發(fā)布時間：2019-04-19 09:53

【摘要】：直接禁帶半導體材料銅鋅錫硫(CZTS)四元硫化物是近年來研究較多的具有鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)的化合物半導體,由于其光吸收系數(shù)較高,禁帶寬度適中,是太陽能電池理想的候選材料,使其在薄膜太陽能電池中迅速崛起。由于目前報道的最高轉(zhuǎn)換效率距離其理論轉(zhuǎn)換效率還存在相當差距,因此,研究CZTS(Se)四元硫(硒)化物半導體仍然是當前的研究熱點之一。簡單介紹了CZTS薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)組成,并詳細介紹了3種主要制備CZTS薄膜的電沉積方法,即分步沉積Cu/Sn/Zn金屬層、連續(xù)沉積Cu-Zn-Sn金屬層、一步沉積Cu-Zn-Sn-S(Se)制備CZTS薄膜太陽能電池吸收層的電化學技術(shù)及相應器件,對其研究進展進行了綜述,指出了相應方法存在的問題。還將3種電沉積方法進行了分析比較,提出了優(yōu)化方法,展望了未來的發(fā)展趨勢。
[Abstract]:Direct band-gap semiconductor material Cu-Zn-Sn-S-(CZTS) quaternary sulfide is a compound semiconductor with zinc-yellow tin structure studied in recent years because of its high optical absorption coefficient and moderate band gap. It is an ideal candidate for solar cells, making them rise rapidly in thin film solar cells. Because the maximum conversion efficiency reported at present is quite different from its theoretical conversion efficiency, the study of CZTS (Se) quaternary sulfur (selenium) semiconductors is still one of the current research hotspots. The structure and composition of CZTS thin film solar cell are briefly introduced, and three kinds of electrodeposition methods for preparing CZTS thin film are introduced in detail, that is, step-by-step deposition of Cu/Sn/Zn metal layer and continuous deposition of Cu-Zn-Sn metal layer. The electrochemical technology and corresponding devices for preparing CZTS thin film solar cell absorption layer by one-step deposition of Cu-Zn-Sn-S (Se) are reviewed in this paper. The problems existing in the corresponding methods are pointed out. Three kinds of electrodeposition methods are analyzed and compared, and the optimization methods are put forward, and the future development trend is prospected.
【作者單位】： 揚州大學化學化工學院;
【基金】：科研啟動金(5010/137010161) 揚州大學優(yōu)勢學科(081301)
【分類號】：TM914.4

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本文編號：2460838