【摘要】：本論文緊扣當(dāng)前趨勢,旨在制備和表征一維納米材料陣列,為實(shí)現(xiàn)其未來在納米器件具體應(yīng)用提供可靠的參考和依據(jù)。 首先,論證了紫外光刻法制備規(guī)則圖案化AAO模板的實(shí)驗(yàn)參數(shù),包括光刻膠用量、光刻時(shí)間、前后烘溫度、顯影時(shí)間,成功制備了QDU型和圓孔型不同尺寸的圖案化結(jié)構(gòu),并以此為“二次模板”采用溶液浸潤模板法和熔融浸潤模板法制備了圖案化的一維聚苯乙烯(PS)/聚酰胺66(PA66)/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)/聚酰胺(PA11)納米陣列,以掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)表征了其微觀外貌特征以及一維聚合物納米材料生長中不同微觀結(jié)構(gòu)與溶液濃度和光刻膠熔點(diǎn)的關(guān)系。 其次,以模板法結(jié)合電沉積技術(shù)制備了一維Cu納米線陣列、一維Ni納米管/線陣列、一維Fe納米管/線陣列和一維Co納米管陣列,證明鐵磁性金屬在較短沉積時(shí)間內(nèi)(15min)優(yōu)先生成納米管結(jié)構(gòu),隨著時(shí)間增長最終生長為納米線結(jié)構(gòu)；此外以規(guī)則一維Ni納米管陣列為“二次模板”電沉積制備了一維Fe/Ni納米電纜和一維Co/Ni納米電纜以及結(jié)合溶液浸潤法和電沉積技術(shù)制備了一維Cu/PS納米電纜,以SEM和TEM手段表征了納米電纜的核殼同軸結(jié)構(gòu)。 最后,通過VSM測試對(duì)一維Ni、Fe和Co納米材料及一維Fe/Ni納米電纜進(jìn)行了磁性能研究,證明了通過電沉積制備的一維納米材料都表現(xiàn)顯著的剩磁現(xiàn)象和磁滯現(xiàn)象,具有不同的矯頑力和磁矩；同時(shí)由磁滯回線表明一維鐵磁性納米材料具有磁各向異性,在平行于長軸方向上表現(xiàn)出高的磁感應(yīng),相比于垂直長軸方向上易磁化。
【圖文】：

料的形態(tài)也是豐富多彩，我們通過就一維納米材料的具體形貌來對(duì)其進(jìn)行了分類，現(xiàn)在已經(jīng)報(bào)道的有納米棒、納米線、納米管、納米帶、納米刷及核殼結(jié)合的納米材料，如下圖1.1所示。下面我們具體介紹幾種一維納米材料:·雄麒解一·淄腸翻一心矛聲·……圖 1.1不同形貌的一維納米材料

(l)靜電紡絲法靜電紡絲法是制備一維聚合物納米材料應(yīng)用最廣泛技術(shù)最成熟的方法之一，此方法技術(shù)簡單，可操作性強(qiáng)，示意圖見圖1.2[”]，可以有效的將一維聚合物納米材料的直徑制備到100nm以下，制備的納米聚合物纖維材料具有高的比表面積，，對(duì)于直徑為100nm的聚合物納米纖維的比表面積可達(dá)100耐/g「’2]，另一個(gè)優(yōu)勢可以通過控制比較少的實(shí)驗(yàn)參數(shù)來得到尺寸范圍大的聚合物納米纖維結(jié)構(gòu)，例如MacDi~id等通過該方法制備了直徑在30lun左右的聚合物納米纖維【‘3]，這樣1934年自從有關(guān)靜電紡絲的第一個(gè)專利頒給了Formhals后，全球范圍內(nèi)的科學(xué)家越來越多的致力于該項(xiàng)的研究【’4一“’]，圖1.3為通過靜電紡絲制備的PET納米纖維
【學(xué)位授予單位】：青島大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號(hào)】：TB383.1

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2573462