AAO模板法制備聚吡咯納米線陣列及其敏感特性研究
【圖文】:
極化子與雙極化子的示意圖
分布較為隨機,孔徑大小不均一。二次氧化的條件除時間外均和一次氧化相同,二次氧化的時間視所需膜厚的要求而定。本實驗二次氧化時間為 12 h,二次氧化后,用飽和的 SnCl4進行置換反應(yīng)除去背面的鋁,然后清洗,烘干后,用 6wt%的 H3PO4除去氧化膜底部的阻礙層,,除鋁的一面與 H3PO4接觸,直至模板表面有溶液滲出,表面通孔完畢。然后清洗干凈,烘干備用。氧化鋁膜的孔徑大小取決于陽極電壓、電解液類型、濃度及在 6wt%的 H3PO4溶液中浸泡的時間。鋁的陽極氧化膜的制備可用示意圖 2.1來表示:
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2010
【分類號】:TB383.1
【參考文獻】
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本文編號:2516994
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