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半導(dǎo)體界面調(diào)控增強光催化性能

發(fā)布時間:2020-10-31 19:50
   能源短缺和環(huán)境污染問題日益嚴重,如何簡單高效地解決這兩個問題引起了研究人員的極大興趣。光催化技術(shù)以可再生無污染的太陽能為能源,以半導(dǎo)體納米材料為催化劑,通過簡單易操作光催化反應(yīng)就能夠?qū)崿F(xiàn)太陽能到化學(xué)能的轉(zhuǎn)化。因此其成為最理想和最有效的解決能源和環(huán)境問題的途徑。而催化劑是決定光催化性能的最重要組分。本論文中,我們以半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)造理論和半導(dǎo)體納米材料本身特性為依據(jù),通過對半導(dǎo)體納米材料[氧化鋅(ZnO)、無機鈣鈦礦量子點(CsPbX3 QDs,X=C1,Br,I)、金屬有機框架材料(MOFs)]進行異質(zhì)結(jié)構(gòu)造或進一步異質(zhì)結(jié)界面調(diào)控,解決了其存在的光生電子-空穴復(fù)合、光譜吸收范圍窄、應(yīng)用范圍研究不充分和催化效率低的問題。然后將這些納米材料催化劑應(yīng)用到有機污染物的光催化降解處理方面,取得了一系列的進展。具體的工作內(nèi)容包括:(1)采用化學(xué)沉積法原位生長PbS、CdS、CdSe量子點于三維ZnO納米管陣列上,制備了高效的PbS/ZnO,CdS/ZnO,CdSe/ZnO異質(zhì)結(jié)復(fù)合催化劑。通過對量子點沉積次數(shù)的調(diào)節(jié),制備出了負載了不同含量量子點的異質(zhì)結(jié)復(fù)合催化劑,并將這些異質(zhì)結(jié)催化劑用于光催化降解甲基橙。系統(tǒng)的光催化實驗表明,與單體ZnO和復(fù)合催化劑CdS/ZnO(或CdSe/ZnO)相比,PbS/ZnO異質(zhì)結(jié)復(fù)合催化劑具有最高的光催化活性,能夠在30 min內(nèi)將甲基橙幾乎100%降解。(2)采用室溫過飽和結(jié)晶的方法合成了無機鈣鈦礦量子點[CsPbX3 QDs(X=C1,Br,I)],并將其首次用于光催化降解甲基橙的性能研究中。通過光催化實驗研究CsPbC13 QDs、CsPbBr3 QDs和CsPbI3 QDs這三種不同無機鈣鈦礦量子點催化劑及同一無機鈣鈦礦量子點催化劑加入不同含量在光催化降解甲基橙時的催化性能,實驗結(jié)果表明尺寸更小的CsPbC13 QDs具有最優(yōu)異的光催化氧化活性,該催化劑能夠在100 min內(nèi)將甲基橙溶液從橙黃色降解為無色溶液。(3)采用自下到上的方法在泡沫鎳基底上合成了復(fù)合催化劑AuNC@ZIF-8(Cu)NRAs。研究發(fā)現(xiàn),在該ZIF-8基復(fù)合材料中配位不飽和金屬位點上摻雜Cu能夠調(diào)節(jié)封裝的Au納米簇的表面電荷,使Au納米簇呈現(xiàn)出正電性從而更容易與氫原子結(jié)合形成Au-H中間體,進而提高復(fù)合催化劑催化硝基苯類化合物加氫還原的催化活性。實驗結(jié)果表明,與催化劑AuNC@ZIF-8、ZIF-8(Cu)NRAs和Au NP相比,復(fù)合催化劑AuNC@ZIF-8(Cu)NRAs對硝基苯類化合物的催化還原性能的確顯著提高,其降解率在6 min就可以達到98%。同時,對復(fù)合催化劑AuNC@ZIF-8(Cu)NRAs的應(yīng)用范圍的研究表明,該催化劑對例如3-硝基苯酚、2-硝基苯酚、硝基苯胺和二硝基苯等硝基苯類化合物都展現(xiàn)出優(yōu)異的催化還原能力。此外,經(jīng)過10次循環(huán)實驗后的研究結(jié)果表明,該催化劑的催化還原活性,穩(wěn)定性和形貌都沒有明顯變化,證明該復(fù)合催化劑具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。
【學(xué)位單位】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:X703;O643.36;O644.1
【部分圖文】:

示意圖,絕緣體,能帶結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體


?第1章緒論???方面的論文就有上千篇,目前這些研宄主要集中在利用Ti02、ZnO、g-C3N4、Fe2〇3??和BiOX?(X?=?Cl,Br,I)等半導(dǎo)體納米材料對污染物進行催化降解處理[22'26]。在近??幾十年研宄中,利用光催化技術(shù)來降解處理污水中的有機污染物己經(jīng)取得了相當??大的成就。所以就目前存在的能源短缺和環(huán)境污染問題,光催化技術(shù)已經(jīng)成為熱??門的選擇。??1.3.?2半導(dǎo)體納米材料光催化反應(yīng)的機理??

示意圖,半導(dǎo)體光催化,反應(yīng)過程,示意圖


?b?c??圖1.1?(a)絕緣體;(b)半導(dǎo)體;(c)導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)示意圖。??)|>??/?產(chǎn)物麵(v)??(i)7Vc,還原反?)???1?"""_?____?_________1? ̄?^?反應(yīng)物仲)??\??(ii)?Eg??\?|?vb?①-^^^產(chǎn)物脫附⑴??\/v氧化反應(yīng)(iv)??反應(yīng)物(iii)??圖1.2半導(dǎo)體光催化反應(yīng)過程示意圖。??首先從能帶結(jié)構(gòu)上分析為什么半導(dǎo)體納米材料是最適合進行光催化反應(yīng)的??材料。絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)如圖1.1所示。從圖中可以看出,物質(zhì)??的能級分為許多能帶,有電子的為滿帶,沒有電子的為空帶,而滿帶與空帶之間??4??

層平衡,光照射,鍵結(jié)構(gòu),費米能


度介于絕緣體和導(dǎo)體之間,有利于電子的激發(fā)和分離,這種結(jié)構(gòu)特點使半導(dǎo)體材??料適合作為光催化反應(yīng)的催化劑材料。??簡單來說,半導(dǎo)體光催化反應(yīng)主要包括5個步驟(如圖1.2所示):(i)半導(dǎo)??體納米材料吸收光,產(chǎn)生光生電子-空穴對;(ii)光生電子-空穴對的分離與遷移;??(iii)反應(yīng)物的吸附;(iv)半導(dǎo)體納米材料表面發(fā)生氧化還原反應(yīng);(v)產(chǎn)物的??脫附。具體過程可以解釋如下,當半導(dǎo)體催化劑受到能量等于或大于其帶隙值??(Eg)的光照射時,電子(eO從價帶(VB)躍遷到導(dǎo)帶(CB),并在VB上留??下空穴(h+);被激發(fā)的e-和h+躍遷到催化劑表面,CB上的e?應(yīng)該具有+0.5到-1.5??V的化學(xué)電位(相對于標準氫電極),并且表現(xiàn)出較強的還原能力,同時VB上??的h+應(yīng)該具有+1.0到+3.5?V的化學(xué)電位(相對于標準氫電極),且具有較強的氧??化能力,e?和h+能夠與吸附在半導(dǎo)體表面的電子給體和電子受體發(fā)生氧化和還原??反應(yīng)
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本文編號:2864427

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