.3 CdS:Mn/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的場(chǎng)致發(fā)光性質(zhì)研究29-35
• 3.3.1 場(chǎng)致發(fā)光器件的微結(jié)構(gòu)表征29-30
• 3.3.2 CdS:Mn/ZnS熒光光譜和電致發(fā)光光譜分析30-31
• 3.3.3 場(chǎng)致發(fā)光的溫度依賴特性研究31-32
• 3.3.4 場(chǎng)致發(fā)光的電壓和頻率依賴特性研究32-33
• 3.3.5 時(shí)間分辨光譜研究33-35
• 3.3.6 場(chǎng)致發(fā)光器件的I-V和I-F分析35
• 3.4 本章小結(jié)35-36
• 第四章 貴金屬(Au、Ag)納米顆粒薄膜制備36-41
• 4.1 高真空熱蒸發(fā)沉積金屬納米顆粒薄膜36-38
• 4.1.1 ZnS半導(dǎo)體層的制備與表征36-37
• 4.1.2 Au納米顆粒薄膜的制備與表征37-38
• 4.2 高真空熱蒸發(fā)沉積金屬顆粒陣列38-39
• 4.3 結(jié)果與討論39-40
• 4.4 本章小結(jié)40-41
• 第五章 內(nèi)含金屬納米顆粒的量子點(diǎn)交流電致發(fā)光器件41-48
• 5.1 貴金屬納米顆粒薄膜對(duì)表面等離子體增強(qiáng)熒光的影響41-42
• 5.2 金屬納米粒子對(duì)量子點(diǎn)電致發(fā)光增強(qiáng)的研究42-44
• 5.2.1 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)42-43
• 5.2.2 器件制備與表征43-44
• 5.3 結(jié)果與討論44-47
• 5.4 本章小結(jié)47-48
• 第六章 總結(jié)與展望48-50
• 6.1 總結(jié)48
• 6.2 展望48-50
• 致謝50-51
• 參考文獻(xiàn)51-55
• 攻讀碩士期間完成的研究論文和申請(qǐng)的專利55

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