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原位熱硫化法制備Cu 3 SnS 4 納米薄膜及其光學性質(zhì)

發(fā)布時間:2023-09-29 00:23
  采用化學水浴法(CBD)制備了Cu3Sn納米薄膜,通過原位熱硫化法制備了Cu3SnS4納米薄膜。分別采用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)與X射線能譜儀(EDS)分析了樣品的組成、結(jié)構(gòu)與形貌。采用紫外-可見分光光度計(UV-Vis)測試了Cu3SnS4樣品的光學性質(zhì)。結(jié)果表明,樣品物相純凈、形貌均一,Cu3Sn納米薄膜由球形納米顆粒組成,Cu3SnS4納米薄膜由片狀納米顆粒組成,Cu3SnS4薄膜樣品在紫外-可見光區(qū)有良好的吸收性質(zhì),其光學帶隙為1.70eV,適合作為太陽能電池吸收層。

【文章頁數(shù)】:3 頁

【文章目錄】:
1 實驗部分
    1.1 原料
    1.2 Cu3Sn納米薄膜的制備
    1.3 Cu3SnS4納米薄膜的制備
    1.4 樣品的表征與測試
2 結(jié)果與分析
    2.1 樣品的物相分析
    2.2 樣品的形貌分析
    2.3 樣品的能譜分析
    2.4 樣品的光學性質(zhì)
3 結(jié)論



本文編號:3848912

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