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等離子體光催化劑的設(shè)計制備及光催化性能和機(jī)理研究

發(fā)布時間:2020-06-23 18:32
【摘要】:在水體有機(jī)污染嚴(yán)重的今天,亟待探尋能夠?qū)⒂袡C(jī)污染物礦化為無害物質(zhì)的有效方法來保證人類的生存和發(fā)展。半導(dǎo)體光催化作為先進(jìn)的氧化技術(shù)之一為水體有機(jī)污染物的快速去除和徹底礦化帶來了希望。目前的光催化劑以Ti O2材料為主,一些新興的非Ti O2基材料,如氮化碳、鉍系氧化物等也逐漸受到人們的關(guān)注。然而,這些材料仍然存在不同程度的可見光利用率低、光生電子空穴易于復(fù)合等缺陷,嚴(yán)重制約了這一技術(shù)的發(fā)展。本論文以Ti O2和g-C3N4為基礎(chǔ),注重在孔結(jié)構(gòu)調(diào)控和能帶匹配上進(jìn)行修飾和優(yōu)化,得到了三種具有良好可見光催化活性以及有效分離光生電子-空穴對結(jié)構(gòu)的等離子體光催化劑,鉑-二氧化鈦/二氧化硅(Pt-Ti O2/Si O2),銀/氮化碳(Ag/g-C3N4)和銀@溴化銀/氮化碳(Ag@Ag Br/g-C3N4)。通過X-射線粉末衍射(XRD)、傅里葉變換顯微紅外光譜(FT-IR)、氮?dú)馕奖缺砻娣e介孔微孔分析、X-射線光電子能譜(XPS)、透射電子顯微鏡(TEM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外 可見漫反射(UV Vis/DRS)等先進(jìn)表征手段對材料的化學(xué)組成、晶型、介孔結(jié)構(gòu)、形貌以及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了表征。選取對硝基苯酚(PNP)、雙酚A(BPA)、甲基橙(MO)和羅丹明B(RB)為目標(biāo)污染物,考察了不同催化劑對有機(jī)污染物的降解、礦化和循環(huán)使用情況。并采用光電化學(xué)實(shí)驗(yàn)、自由基捕獲實(shí)驗(yàn)和中間產(chǎn)物分析實(shí)驗(yàn)對復(fù)合等離子體光催化劑的降解機(jī)理及路徑進(jìn)行了研究。主要研究內(nèi)容與結(jié)果如下:1、介孔Pt-Ti O2/Si O2復(fù)合等離子體光催化劑的制備、表征及光催化性能研究采用水熱法結(jié)合光沉積技術(shù),以P123為軟模板,四乙氧基硅TEOS為硅源,選取雙鈦源(四異丙氧基鈦TTIP和Ti Cl4)和單鈦源(TTIP)體系,分別制得有序和無序介孔Ti O2/Si O2復(fù)合材料。經(jīng)氯鉑酸(H2Pt Cl6)修飾后,得到有序、無序介孔Pt-Ti O2/Si O2復(fù)合等離子體光催化材料。表征結(jié)果顯示:有序材料具有二維六方介孔結(jié)構(gòu),無序材料為三維交聯(lián)介孔結(jié)構(gòu);兩種材料均由銳鈦礦和金紅石組成,與同方法制備的Ti O2相比,制得的介孔材料具有更大的比表面積(231、268 m2 g?1)和孔尺寸(13.2、13.4 nm),并且在400-800 nm范圍內(nèi)出現(xiàn)可見光響應(yīng)。兩種介孔材料的Pt擔(dān)載量(1.1%和1.2%)相近時,有序介孔Pt-Ti O2/Si O2對PNP的光催化降解效率優(yōu)于無序介孔Pt-Ti O2/Si O2。當(dāng)有序介孔Pt-Ti O2/Si O2材料中Pt的擔(dān)載量為0.4%時,催化劑活性最高,模擬太陽光條件下,60 min后PNP幾乎完全降解,可見光條件下,240 min PNP的降解率可達(dá)64%,而10 min內(nèi)BPA幾乎完全降解。2、Ag/g-C3N4復(fù)合等離子體光催化劑的制備、表征及光催化性能和機(jī)理研究采用梯度熱縮合結(jié)合光沉積技術(shù),以尿素為原料,通過調(diào)節(jié)Ag NO3的投加量,制備了不同Ag擔(dān)載量的Ag/g-C3N4等離子體光催化材料。表征結(jié)果顯示:該方法制備的Ag/g-C3N4具有蓬松的類似于石墨烯的薄層結(jié)構(gòu)和雙介孔結(jié)構(gòu),較大的比表面積(64-68m2 g?1),均勻的Ag納米粒子分布,以及全波長的可見光響應(yīng)范圍。在可見光條件下,當(dāng)Ag的擔(dān)載量為2%時,Ag/g-C3N4的光催化活性最好。60 min時,MO的降解率為91%,分別是Ti O2(P25)和g-C3N4的2倍和1.6倍;120 min時,PNP的降解率為98%,分別是Ti O2(P25)和g-C3N4的10倍和1.2倍。在光催化降解MO的五次循環(huán)實(shí)驗(yàn)中其活性基本保持不變。通過光電化學(xué)和自由基捕獲實(shí)驗(yàn)證明:在g-C3N4體系中,光生電子和空穴的分離效果較差,產(chǎn)生的活性物種主要為空穴(h VB+)和超氧自由基(?O2?)。經(jīng)Ag修飾后,光生電子和空穴的產(chǎn)生和分離明顯增強(qiáng),富集在Ag表面的電子發(fā)生多電子反應(yīng),產(chǎn)生了羥基自由基(?OH)這一新的活性物種,提高了Ag/g-C3N4的光催化降解性能。3、Ag@Ag Br/g-C3N4復(fù)合等離子體光催化劑的制備、表征及光催化性能和機(jī)理研究在已優(yōu)化g-C3N4的基礎(chǔ)上,以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)和Ag NO3為原料,通過沉淀沉積法結(jié)合光還原技術(shù)制備了不同Ag@Ag Br含量的Ag@Ag Br/g-C3N4復(fù)合等離子體光催化劑。表征結(jié)果顯示:Ag@Ag Br具有兩種粒子尺寸(200 nm和1000 nm左右),緊密的生長在薄層狀g-C3N4的層間和表面;復(fù)合材料的比表面積為21.6-30.8 m2 g?1,具有優(yōu)異的可見光響應(yīng)性能。在可見光條件下,當(dāng)Ag@Ag Br含量為50%時,Ag@Ag Br/g-C3N4的光催化活性最好。10 min時,MO和RB的降解率分別為94%和95%,是g-C3N4的5倍和1.6倍。在對MO光催化降解的四次循環(huán)實(shí)驗(yàn)后其活性仍然保持在70%以上。通過光電化學(xué)和自由基捕獲實(shí)驗(yàn)證明:在Ag@Ag Br/g-C3N4復(fù)合等離子體光催化劑中,Ag@Ag Br與g-C3N4之間形成了Z-scheme結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)不僅有效的促進(jìn)了光生電子和空穴的分離,同時保持了原有光生電子和空穴的強(qiáng)氧化還原能力,有效地產(chǎn)生了?O2?、h VB+和Br0等活性物種。進(jìn)一步揭示了Ag@Ag Br/g-C3N4具有高光催化活性的機(jī)理。通過測定Ag@Ag Br/g-C3N4光催化降解MO的中間產(chǎn)物,推測其主要降解途徑為:在自由基(h VB+,?O2?和Br0)的作用下,MO經(jīng)歷了C?N鍵斷裂、開環(huán)、生成小分子有機(jī)物(乙二酸、乳酸和甲酸)、最終礦化為SO42?、NO3?、CO2和H2O等過程。
【學(xué)位授予單位】:東北師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:O643.36;X52
【圖文】:

光生電子,表面復(fù)合,復(fù)合過程,半導(dǎo)體表面


如圖1-1 所示:圖 1-1 半導(dǎo)體的光生電子和空穴的產(chǎn)生、遷移和復(fù)合過程:表面復(fù)合(a),內(nèi)部復(fù)合(b),光生電子遷移到半導(dǎo)體表面的還原反應(yīng)(c),光生空穴遷移到半導(dǎo)體表面的氧化反應(yīng)(d)Fig. 1-1 Generation, transfer and recombination processes of photogenerated electrons and holes onsemiconductor particles: electron-hole recombination at surface (a), electron-hole recombination in bulk (b),oxidation of donor (c), reduction of acceptor

半導(dǎo)體材料,能帶結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體光催化劑,光催化


圖 1-2 中為一些常用半導(dǎo)體光催化劑的能帶結(jié)構(gòu)圖,可為選擇半導(dǎo)體光催化劑。許多半導(dǎo)體材料(TiO2、ZnO、Fe2O3、CdS、CdSe 等)具有合適的價帶導(dǎo)帶作光催化劑。但由于有的半導(dǎo)體在光照下不穩(wěn)定、存在光腐蝕現(xiàn)象,有的甚至一定的毒性,因此,目前只有 TiO2被認(rèn)為是最具有應(yīng)用前景的半導(dǎo)體光催化

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本文編號:2727729

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