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化學(xué)氣相法制備ZnO晶體工藝及生長機(jī)理

發(fā)布時間:2020-02-05 12:31
【摘要】:ZnO是一種集光電、壓電、氣敏、壓敏等性能于一身的多功能材料。而且隨著近年來,ZnO納米線、納米帶、晶須等形態(tài)ZnO的成功制備,不僅其原本的性能得到提高,而且表現(xiàn)出一些獨特、新奇的性質(zhì)。在各種功能信息材料中,ZnO極具發(fā)展?jié)摿?有著廣泛的應(yīng)用前景。如何控制ZnO的結(jié)晶形態(tài)是目前實現(xiàn)ZnO工業(yè)生產(chǎn)需要解決的主要問題。ZnO多姿的結(jié)晶形態(tài)已經(jīng)成為ZnO研究的熱點。 本論文采用化學(xué)氣相法制備了氧化鋅晶體,通過對原料、實驗設(shè)備、預(yù)熱溫度、反應(yīng)溫度、保溫時間、氣體流量的考察,總結(jié)出各個工藝條件對晶體生長的影響規(guī)律,實現(xiàn)對氧化鋅晶體的可控生長。用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)對各種形態(tài)的產(chǎn)物進(jìn)行成分、形貌和結(jié)構(gòu)的表征,并對氧化鋅晶體的光學(xué)特性進(jìn)行了初步的研究。 以鋅顆粒為原料時,能獲得形貌較好的氧化鋅晶體;當(dāng)爐膛的預(yù)熱溫度在400~500℃,反應(yīng)溫度在1100℃時,能夠獲得微米級氧化鋅晶體。隨著保溫時間的增加,晶體尺寸也隨著增加,由于受限于反應(yīng)設(shè)備和原料的量,當(dāng)保溫時間超過5小時,晶體尺寸及產(chǎn)量沒有明顯的提高。獲得的氧化鋅晶體具有很好的結(jié)晶特性。在不同的外部條件下,生長出了顆粒狀、針狀、棒狀、鉛筆狀、刺猬狀、多針狀、葉片狀、梳狀、螺旋槳狀、四角狀等形貌豐富的氧化鋅晶體。從氧化鋅晶體的光致發(fā)光譜可知,其具有近紫外發(fā)光特性及綠光特性。氧化鋅晶體在紫外光催化下,降解甲基橙的降解率可達(dá)到60%。 分別從晶體學(xué)、晶體生長動力學(xué)、晶體生長熱力學(xué)等方面,結(jié)合實驗條件,對氧化鋅晶體的生長過程進(jìn)行描述。氧化鋅晶體的生成過程包括成核、晶體的軸向生長、晶體的徑向生長、停止生長四個階段。
【圖文】:

ZnO晶體,結(jié)構(gòu)模型,配位數(shù)


從而導(dǎo)致配位數(shù)和鍵性的變化,其化學(xué)鍵的類型介于離子鍵與共價鍵之間。目前已知ZnO材料可能存在的晶型有三種:NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖1.1a),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(如圖1.1b)和纖鋅礦結(jié)構(gòu)(如圖1.1c)。在熱力學(xué)穩(wěn)定的常溫常壓環(huán)境中,ZnO的存在形式是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(WZ),屬于六方晶系,,P63mc空間群。在其晶體結(jié)構(gòu)中,O2-離子按六方緊密堆積排列,Zn2+離子充填于二分之一的四面體空隙中,Zn2+離子的配位數(shù)為4

示意圖,纖鋅礦,結(jié)構(gòu)模型,氧化鋅晶體


1 緒3圖1.2所示為六方纖鋅礦氧化鋅晶體中原子的空間排布示意圖,圖中可以看到,氧化鋅晶體本身兩種電性的離子產(chǎn)生了帶正電荷的Zn2++(0001)面和帶負(fù)電荷的O2--(0001)面,從而導(dǎo)致了垂直于(0001)面的耦合運動,以及伴隨著Z軸的極化運動引發(fā)的表面能分化。通常極性面會表現(xiàn)出強(qiáng)大的表面重組現(xiàn)象,但是氧化鋅的(0001)面比較特殊,它不經(jīng)過重組也能穩(wěn)定存在;在對氧化鋅晶體(0001)面的研究中,已經(jīng)證明氧化鋅(0001)面的穩(wěn)定地存在不像NiO那樣靠吸附其它原子而穩(wěn)定,也不存在大范圍的晶體結(jié)構(gòu)重排;目前大家認(rèn)為氧化鋅(0001)面穩(wěn)定的原因有:一是靠晶層之間的電子馳豫實現(xiàn)電子從-(0001)向+(0001)方向轉(zhuǎn)移而穩(wěn)定;二是在氧化鋅的(0001)面存在Zn2+原子缺陷
【學(xué)位授予單位】:西安科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號】:O781

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本文編號:2576640

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