發(fā)布時(shí)間：2017-12-20 20:18

  本文關(guān)鍵詞：線缺陷對(duì)硅烯輸運(yùn)性質(zhì)的影響　出處：《河北師范大學(xué)》2017年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

  更多相關(guān)文章： 硅烯 電場(chǎng) 線缺陷 能帶結(jié)構(gòu) 電導(dǎo) 谷極化

【摘要】：硅烯因其特殊的輸運(yùn)性質(zhì),近年來,在二維半導(dǎo)體材料的研究中一直是一個(gè)活躍的研究課題。本文采用緊束縛近似理論和非平衡格林函數(shù)的方法,理論計(jì)算并分析了鋸齒形邊界單層硅烯納米條帶上存在線缺陷時(shí)的電子輸運(yùn)特性。在硅烯納米條帶中移去一個(gè)硅原子,即形成了硅烯空位缺陷模型。外加垂直于硅烯納米條帶的電場(chǎng),考慮硅烯材料本征自旋軌道耦合和Rashba自旋軌道耦合對(duì)體系的影響,利用非平衡格林函數(shù)和分通道計(jì)算透射系數(shù)的方法,探索線缺陷對(duì)硅烯納米條帶輸運(yùn)性質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明:線缺陷的存在使電荷局域性增強(qiáng),傳輸總電導(dǎo)減小;中間導(dǎo)區(qū)寬度越大,總電導(dǎo)越大;線缺陷在中間位置時(shí)比線缺陷在上邊緣時(shí)對(duì)總電導(dǎo)的影響更大;存在線缺陷時(shí),隨著Rashba自旋軌道耦合強(qiáng)度的增大和電場(chǎng)強(qiáng)度的增大,總電導(dǎo)均減小;線缺陷的存在對(duì)K谷電導(dǎo)率和K?谷電導(dǎo)率產(chǎn)生影響,但是對(duì)完美谷極化區(qū)域影響不大,可以用來制作谷閥;費(fèi)米能處于體帶隙中,線缺陷對(duì)谷內(nèi)和谷間電導(dǎo)影響不大,谷內(nèi)谷間極化率仍為100%,但是當(dāng)費(fèi)米能增大打開體態(tài)時(shí),線缺陷對(duì)谷間電導(dǎo)影響很大,谷內(nèi)谷間極化率也出現(xiàn)明顯震蕩。我們期望通過本文的研究,可以發(fā)現(xiàn)硅烯更多的新奇特性,為制造谷相關(guān)的電子學(xué)納米器件提供一定的理論基礎(chǔ),促進(jìn)硅烯與現(xiàn)代電子工業(yè)相結(jié)合,期待其成為在納米技術(shù)應(yīng)用方面最具潛力的材料。
【學(xué)位授予單位】：河北師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：O469

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 崔俊杰;楊立森;張寶光;陳寶東;付存寶;何冬梅;;具有線缺陷二維光折變光子晶格的制備研究[J];光學(xué)學(xué)報(bào);2009年12期

2 董秋云;汪峰;吳方平;;線缺陷構(gòu)成的二維T型光子晶體波導(dǎo)特性研究[J];化工時(shí)刊;2009年05期

3 劉冰 ,胡松青;晶體線缺陷——位錯(cuò)的發(fā)現(xiàn)歷程[J];青島大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2003年01期

4 趙年順;孫劍;;線缺陷光子晶體波導(dǎo)的透射特性研究[J];黃山學(xué)院學(xué)報(bào);2014年03期

5 iJ威生;;介紹晶，

本文編號(hào)：1313275