陽極TiO 2 /g-C 3 N 4 與陰極WO 3 /W納米催化劑之間擴(kuò)大的異質(zhì)結(jié)自偏壓系統(tǒng)去除污染物(英文)
發(fā)布時(shí)間:2021-01-30 00:23
電化學(xué)或光電化學(xué)半導(dǎo)體催化劑廣泛應(yīng)用于降解污水中的有機(jī)與無機(jī)污染物,有望實(shí)現(xiàn)低能耗且高效的污染物降解.目前,已有多種異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體光催化劑的研究報(bào)道,并且大多數(shù)的研究結(jié)果顯示催化劑活性有明顯提高,但仍存在著光激發(fā)后電子與空穴的復(fù)合問題.光電化學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)建可減少電子與空穴的復(fù)合,因光催化陽極與光催化陰極之間費(fèi)米能級(jí)的不同,在兩極之間形成異質(zhì)結(jié),產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng),自生偏壓驅(qū)動(dòng)電子流動(dòng).已有諸多研究報(bào)道將TiO2催化劑與g-C3N4復(fù)合形成異質(zhì)結(jié),提高光催化活性.由于g-C3N4(-1.12 eV vs.NHE)導(dǎo)帶位置相比于TiO2(-0.2 eV vs.NHE)更負(fù),因此在兩者之間可形成內(nèi)部偏壓,驅(qū)動(dòng)電子由g-C3N4轉(zhuǎn)移至TiO2.WO3/W導(dǎo)帶位置(+0.2eV vs.NHE)比TiO2與...
【文章來源】:催化學(xué)報(bào). 2017,38(02)北大核心
【文章頁數(shù)】:8 頁
【文章目錄】:
1. Introduction
2. Experimental
2.1. Preparation of the Ti O2/g‐C3N4anode
2.2. In situ grown WO3catalyst on a tungsten wire and characterization of the WO3/W cathode
2.3. Rh B and TCS degradation
2.4. Photo‐electrochemical system measurements
3. Results and discussion
3.1. Characterization of the WO3/W cathode
3.2. I‐t curves of the electrodes
3.3. Self‐based tiny current for Rh B(or TCS)and NO3-‐N degradation
3.4. Degradation mechanism
4. Conclusions
Graphical Abstract
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]二氧化鈦基復(fù)合纖維的制備及其性能研究[D]. 唐茜.江蘇大學(xué) 2018
[2]類石墨相C3N4與MoS2/NiS/C3N4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能研究[D]. 陸學(xué)君.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
[3]g-C3N4基納米復(fù)合材料的制備及其可見光光催化性能的研究[D]. 金友來.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
本文編號(hào):3007879
【文章來源】:催化學(xué)報(bào). 2017,38(02)北大核心
【文章頁數(shù)】:8 頁
【文章目錄】:
1. Introduction
2. Experimental
2.1. Preparation of the Ti O2/g‐C3N4anode
2.2. In situ grown WO3catalyst on a tungsten wire and characterization of the WO3/W cathode
2.3. Rh B and TCS degradation
2.4. Photo‐electrochemical system measurements
3. Results and discussion
3.1. Characterization of the WO3/W cathode
3.2. I‐t curves of the electrodes
3.3. Self‐based tiny current for Rh B(or TCS)and NO3-‐N degradation
3.4. Degradation mechanism
4. Conclusions
Graphical Abstract
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]二氧化鈦基復(fù)合纖維的制備及其性能研究[D]. 唐茜.江蘇大學(xué) 2018
[2]類石墨相C3N4與MoS2/NiS/C3N4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能研究[D]. 陸學(xué)君.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
[3]g-C3N4基納米復(fù)合材料的制備及其可見光光催化性能的研究[D]. 金友來.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
本文編號(hào):3007879
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